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低ゲート、低出力、低逆回復電荷！優れた温度特性でUSB-PDや急速充電器の設計に好適です
『OptiMOS PD』は、MOSFETの新たな製品ラインアップです。 USB-PDや急速充電器の設計に好適。短いリードタイムと 迅速な見積もり回答でお客様をサポートします。 低ゲート、低出力、低逆回復電荷で優れた温度特性を持ち、 2種類の小型標準パッケージを用意しております。 【特長】 ■ロジックレベルの可用性 ■低いオン抵抗RDS（on） ■低ゲート、低出力、低逆回復電荷 ■優れた温度特性 ■2種類の小型標準パッケージを用意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
非常にコンパクトなデザインを実現！小型電気自動車、eスクーター等のアプリケーションに好適
インフィニオンは、150VのOptiMOS 5パワーMOSFETの製品ラインアップを TO-Leadlessパッケージを採用した製品に拡大しています。 大電流設計、高電力密度、低EMIが可能。小型電気自動車、eスクーター、 ホットスワップ、バッテリー管理システムなどのアプリケーションに好適。 接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少します。 【特長】 ■最大300Aまでの高電流に対応 ■接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少 ■非常に低いパッケージ寄生容量 ■リードレスパッケージ ■並列接続数や冷却の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗！最大55Aまでの高連続電流対応
『OptiMOS 5 MOSFET 25V/30V』は、高性能アプリケーション向けに最適化された 製品です。 小型な外形、オン抵抗〔RDS(on)〕、スイッチング性能において、素晴らしい 新基準を打ち立てました。 PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗。基板の配線設計の自由度が 高い小型パッケージです。 【特長】 ■高性能アプリケーション向けに最適化 ■高い効率と電力密度を実現するために最適化済み ■大幅な省スペース化を実現 ■システムコスト削減 ■きわめて低い電圧オーバーシュート ■並列化の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ThinPAK 5x6パッケージに搭載！幅の広い製品ラインアップから適切な製品を選択可能
700Vおよび800Vの『CoolMOS P7』パワーMOSFET製品ファミリーは、 フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション向けに 開発されています。 保護用ツェナーダイオード内蔵。磁性体サイズ及びBOMコストの削減が 可能なほか、HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現しています。 また、小型で高い電力密度の設計が可能で、幅の広い製品ラインアップから 適切な製品をお選びいただけます。 【特長】 ■コスト競争力のある技術 ■スイッチング速度の高速化による効率性の向上 ■磁性体サイズ及びBOMコストの削減が可能 ■HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現 ■駆動しやすく、優れたデザイン性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の効率化を実現
当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の 薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能と システム全体の効率化が可能です。 【特長】 ■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格 ■リンギング及び電圧オーバーシュート ■D2PAK 7ピン パッケージに比べて、ボードサイズを60％低減 ■ガルウィングリード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
先端パワー技術OptiMOS 7 80Vを用いたMOSFET製品を発売します！
本製品は、汎用性、堅牢性に優れた高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2) での提供です。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 また、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■高いアバランシェ耐量 ■高い(安全動作領域(SOA))耐久性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
業界標準のSuperSO8パッケージで、4.5Vで非常に低いRDS(on)とQgが特長！
当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの新しい車載用MOSFETテクノロジー！
当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25％向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(＝RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電力密度の向上に役立ちます！対象アプリケーションに完璧に適合
当社の「CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6」をご紹介いたします。 アダプターと充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメーター、AUX、 産業用電源などのフライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション 向けに開発。 5×6mm2という非常に小さなフットプリントと、高さ1mmという非常に低い プロファイルが特長です。 【特長】 ■高性能技術 ・低いスイッチング損失(Eoss) ・高効率 ・優れた温度特性 ■高速スイッチングが可能 ■保護用ツェナーダイオード内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
同クラスで最も低いRDS(on)とWide SOAを備えたマーケットリーダー！
インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
