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アプリケーション要件に応じて特定の価値提案を提供！力の違いを体験してください
『CoolMOS SJ MOSFET』製品は、伝導損失、スイッチング損失、 駆動損失の点で優れた性能指数を誇ります。 非常に効率的でコンパクトなシステム設計が可能になり、より優れた性能の 製品に対する将来の需要に対応できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハードおよびソフトスイッチング、SMPSトポロジで活用可能
『CoolMOS SJ MOSFET』の利点をご紹介いたします。 ハードスイッチングでは、力率改善回路に使用可能。また、 ソフトスイッチングでは、ZVS位相シルトフルブリッジや LLCハーフブリッジに好適です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
幅広い用途に対応する豊富な製品ラインアップ！複数の販売パートナーで利用可能
「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに 対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の 両スイッチング周波数に適しています。 この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な 選択肢を提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
グリーンで効率的なエネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現！
『SiC MOSFET 2000 V』は、O-247PLUS-4-HCCパッケージ 12～100mΩのラインアップで提供しています。 10～80Aのダイオード製品と組み合わせることで、過酷な高電圧および 高スイッチング周波数条件下でもシステムの信頼性を損なうことなく 電力密度を向上させるよう設計されています。 CoolSiC技術の低い電力損失は、2000V用に最適化されたパッケージの .XT相互接合技術によって信頼性を向上させ、グリーンで効率的な エネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現します。 【特長】 ■VDSS ＝ 2000V：DCリンク1500Vまでのシステム用 ■きわめて低いスイッチング損失 ■革新的なHDCパッケージ ■沿面距離 14mm ■空間距離 5.4mm ■業界標準となるゲート閾値電圧：VGS(th) ＝ 4.5V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
家電製品や低電力産業用モーター制御のような低電力システムにおける高効率設計にも好適！
TOLL(HSOF-8)パッケージの当製品は、インフィニオンのCoolSiC技術の 長所を活用しています。 TOリードレス(TOLL)パッケージの小型フォームファクタと低寄生 インダクタンスにより、PCB面積を効率的かつ効果的に利用できるようになり、 MOSFETの高い周波数での駆動や、高電力密度を実現します。 D2PAKパッケージに比べて熱インピーダンスが低減され、革新的な .XT相互接続技術とともに、高～中電力システムに適しており、 価格性能比を最適化します。 【特長】 ■業界標準パッケージ - JEDEC産業用アプリケーション認定 (J-STD20 および JESD22) ■小型サイズ ■熱インピーダンスの低減 ■.XT相互接続 ■低寄生インダクタンス ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
先端パワー技術OptiMOS 7 80Vを用いたMOSFET製品を発売します！
本製品は、汎用性、堅牢性に優れた高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2) での提供です。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 また、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■高いアバランシェ耐量 ■高い(安全動作領域(SOA))耐久性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、基板上の電源部を少なくとも50％縮小することが可能！
『スケーラブルパワーブロック』は、インフィニオンのパッケージ イノベーションであり、ローサイドとハイサイドの両方のMOSFETを、 さまざまなアプリケーションを対象としたコンパクトなリードレスSMD (6.3 x 6.0 mm2)パッケージに搭載しています。 リード製品には、先進のOptiMOS 6 40 VおよびOptiMOS 5 100 Vシリコン 技術があり、コンパクトな実装面積で優れた性能を発揮。 2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、お客様は基板上の 電源部を少なくとも50％縮小することができます。 【主な特長】 ■高いチップ/パッケージ比 ■最適化されたリードフレームとCuクリップ設計 ■ローサイドとハイサイドを内部接続 ■両面放熱 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Vgs(th)のばらつきを抑え、並列接続能力を向上させることにより、スケーリングが容易になり、電力出力が向上！
『OptiMOS 6 135 V』は、小型電気自動車(LEV)、電子フォークリフト、 電動工具、園芸工具などの高出力モーター制御アプリケーションや、 主に72 Vや84 Vのバッテリーを使用するUPSを対象にしています。 本製品ファミリーは、120 Vと150 VのMOSFET間のギャップを効果的に埋め、 低いRDS(on)で高性能を実現し、効率的な電力処理、電力損失の低減を 実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■Vgs(th)のばらつきが少ない ■きわめて低い逆回復電流(Qrr) ■幅広いパッケージラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現！
新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42％低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89％低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です！
新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
補助電源アプリケーション向けの高い効率！優れた放熱性、低い熱抵抗
『MOSFETパワーディスクリート 1700V』は、ソーラーインバーター、 EV充電器、UPS、一般的なモーター制御など、高効率レベルのシングル エンドフライバック補助電源アプリケーションに適しています。 主な特長には、フライバックコントローラーを使った直接駆動、 ゲートドライバーICが不要、低損失な高電圧遮断、優れた熱性能を実現する .XT相互接合技術、信頼性を高める長い沿面距離と空間距離のパッケージ などが挙げられます。 【主な特長】 ■フライバックトポロジー向けに最適化 ■きわめて低いスイッチング損失 ■12V/0Vゲートソース電圧 ■フライバックコントローラーと互換性あり ■ゲート閾値、VGS(th)＝4.5V ■.XT接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
優れたスイッチング性能！5×6mmのパッケージで最高レベルの電力密度です
『車載用 Nチャンネル パワーMOFFET 100V』は、汎用性、堅牢性に優れた 高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2)で提供いたします。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 “IAUCN10S7N021"は、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品。 最高クラスの従来品からRDS(on)を47％低減し、業界最小クラスのRDS(on)と FOM(RDS(on)×Qg)を実現しました。 【主な特長】 ■前世代品よりRDS(on)が47％低減 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■前世代品より75％高いID電流 ■高いアバランシェ耐量 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
強化された保護機能！正確で迅速な長期モニタリングが可能です
『産業＆車載用温度センサー搭載 Nチャンネル パワーMOSFET』は、 接合部温度の検出精度と堅牢性を高めるとともに、容易な実装と 機能安全を実現する製品です。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSのライン 整流などの産業用アプリケーションや、バッテリーディスコネクト、 eFuse、オンボードチャージャーなどの車載アプリケーションに好適。 また、温度センサーにより、CoolMOS S7の機能が強化され、パワー トランジスタを最大限に活用できます。 【主な特長】 ■最適化された価格性能比 ■低周波スイッチングに好適 ■寄生ソースインダクタンスを低減 ■シームレスな診断 ■正確で迅速な長期モニタリング ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高い信頼性および堅牢性！バッテリー管理システム(BMS)に適しています
『Nチャンネル パワーMOSFET 40 V』は、OptiMOS 7トレンチ技術を 採用した製品です。 既存のOptiMOS 6 40 V製品に比べ、RDS(on)は40％低減されており、 SuperSO8パッケージを使用することで、DirectFET(L)ソリューションに 比べてPCB面積を50％削減し、並列化の必要性をなくします。 RDS(on)を大幅に低減しているので、BMSアプリケーションにとって大きな 利点となります。これにより電力密度の向上、システム効率の改善、システム コストの削減を容易に実現します。 【主な特長】 ■最高クラスのSuperSO8パッケージ40VパワーMOSFET ■優れたRDS(on) ■業界標準のフットプリント ■広い安全動作領域(SOA) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
温度に依存しないターンオフスイッチング損失！自動車業界の高い要求条件に合わせて設計
車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能に関する自動車業界の 高い要求条件に合わせて設計されています。 電力密度の向上、高周波化を実現し、冷却処理を減らすことが可能です。 【特長】 ■革新的な半導体素材：シリコンカーバイド（SiC） ■きわめて低いスイッチング損失 ■閾値なしの定常特性 ■IGBT互換の駆動電圧（15Vでターンオン） ■0Vターンオフゲート電圧 ■ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS（th）=4.5 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
