SiCインゴット
SiC、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon carbide
昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工(Wafering)と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、単結晶SiCウェーハとなります。
- 企業:株式会社豊港 半導体材料事業部
- 価格:応相談
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SiC、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon carbide
昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工(Wafering)と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、単結晶SiCウェーハとなります。
エッチング装置用シリコンインゴット、シリコンインゴット、エッチング用
高品質な単結晶・多結晶シリコンインゴットをはじめ、半導体製造装置向けの最先端のパーツ加工品を供給していま す。
シリコンインゴット、インゴット
製品説明 CZ法(チョクラルスキー法)と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。 主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使われ、極めて重要な消耗材料です。弊社がお客様の要求に応じて、各種のサイズと抵抗率のシリコンインゴット製品を提供できます。
インゴット、シリコンインゴット、silicon ingot、ingot
CZ法(チョクラルスキー法)と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。 主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使われ、極めて重要な消耗材料です。弊社がお客様の要求に応じて、各種のサイズと抵抗率のシリコンインゴット製品を提供できます。