バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス
『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21,STA1F(S ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4 ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D ■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【種類】 ■最大電圧 ■コレクタ電流 ■スイッチング速度 ■パッケージングタイプ など ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■可変速駆動装置 ■電力変換器 ■冷蔵庫 ■IH炊飯器 ■UPS ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
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