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IGBT(高速スイッチング) - 企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年04月02日~2025年04月29日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

製品一覧

1~6 件を表示 / 全 6 件

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IXYS半導体:IGBT、MOSFET、FRED、SCR、DIODE、絶縁モジュール、ドライバー、DCB基板、高電圧DIODE

高速スイッチング素子、高速リカバリー整流素子

1.スイッチング速度が+1秒台 2.整流速度が+1秒台 3.2500VまでのIGBT 4.絶縁放熱型パッケージ 5.45MHz台の高速ドライバー

  • その他半導体

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650V XPT Gen5ディスクリートIGBT

低、中、高速スイッチングのアプリケーションに最適化された新しいGen5IGBT

『650V XPT Gen5ディスクリートIGBT』は、独自のXPT薄ウェハ技術と新しい 第5世代トレンチIGBTプロセスを使用して開発された製品です。 熱抵抗が低く、エネルギーの損失が少なく、高速スイッチングが可能で、 テール電流が低く、高い電流密度を持っています。 また、ゲートチャージも低く、ゲート駆動要件を低減するのに役立ちます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、  A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC=110℃において最大220Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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IGBTモジュール GSA75AA120

GSA75AA120 IGBTモジュール

・小型 高信頼性パッケージ 小型高信頼性のSOT-227標準パッケージ・ヒートシンクへの直接取り付けが可能・絶縁耐圧2500V・RoHS対応 ・優れた高速性能(40~70khz) 高速性能に特化したIGBTチップを採用しIGBTに合わせて最適設計した高速ダイオードを搭載

  • その他電子部品

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1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT

鉄抵抗RthJCの低減は、熱設計の簡素化ができます

『1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT』は、低、中、高速スイッチングの アプリケーションに最適化された新しいGen4IGBTです。 XPT薄型ウェハ技術と第4世代トレンチIGBTプロセスを搭載したこれらの 1200Vデバイスは、ゲート駆動要件と導通損失の低減に貢献します。 また、低い熱抵抗、低損失と高電流密度が特長です。 さらに、コレクターエミッタ電圧の正の温度係数により、複数のデバイスを 並列に使用することができます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、  A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC=110℃において最大140Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ■鉄抵抗RthJCの低減により、熱設計の簡略化が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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【ディスクリート】IGBT ラインアップ一覧

バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗!半導体に電圧を印加する3端子デバイス

『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21 STA1F(S ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4 ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D ■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • トランジスタ

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IGBTモジュール『GSA75AA120』

絶縁耐圧2500V!高速性能に特化したIGBTを採用したモジュール

『GSA75AA120』は、UL規格対応のIGBTモジュールです。 小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ。高速性能に特化したIGBTを 採用し、IGBTに合わせて好適設計した高速ダイオードを搭載しております。 また、ヒートシンクへの直接取り付けが可能です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■優れた高速性能(40kHz~70kHz) ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

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