IGBTのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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IGBT - メーカー・企業14社の製品一覧とランキング

更新日： 集計期間:2025年07月23日～2025年08月19日
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IGBTのメーカー・企業ランキング

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  1. インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 東京都/電子部品・半導体
  2. 株式会社英知コーポレーション 東京都/商社・卸売り
  3. 旭テック株式会社 大阪府/電子部品・半導体 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
  4. 富士電機産業株式会社 大阪府/その他
  5. ミカサ商事株式会社 大阪府/商社・卸売り
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IGBTの製品ランキング

更新日： 集計期間:2025年07月23日～2025年08月19日
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  1. EconoPIM/EconoPACK2/EconoPACK3 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  2. 【事業紹介】イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売 株式会社英知コーポレーション
  3. IGBTモジュール 『XHP』 旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
  4. EconoDUAL3モジュール『FF300R12ME7_B11』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  5. 4 IGBT インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

IGBTの製品一覧

1～15 件を表示 ／ 全 36 件

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【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧

【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧

バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス

『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21,STA1F(S ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4 ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D ■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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IXYS半導体：IGBT、MOSFET、FRED、SCR、DIODE、絶縁モジュール、ドライバー、DCB基板、高電圧DIODE

IXYS半導体：IGBT、MOSFET、FRED、SCR、DIODE、絶縁モジュール、ドライバー、DCB基板、高電圧DIODE

高速スイッチング素子、高速リカバリー整流素子

1.スイッチング速度が+1秒台 2.整流速度が+1秒台 3.2500VまでのIGBT 4.絶縁放熱型パッケージ 5.45MHz台の高速ドライバー

  • その他半導体

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DYNEX（ダイネックス）社　6500V/400AのIGBTモジュール

DYNEX（ダイネックス）社　6500V/400AのIGBTモジュール

高電圧モジュール

DYNEX社のIGBTモジュールは、大型電流では3600A対応のものまであり、IGBTインバーターのフリーホイル・ダイオードとして使用されるファースト・リカバリ・ダイオード・モジュールも20機種取り揃えている。生産ラインの特長としては単体スイッチのほか、チョッパ、2個入り、半ブリッジ、双方向性（マトリックス型）など多種にわたる上に、機能性でも標準型、トレンチゲート型（低ロス）、ソフトパンチスルー型（高信頼性）の各種を調えている。

  • その他半導体

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【事業紹介】イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売

【事業紹介】イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売

イギリスのパワー半導体メーカー・ダイネックス社(Dynex Semiconductor Ltd)をご紹介

当社では、『イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売』を行っております。 ダイネックス社は、イギリス・リンカーン市に本社をおく、 パワー半導体メーカーです。 チップ製造から組立、検査と全て一貫生産。 バイポーラ製品（ダイオード、FRD、サイリスタ、GTO）をはじめ、IGBTや パワー半導体スタックを扱っております。 【主な製品】 ■IGBTモジュール ■FRDモジュール ■一般整流平型サイリスタ ■GTOサイリスタ（平型） ■シンメトリック バイパス サイリスタ（平型） サイリスタ、ダイオード、GTOなどのバイポーラ製品では、電流で11,000A、電圧で8,500Vまでのハイパワーをカバーする製品ランナップを揃えています。 IGBT、FRDモジュールは、シリコンウェハからパッケージングまで全て社内一貫生産で、6500Vまでの高耐圧クラスをラインナップしています。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体
  • ダイオード

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逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ

逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ

IH設計に必要な既存の電流検出レジスタとともに、独自の電流検出回路を内蔵

Infineon 1350V 保護IGBT Fシリーズ 詳細： 保護IGBT Fシリーズは、IH調理アプリケーション向けに6ピンの TO-247パッケージにRC-H5テクノロジー 1350V, 20A IGBTと 独自の保護ゲートドライバICを組み合わせた製品です。 利点： ■ しきい値を超えてオンする事でボードの複雑さとコストを低減 ■ ボードの複雑さを軽減し、ソリューション全体のコストを削減 ■ ボード上の複雑さとデザインインの手間を軽減 ■ シンプルなBOMとトータルショリューション用コストの削減

  • トランジスタ

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IGBTモジュール GSA75AA120

IGBTモジュール GSA75AA120

GSA75AA120 IGBTモジュール

・小型 高信頼性パッケージ 小型高信頼性のSOT-227標準パッケージ・ヒートシンクへの直接取り付けが可能・絶縁耐圧2500V・RoHS対応 ・優れた高速性能(40~70khz) 高速性能に特化したIGBTチップを採用しIGBTに合わせて最適設計した高速ダイオードを搭載

  • その他電子部品

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AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2

AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2

堅牢な設計！スイッチング損失低減と冷却設計の効率化に貢献する高速動作

『AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2』は、xEV トラクション インバーター用に 設計されたインフィニオン車載用750V EDT2 ディスクリートIGBT、 To247PLUSパッケージです。 並列化により、異なる電力クラスのインバーターを同一製品で対応でき、 電力の拡張性とコストの最適化が可能。 470Vdcシステム対応のベンチマーク品質とスイッチング性能があります。 【特長】 ■コレクターエミッター間耐圧750V ■スムーズなスイッチング特性 ■きわめて低いVCE(sat)、IC(nom)=200Aで1.30V ■高い短絡耐量 ■きわめて緻密なパラメータ分布 ■低ゲート電荷QG ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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CIPOS(TM)Micro IPM IM241シリーズ

CIPOS(TM)Micro IPM IM241シリーズ

低損失および低EMI動作を実現する高速/低速バージョン！NTCによる温度モニター

『CIPOS(TM)Micro IPM IM241シリーズ』は、先端のRCD2 IGBT技術を使用した製品です。 小型パッケージで最大電流6Aを実現し、エアコンの室内機/室外機、ファン、ポンプ、 食器洗浄機や洗濯機の排水ポンプなど、小電力アプリケーションに好適な性能。 「CIPOS(TM)マイクロパッケージ」は、一般的な製品に比べ30％小型で、 プリント基板の省スペース化に貢献するとともに、パッケージ上の ネジ穴により放熱性を向上させています。 【主な特長】 ■モータドライブに適した逆導通IGBT Gen2(RCD2) ■正確な過電流シャットダウン(±5％) ■フォールト出力と外部で設定可能なフォールトクリア ■シュートスルー保護機能付き高度な入力フィルタ ■ワンシングルおよびスリーシャント電流検出用オープンエミッタ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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IGBTモジュール「F3L600R10W4S7F_C22」

IGBTモジュール「F3L600R10W4S7F_C22」

TRENCHSTOP IGBT7および1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載！

当社で取り扱っている「F3L600R10W4S7F_C22」についてご紹介いたします。 内部のANPCトポロジーは、DC1500Vのソーラーストリングインバーターに 好適で、1枚のモジュール構成で最大350kWを実現します。 他のEasyシリーズと同じ高さ12mmのパッケージのため、お客様の設計に 合わせたアップグレードが容易に行えます。また、ケーブルなどの部品が 少なくて済むため、システムコストを削減することができます。 【特長】 ■新しいEasy4Bパッケージ ■ANPCトポロジー ■950V TRENCHSTOP IGBT7と1200V CoolSiC ショットキーダイオード ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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CIPOS Mini IM523シリーズ

CIPOS Mini IM523シリーズ

低中出力プラットフォームに好適な費用対効果の高いソリューション！

当社の新しい600V TRENCHSTOP RC-Drive 2とC5SOIゲートドライバーを 組み込んだ「CIPOS Mini IM523シリーズ」は、低中電力アプリケーション向けに 優れた電力損失と熱性能の両方を達成可能です。 当製品は、600V、6A～17Aの三相インバータ向けのソリューションで、ファン、 ポンプ、空調、MHA、産業用ドライブなど、さまざまな用途に適しています。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■600V TRENCHSTOP RCD2 IGBT技術を使用 ■6Aから17Aまで、さまざまな電流定格をご用意 ■SOI技術による新しいゲートドライバーIC ■DIP 36 x 21パッケージをベースにしたオープンエミッタの 　3相インバータ構成 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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1100V/30A パワーIGBT

1100V/30A パワーIGBT

モノリシックに集積されたTO-247パッケージ！高いシステム信頼性

『1100V/30A パワーIGBT』は、シングルエンド共振トポロジーを使用する 誘導加熱アプリケーションの厳しい要件を満たすよう設計されています。 FE能力が向上し、R3世代の置き換えに適している製品。同製品クラスで 優れた導通損失とスイッチング損失がございます。 ソフトな整流向けに設計された低順方向電圧の強力な モノリシックボディダイオードです。 【特長】 ■ばらつきが非常に小さいパラメータ分布 ■高い堅牢性と安定した温度特性 ■非常に低いVCEsat ■VCEsatの正の温度係数により、容易にパラレルスイッチングが可能 ■低EMIノイズ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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Xiner Semiconductor Technology

Xiner Semiconductor Technology

Xinerは、2013年に設立されました。

Xinerは、2013年に設立され、我々は深セン正源科技、深セン国有資産監督管理委員会、深セン人材革新基金、大陳ベンチャーキャピタル、方光資本、厦門ファルコンと他の有名な機関から共同出資を受けています。IGBTチップ、IGBTドライバチップ、ハイパワーインテリジェントパワーモジュールの開発、応用、販売に力を注いでいます。Xiner に経験豊富で、実用的なチームがあります。主要な人員は10年以上の業界経験を蓄積しており、中国で初めてFST技術に基づくIGBT製品の量産に成功しました。Xinerは上海と深圳に研究開発センターを持ち、深圳、上海、青島、順徳、杭州に営業所を設立して、お客様のニーズに迅速に対応しています。 ザイナーは、アプリケーション指向、研究開発、オープンな協力というビジネス哲学を堅持しています。お客様のアプリケーション要件を深く探求し、IGBT関連製品の研究開発と設計に注力し、業界のベストパートナーと協力して、お客様に最も安定的でコスト効率の高いパワーデバイスを提供しています。

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1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT

1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT

鉄抵抗RthJCの低減は、熱設計の簡素化ができます

『1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT』は、低、中、高速スイッチングの アプリケーションに最適化された新しいGen4IGBTです。 XPT薄型ウェハ技術と第4世代トレンチIGBTプロセスを搭載したこれらの 1200Vデバイスは、ゲート駆動要件と導通損失の低減に貢献します。 また、低い熱抵抗、低損失と高電流密度が特長です。 さらに、コレクターエミッタ電圧の正の温度係数により、複数のデバイスを 並列に使用することができます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 　A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大140Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ■鉄抵抗RthJCの低減により、熱設計の簡略化が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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650V XPT Gen5ディスクリートIGBT

650V XPT Gen5ディスクリートIGBT

低、中、高速スイッチングのアプリケーションに最適化された新しいGen5IGBT

『650V XPT Gen5ディスクリートIGBT』は、独自のXPT薄ウェハ技術と新しい 第5世代トレンチIGBTプロセスを使用して開発された製品です。 熱抵抗が低く、エネルギーの損失が少なく、高速スイッチングが可能で、 テール電流が低く、高い電流密度を持っています。 また、ゲートチャージも低く、ゲート駆動要件を低減するのに役立ちます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 　A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大220Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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【分析事例】低温顕微PL分析によるSi系IGBTチップ断面の評価

【分析事例】低温顕微PL分析によるSi系IGBTチップ断面の評価

断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。 IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層に欠陥（ライフタイムキラー）を作成することによって行われています。断面からの低温顕微PL分析を行うことによって、ライフタイムキラーに関する知見を得ることが可能です。

  • 受託解析

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