暗室のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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暗室 - メーカー・企業45社の製品一覧とランキング

更新日: 集計期間:2025年08月27日~2025年09月23日
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暗室のメーカー・企業ランキング

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  1. 株式会社リケン環境システム 埼玉県/電子部品・半導体
  2. 株式会社テイエスエスジャパン 東京都/産業用電気機器
  3. 富山電気ビルデイング株式会社 富山県/産業用電気機器
  4. 株式会社ノイズ研究所(NoiseKen) 神奈川県/試験・分析・測定
  5. 5 株式会社UL Japan 東京都/試験・分析・測定

暗室の製品ランキング

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  1. 金属発熱体 「PYROMAX」 株式会社リケン環境システム
  2. 建設機械など大型機器向け電波暗室 株式会社UL Japan
  3. サージ試験機 【JASO D001-94】 株式会社芹沢システムリサーチ
  4. 英幸テクノ株式会社 NPO諏訪圏ものづくり推進機構
  5. 4 無電柱化工事に適した小型ボックス『CVボックス』 株式会社オーコ 岡山本社、広島営業所、山口営業所、関東営業所 工場:中・四国を中心に全国にネットワークがあります。

暗室の製品一覧

196~210 件を表示 / 全 225 件

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HR-R 8-1セット(磁場プローブ)

対応周波数帯は~40GHz!PCBエミッション近傍界プローブタイプ

『HR-R 8-1セット(磁場プローブ)』には、HR-R 8-1 B 磁界プローブが 含まれている製品です。 このプローブは、最大40GHzの磁場測定を可能にします。 HR-R 8-1のプローブヘッドは、IC、回路基板構造及びコンポーネントの 測定を行い、高周波磁場の位置を特定できる様に設計されています。 【セット内容】 ■HR-R 8-1:Near-field probe~40GHz B-field ■CS-ESA:ViewerChipScan-ESA Viewer Software/USB ■HR-R char:HR-R 8-1 個別データ ■ユーザーマニュアル ■ケース ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC対策製品

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SESD216

コンタクト放電では、非接触時に放電しないコンタクト制御機能付き!

当社で取り扱うEMC試験機器『SESD216』について、ご紹介いたします。 ESDシミュレータ(静電気試験機)は、IEC/EN61000-4 Part2規格で 定義されているシステムや機器におけるEMC試験に好適。 この試験は、静電気放電に対する耐性試験を行うもので、エア放電とコンタクト放電に 対応する2つのモードがあり、DUTに対し非接触試験を行うためのエア放電用テストプローブと 接触試験を行うためのコンタクト放電用テストプローブがセットされています。 【特長】 ■制御用ベースユニットを持たない、コンパクトハンディタイプ ■エア放電では、実際の放電電圧の表示機能あり ■プログラムによる自動テストが可能 ■大きく見やすい液晶パネル ■液晶パネルから試験内容の簡単選択・設定 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC試験

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STE1420

高電圧出力によるカップリングプライヤや三相カップリングネットワークへの接続を実現!

『STE1420』は、IEC 61000-4-4、DIN EN 61000-4-4の規格で定義されている EFT試験のためのバーストノイズをシミュレートするEMC試験機器です。 5nsの非常に短い立ち上がり時間により、個々のパルスは300MHzまでの 広帯域RFスペクトルを生成可能。 標準テストレベル1、2、3、および4はプログラムされており、追加の テストシーケンスもメモリ機能を介して保存することができます。 【特長】 ■広帯域RFスペクトルの生成 ■シンプル操作 ■カラータッチディスプレイ ■パラメータは試験中でも変更可能 ■メモリー機能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC試験

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SFT2400

5nsの非常に短い立ち上がり時間!個々のパルスは300MHzまでの広帯域RFスペクトルを生成

『SFT2400』は、IEC 61000-4-4、DIN EN 61000-4-4の規格で定義されている EFT試験のためのバーストノイズをシミュレートするEMC試験機器です。 自然現象をシミュレートする「リアルバースト」や「ノイズ」の シミュレートなど、様々な特殊機能も提供。 「IFM」及び「DFM」(バーストパケット内の周波数の増加または減少)機能は、 EUTの共振または飽和の影響を調査するための重要なツールです。 【特長】 ■広帯域RFスペクトルの生成 ■シンプル操作 ■カラータッチディスプレイ ■高電圧出力によるカップリングプライヤや三相カップリング  ネットワークへの接続 ■パラメータは試験中でも変更可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC試験

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PBS1セット(磁界・電界プローブ)

DC~9GHzまでの干渉源を高精度に測定、位置を特定することが可能!

当社で取り扱う『PBS1セット(磁界・電界プローブ)』について、 ご紹介いたします。 セットには、磁界(H field)と電界(E field)を測定するための4本の磁界プローブと 1本の電界プローブ、そしてそれぞれの標準校正データが含まれます。 プローブには、機械的損傷や環境の影響から保護するために高品質の絶縁層が 設けられており、安全に発振器や電力線の測定ができます。 【特長】 ■干渉源の特定 ■干渉電界強度の推定 ■遮蔽およびフィルタリング対策の検証 ■障害のあるコンポーネントの特定 ■干渉に過度に敏感な回路の検出 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC対策製品

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PBS2セット(磁界・電界プローブ・プリアンプ)

プローブは、どのスペクトラムアナライザやオシロスコープにも接続することが可能!

当社で取り扱う『PBS2セット(磁界・電界プローブ・プリアンプ)』について、 ご紹介いたします。 セットには、磁界(H field)と電界(E field)を測定するための4本の磁界プローブと 1本の電界プローブ、そしてそれぞれの標準校正データが含まれ、高性能プリアンプが付属。 EMC対策のためのモニタリングはもちろんの事、信号発生器と併用して イミュニティテスト用のフィールドを生成する事も可能です。 【特長】 ■干渉源の特定 ■干渉電界強度の推定 ■遮蔽およびフィルタリング対策の検証 ■障害のあるコンポーネントの特定 ■干渉に過度に敏感な回路の検出 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC対策製品

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SX1セット(磁界・電界プローブ)

ICピン、導電パス、コンポーネントやコネクタ上での検査を行うことができ、干渉源を特定可能!

『SX1セット(磁界・電界プローブ)』は、3本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 開発プロセス中の電子アセンブリ及びIC上の1GHz~10GHzの高クロック 周波数帯の電界及び磁界を測定することが可能。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、 また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【セット内容】 ■SX-E 03:E-Field Probe 1GHz~10GHz ■SX-B 3-1:H-Field Probe 1GHz~10GHz ■SX-R 3-1:H-Field Probe 1GHz~10GHz ■SMA-SMA:1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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RF4-Eセット(電界プローブ)

対応周波数帯は30MHz~1.5GHz/3GHz!PCBエミッション近傍界プローブタイプ

『RF4-Eプローブセット』は、比較目的で30MHz~3GHz(1.5GHz)の 周波数範囲で電界を測定するパッシブ電界プローブが2本含まれている セットです。 このプローブは、電界分布の分析、モジュール上の結合メカニズムの検出、 信号リードのスイッチングエッジと電源システムのRF電圧の評価を 目的として設計。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【セット内容】 ■RF-E 02:E-Field Probe 30MHz~1.5GHz ■RF-E 05:E-Field Probe 30MHz~3GHz ■SMB-BNC:1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC対策製品

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LF1セット(磁界プローブ)

LF-B 3、LF-U 5、LF-U 2.5などの高分解能のプローブを使用して、干渉源をより正確に検出!

『LF1近傍界プローブセット』は、4本の磁界プローブと専用ケーブルが 含まれており、開発プロセス中の電子デバイスから放射される長波、中波、及び 短波周波数を測定することができるセットです。 当セットのプローブヘッドは、ICピンから大型コンポーネント、アセンブリ上の 電磁干渉源を段階的に検出できる様に設計。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 【セット内容】 ■LF-R 400:H-Field Probe 100kHz~50MHz ■LF-B 3:H-Field Probe 100kHz~50MHz ■LF-U 2.5:H-Field Probe 100kHz~50MHz ■LF-U 5:H-Field Probe 100kHz~50MHz ■SMB-BNC:ケーブル1m ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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SX-R 3-1(H field磁界プローブ)

ICピンやコンポーネント間等の狭い場所へのアプローチも可能!

『SX-R 3-1磁界プローブ』は、小型のプローブヘッドを備えている パッシブ近傍界プローブです。 非常に高い分解能でRF磁界を測定する事ができ、小さいコンポーネントでも 干渉源として検出。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯:1GHz~10GHz ■コネクタ:SMA female, Jack ■分解能:1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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SX-R 20-1(H field磁界プローブ)

50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能!

『SX-R 20-1磁界プローブ』は最大20GHzの周波数範囲をカバーする パッシブ近傍界プローブです。 非常にコンパクトなプローブヘッドを備えているので、トレース、 コンポーネント、IC上の非常に小さいRF磁界の発生源を特定することが可能。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また 電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:6x6mmプローブヘッド ■対応周波数帯:1GHz~20GHz ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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SX-E 03(E field電界プローブ)

50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能!

『SX-E 03電界プローブ』はパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの下部電極面は約4x4mmで、導電パス、プリント回路基板の 単一コンポーネント等の小さい電界発生源を特定することが可能。 プローブヘッドの下部面を測定対象物に直接配置し、放出される電界を 検出します。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:4x4mmプローブヘッド ■対応周波数帯:1GHz~10GHz ■コネクタ:SMA female, Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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XF-E 04s(E field 電界プローブ)

アセンブリ上0.5~10mmの距離内でよく機能!「XF-E 09s」プローブと同じ基本構造

『XF-E 04s』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの下部電極面は約5x5mmで、ICの表面上で分離された 電界を検出。 小さな正方形の電極面をコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:5x5mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~6GHz ■コネクタ:SMA female,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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XF-E 09s(E field 電界プローブ)

コンパクトで大変使い易く、また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールド!

『XF-E 09s』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの電極は、ICの表面上で分離された電界を検出。 アセンブリ上0.5~10mmの距離内でよく機能します。 「XF-E 04s」プローブと同じ基本構造ですが、小さな正方形の電極面を 回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、保持する事により、 電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~6GHz ■コネクタ:SMA female,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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XF-E 10(E field 電界プローブ)

50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能!

『XF-E 10』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの電極幅は約0.2mmで、幅0.1mmの導電パスや単一ICピン等の 最小電界源でも位置を特定することが可能。 「XF-E 04s」及び「XF-E 09s」プローブと同じ基本構造ですが、高い分解能を 持っています。電極面を電界強度が高い測定対象物上に直接配置する 必要があるため、広範囲の測定には適していません。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:0.5x2mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~6GHz ■コネクタ:SMA female,Jack ■分解能:0.2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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