【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失
【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IGBT】
BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。
IGBT - メーカー・企業13社の製品一覧とランキング
更新日： 集計期間:2025年10月22日～2025年11月18日
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IGBTのメーカー・企業ランキング
更新日： 集計期間:2025年10月22日～2025年11月18日
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- インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社 東京都/電子部品・半導体
- ミカサ商事株式会社 大阪府/商社・卸売り
- 旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所 大阪府/電子部品・半導体
- 4 アールエスコンポーネンツ株式会社 神奈川県/商社・卸売り
- 5 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 東京都/試験・分析・測定
IGBTの製品ランキング
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- パワー半導体 FET IGBT SiC ミカサ商事株式会社
- IGBT インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 逆導通IGBT『600 V RC-D2』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- EasyPACK 2B IGBTモジュール インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 4 【ディスクリート】IGBT ラインアップ一覧 アールエスコンポーネンツ株式会社
IGBTの製品一覧
16～30 件を表示 ／ 全 37 件
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IGBTモジュール 『XHP』
高出力アプリケーション向けの新しく柔軟なIGBTプラットフォームです。
Infineon Technologies社の『XHP 3』は、高い信頼性と高電力密度を実現する拡張性の高い設計が可能なモジュールです。 トラクション(電鉄)、CAV、海上輸送、中電圧駆動機器など、要件が厳しい アプリケーションに対して優れたソリューションを提供します。 現在 2つのモデルがあり、それぞれ同じサイズのため、好適な電力変換 コンセプトを組み込むために異なる定格電流や定格電圧を採用しても、 製品設計者は均一なソリューションを構築することができます。 【特長】 ■優れたシステム拡張性 ■シンプルな機械的設計によりデザインインのプロセスを加速 ■損失を低減したクリーンなスイッチング動作 ■絶縁（10kV）に対する要求が高い3レベルアプリケーションに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- 価格：応相談
IGBTモジュール GSA100AA60
GSA100AA60 IGBTモジュール
・低スイッチング周波数領域での低損失を追求 SanRex社独自の専用IGBTチップ採用により低Vce(sat)を実現(1.12V Typ 125℃) ・小型 高信頼性パッケージ AC/DC TIG溶接機構成例 SOT-227パッケージの他デバイスとの組み合わせにより搭載機器の小型化に貢献
- 企業：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- 価格：応相談
IGBTモジュール『EconoPIM／PACK2／PACK3』
IGBT7を搭載！電力密度が高く、スイッチング周波数が向上しているため、冷却を簡素化できます
『EconoPIM／PACK2／PACK3』は、TRENCHSTOP IGBT7チップが搭載された IGBTモジュールです。 過負荷状態での連続運転温度（Tvjop）は最大175℃で、産業用ドライブ アプリケーションに好適。IGBT7は、IGBT4に比べて電力密度が高く、 スイッチング周波数が向上しているため、冷却を簡素化できます。 全体として動作条件を変えることなく、同等以上の製品寿命を実現しています。 【特長】 ■耐圧1200V、定格電流35A～200A ■Econo2、Econo3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■TRENCHSTOP IGBT7チップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
TRENCHSTOP 5 WR6ファミリー
低損失、低スイッチング損失を実現！より信頼性の高いシステム設計が可能になりました
TO-247-3-HCCパッケージに搭載された『TRENCHSTOP 5 WR6ファミリー』は、 パッケージの汚染に対する信頼性が向上しています。 当製品のディスクリートデバイスは、住宅用、商業用エアコンの 力率改善（PFC）、溶接アプリケーションに好適。 低損失、低スイッチング損失（Esw）を実現し、沿面距離と空間距離を 拡大したことで、より信頼性の高いシステム設計が可能になりました。 【特長】 ■25℃で1.45Vの低いVCESAT ■ダイオード内蔵のモノリシックIGBT ■低いスイッチング損失Esw ■長い沿面距離と空間距離のパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7
SCデバイス中で高い熱性能を提供！ハードスイッチングアプリケーションに特化して設計！
『1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7』は、フル定格で非常にソフトな ダイオードを内蔵した製品です。 VCE（sat）の低減、制御性の向上、SCデバイス中で高い熱性能を提供し、 HV-H3TRBと宇宙線耐性により堅牢性が向上。 産業用モータードライブ、産業用電源、ソーラーインバーターなどの 短絡耐量が求められるハードスイッチングアプリケーションに特化して 設計されています。 【特長】 ■フル定格のソフトで低Qrrのダイオードを搭載したIGBT ■低飽和電圧VCE（sat）＝2.0V（Tvj＝175℃） ■ハードスイッチングトポロジーに最適化（2レベルインバータ、3L NPC Tタイプ） ■短絡耐量：8μsec ■8A、15A、25A、40A、50Aのデバイスをラインアップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
EconoDUAL3モジュール『FF300R12ME7_B11』
高い電力密度と性能によりシステムコスト削減！より低い電流定格を備えたラインアップ
『FF300R12ME7_B11』は、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載し、 300～900Aの電流定格を実現したEconoDUAL 3モジュールです。 TRENCHSTOP IGBT7技術との組み合わせにより、損失の大幅な低減、 高レベルの制御性とソフトなスイッチング、高い短絡耐量を実現。 過負荷時の最大動作温度175℃にあわせて、高い効率と電力密度を実現し、 システムの簡素化とコスト削減を可能にします。 【特長】 ■300～900Aのフルラインアップ ■1200V ■TRENCHSTOP IGBT7チップ世代 ■高電流クラス用に改良されたパッケージ（750A、900A用） ■PressFIT制御ピンとネジ式パワー端子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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逆導通IGBT『600 V RC-D2』
低スイッチング損失！手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供します
SOT-223パッケージ搭載600V TRENCHSTOP『600 V RC-D2』をご紹介します。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術は、幅広い低電力ドライブアプリケーション用に 手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供。 向上した耐湿性をはじめ、20kHzまでの動作範囲、優れた制御性、新価格・ 性能基準といった特長を持つ製品です。 【特長】 ■競争力のある価格で低スイッチング損失 ■コントロール性の向上 ■耐湿性の向上 ■製品の設計が容易：SMDのDPAKおよびSOT-223パッケージへドロップイン交換 ■SOT-223でSMAのインバータ化が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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IGBT
高耐圧製品ラインアップを拡充！対象アプリケーションに併せて好適設計
当製品は、IGBTパワー半導体を使用した大電力システムの現在 から将来までのさまざまな要件を満たすよう設計されています。 外気に対する堅牢性、幅広いクランプ力を実現。 この新しいプレスパックIGBTは、フリーホイーリングダイオード 内蔵品は定格2000A品、非内蔵品で定格3000A品をご用意しており、 対象アプリケーションに併せて好適設計されています。 【特長】 ■4.5kV Trench IGBTチップ ■長期にわたる故障時短絡特性 ■圧接設計 ■密封パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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EconoPIM/EconoPACK2/EconoPACK3
高電力密度！設計者に最大限の柔軟性を提供する幅広いラインアップ
『EconoPIM/EconoPACK2/EconoPACK3』は、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載 した製品です。 6パック構成の「EconoPACKモジュール」に、50、75、100、200Aのバージョン が追加。また「EconoPIMファミリー」には、適用済みの熱伝導材料(TIM)、 はんだピン、PressFITオプションなど、お客様が選択可能なオプションを追加。 IGBT7は電力密度が高く、スイッチング周波数が向上しているため、 冷却を簡素化可能です。 【特長】 ■1200V、50A～200A ■Econo2およびEcono3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■新しいTRENCHSTOPIGBT7チップ ■はんだピン、PressFITピンおよびTIM(熱伝導材料)塗布のオプションを選択可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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TRENCHSTOP RC-D2 600V パワーIGBT
SOT-223パッケージ搭載！ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向け
当社の「TRENCHSTOP RC-D2 600V パワーIGBT」をご紹介いたします。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術。 低電力ドライブアプリケーション用に手ごろな費用でプラグアンド プレイソリューションを提供します。 【特長】 ■向上した耐湿性 ■高コレクタエミッタ電圧600V、3μS SCWT定格 ■20kHzまでの動作範囲 ■優れた制御性 ■新コスト・性能基準 ■SOT-223パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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EasyPACK 2B IGBTモジュール
熱伝導材料(TIM)があらかじめ塗布！高い自動化レベルを実現
「EasyPACK 2B IGBTモジュール」は、IGBT4とEmitter-controlled 4ダイオードを搭載している製品です。 「EasyBRIDGE 2200V 整流器モジュール」は、2.2 kV整流 ダイオードを搭載し、Easy 1Bパッケージに収められています。 どちらのモジュールも、熱伝導材料(TIM)があらかじめ塗布されており、 お客様は生産工程でサーマルグリスを扱う必要がなくなり、高い自動化 レベルを実現可能です。 【特長】 ＜EasyPACK 2Bパッケージ＞ ■IGBT4 チップ世代 ■Emitter-controlled 4ダイオード ■1700V、75A ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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IGBTモジュール 1700 V/1200 A
すべてのアプリケーションタイプと出力範囲に同じプラットフォームを使用することで、製品の迅速な市場投入が可能！
IGBT5と.XTを搭載した当製品は、要求されるシステムの可用性と長期耐久性に 加えて、高い信頼性と堅牢性に応えます。 より高い電力密度を可能にし、.XT相互接合技術はサーマルサイクルおよび パワーサイクル能力の向上により寿命を延ばします。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■低インダクタンスの設計向けに最適化 ■動作時の最大ジャンクション温度を拡張 ■Tvjop ＝ 175℃ ■IGBT4に比べて出力電流を25％以上増加 ■銅ボンディング接合による高い通電能力 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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デュアルIGBTモジュール 1200 V/750 A
外付けの電流センサーからの置き換えが可能！システム設計の簡素化、システムコストの削減を実現
当製品は、EconoDUAL3パッケージの新しいTRENCHSTOP IGBT7 モジュールです。 シャント、Emitter Controlled 7ダイオード、NTC、PressFIT コンタクト技術を搭載。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■電流計測用シャント抵抗を内蔵したEconoDUAL 3 ■IGBT4または先進のIGBT7テクノロジーを搭載 ■最大電流750Aまで対応可能(IGBT 7) ■過負荷時のTvjopは最大175℃(TRENCHSTOP IGBT7) ■PressFITコントロールピンとねじ止めパワー端子 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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シングルスイッチIGBTモジュール 4500V/1200A
高効率なシステム設計！過負荷およびフォールトの状態に対する比類のない堅牢性
『シングルスイッチIGBTモジュール 4500V/1200A』は、TRENCHSTOP IGBT4 およびエミッターコントロールダイオード4を標準パッケージ(140×190mm2)に 搭載し、前モデル同様にS7独自の機能の有無が選択できる製品です。 MVD、T＆D、輸送など、産業アプリケーションの現状および将来的な要件に 対応するよう、当社の新しいチップ世代にアップグレードされました。 また、前モデルの“FZ1200R45HL3”とは機械的特性が同じで、電気特性も きわめて近いため、移行が簡単です。 【主な特長】 ■四角形の逆バイアス安全動作領域(RB-SOA) ■高い宇宙放射線耐性(100 FIT @ 2900 V) ■高いTC耐量(30,000 サイクル@ DTc ＝ 80 K)および PC耐量(2百万サイクル@ DTj ＝40 K) ■火災防護規格EN45545-2 R22, R23：HL3取得 ■高い出力実効電流で低い導通損失 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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