更新日： 集計期間:2025年04月02日～2025年04月29日
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低、中、高速スイッチングのアプリケーションに最適化された新しいGen5IGBT
『650V XPT Gen5ディスクリートIGBT』は、独自のXPT薄ウェハ技術と新しい 第5世代トレンチIGBTプロセスを使用して開発された製品です。 熱抵抗が低く、エネルギーの損失が少なく、高速スイッチングが可能で、 テール電流が低く、高い電流密度を持っています。 また、ゲートチャージも低く、ゲート駆動要件を低減するのに役立ちます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大220Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
モノリシックに集積されたTO-247パッケージ！高いシステム信頼性
『1100V/30A パワーIGBT』は、シングルエンド共振トポロジーを使用する 誘導加熱アプリケーションの厳しい要件を満たすよう設計されています。 FE能力が向上し、R3世代の置き換えに適している製品。同製品クラスで 優れた導通損失とスイッチング損失がございます。 ソフトな整流向けに設計された低順方向電圧の強力な モノリシックボディダイオードです。 【特長】 ■ばらつきが非常に小さいパラメータ分布 ■高い堅牢性と安定した温度特性 ■非常に低いVCEsat ■VCEsatの正の温度係数により、容易にパラレルスイッチングが可能 ■低EMIノイズ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速スイッチング素子、高速リカバリー整流素子
1.スイッチング速度が+1秒台 2.整流速度が+1秒台 3.2500VまでのIGBT 4.絶縁放熱型パッケージ 5.45MHz台の高速ドライバー
低スイッチング損失！手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供します
SOT-223パッケージ搭載600V TRENCHSTOP『600 V RC-D2』をご紹介します。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術は、幅広い低電力ドライブアプリケーション用に 手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供。 向上した耐湿性をはじめ、20kHzまでの動作範囲、優れた制御性、新価格・ 性能基準といった特長を持つ製品です。 【特長】 ■競争力のある価格で低スイッチング損失 ■コントロール性の向上 ■耐湿性の向上 ■製品の設計が容易：SMDのDPAKおよびSOT-223パッケージへドロップイン交換 ■SOT-223でSMAのインバータ化が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
鉄抵抗RthJCの低減は、熱設計の簡素化ができます
『1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT』は、低、中、高速スイッチングの アプリケーションに最適化された新しいGen4IGBTです。 XPT薄型ウェハ技術と第4世代トレンチIGBTプロセスを搭載したこれらの 1200Vデバイスは、ゲート駆動要件と導通損失の低減に貢献します。 また、低い熱抵抗、低損失と高電流密度が特長です。 さらに、コレクターエミッタ電圧の正の温度係数により、複数のデバイスを 並列に使用することができます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大140Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ■鉄抵抗RthJCの低減により、熱設計の簡略化が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス
『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21 STA1F(S ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4 ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D ■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
IGBT7を搭載！電力密度が高く、スイッチング周波数が向上しているため、冷却を簡素化できます
『EconoPIM／PACK2／PACK3』は、TRENCHSTOP IGBT7チップが搭載された IGBTモジュールです。 過負荷状態での連続運転温度（Tvjop）は最大175℃で、産業用ドライブ アプリケーションに好適。IGBT7は、IGBT4に比べて電力密度が高く、 スイッチング周波数が向上しているため、冷却を簡素化できます。 全体として動作条件を変えることなく、同等以上の製品寿命を実現しています。 【特長】 ■耐圧1200V、定格電流35A～200A ■Econo2、Econo3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■TRENCHSTOP IGBT7チップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
GSA100AA60 IGBTモジュール
・低スイッチング周波数領域での低損失を追求 SanRex社独自の専用IGBTチップ採用により低Vce(sat)を実現(1.12V Typ 125℃) ・小型 高信頼性パッケージ AC/DC TIG溶接機構成例 SOT-227パッケージの他デバイスとの組み合わせにより搭載機器の小型化に貢献
GSA75AA120 IGBTモジュール
・小型 高信頼性パッケージ 小型高信頼性のSOT-227標準パッケージ・ヒートシンクへの直接取り付けが可能・絶縁耐圧2500V・RoHS対応 ・優れた高速性能(40~70khz) 高速性能に特化したIGBTチップを採用しIGBTに合わせて最適設計した高速ダイオードを搭載
高出力アプリケーション向けの新しく柔軟なIGBTプラットフォームです。
Infineon Technologies社の『XHP 3』は、高い信頼性と高電力密度を実現する拡張性の高い設計が可能なモジュールです。 トラクション(電鉄)、CAV、海上輸送、中電圧駆動機器など、要件が厳しい アプリケーションに対して優れたソリューションを提供します。 現在 2つのモデルがあり、それぞれ同じサイズのため、好適な電力変換 コンセプトを組み込むために異なる定格電流や定格電圧を採用しても、 製品設計者は均一なソリューションを構築することができます。 【特長】 ■優れたシステム拡張性 ■シンプルな機械的設計によりデザインインのプロセスを加速 ■損失を低減したクリーンなスイッチング動作 ■絶縁（10kV）に対する要求が高い3レベルアプリケーションに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SOT-223パッケージ搭載！ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向け
当社の「TRENCHSTOP RC-D2 600V パワーIGBT」をご紹介いたします。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術。 低電力ドライブアプリケーション用に手ごろな費用でプラグアンド プレイソリューションを提供します。 【特長】 ■向上した耐湿性 ■高コレクタエミッタ電圧600V、3μS SCWT定格 ■20kHzまでの動作範囲 ■優れた制御性 ■新コスト・性能基準 ■SOT-223パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
絶縁耐圧2500V！高速性能に特化したIGBTを採用したモジュール
『GSA75AA120』は、UL規格対応のIGBTモジュールです。 小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ。高速性能に特化したIGBTを 採用し、IGBTに合わせて好適設計した高速ダイオードを搭載しております。 また、ヒートシンクへの直接取り付けが可能です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■優れた高速性能(40kHz～70kHz) ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ！ヒートシンクへの直接取り付けが可能
当社で取り扱う、IGBTモジュール『GSA100AA60』をご紹介いたします。 当社独自の専用IGBTチップの採用により低Vce(sat)を実現(1.21V Typ 125℃)。 無停電電源装置(UPS)などのバイパスACスイッチや表面処理用正逆反転パルス 電源などへの用途に好適です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低スイッチング周波数領域での低損失を追求 ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高電力密度製品のラインアップ拡張！クラス最高レベルの低い導通損失
当社で取り扱う「デュアルIGBTモジュール 1200V/1600A」について、 ご紹介いたします。 TRENCHSTOP IGBT7技術を搭載したドライブおよびCAVアプリケーションが ターゲット。 PrimePACK2 1600Aは、同一パッケージで電流出力が77％向上し、 PrimePACK3よりもフレームサイズを縮小できます。 【特長】 ■先進TRENCHSTOP IGBT7チップ技術 ■スイッチング周波数1kHz～2.5kHzでクラス最高レベル ■パッケージ絶縁VISOL 4kV ■高い耐湿性と耐硫化水素(H2S) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
