｜半導体レーザ｜半導体レーザ素子｜LD｜LD素子｜LDモジュール
波長375～2000 nmの範囲で最高出力数 KWまでの半導体レーザ(レーザーダイオード、LD)ディバイスを取り揃えています。
半導体レーザ（LD)は半導体に電流を流し、レーザ発振させる素子です。 発光の仕組みは発光ダイオード（LED）と同様発光はｐｎ接合の順方向に電流を流すこで光が生じます。順方向とはｐ側がプラス、ｎ側がマイナスになるように電源を繋ぐとｎ側から電子、ｐ側から正孔が流れ込み、接合部分で両者が衝突、電子が正孔に向かって落ち込むときに光が生じます。 LDの構造は、活性層（発光層）をn 型とp型のクラッド層で挟んだ構造がｎ型基板上に作られ、電極から電流を流せます。活性層の端面はミラー機能をはたし光が反射するようになっています。順方向に電圧をかけると ｎ型クラッド層から電子が、p型クラッド層からホールが活性層に流入し、活性層内で再結合して光を生み出します。この光はまだレーザ光では無く、クラッド層の屈折率が活性層より低いので光は活性層に閉じこめられ、また、活性層の両端面がミラーの役目をするので光は活性層内で増幅されながら往復して誘導放出（位相の揃った強い光が発生する現象）を生じてレーザ光が生まれます。活性層内を光が往復して誘導放出が起こるかどうかがLEDとの違いで、LEDの場合は発光した光がそのまま外部に放出されます。
- 企業：株式会社ＹＨＴＣ
- 価格：50万円 ~ 100万円
