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数多くのアナログ分離のアプリケーションで卓越したソリューションを提供します
『HCNR201』は、高リニアリティ・アナログ・フォトカプラです。 2つの特性がそろったフォトダイオードと、これらの光源として使用する 高パフォーマンスAlGaAs LEDで構成。 優れた線形特性と安定したゲインを実現します。 また、柔軟性にも優れているので、アプリケーション回路の設計に応じて、 ユニポーラ/バイポーラ、AC/DC、反転/非反転形式など、 さまざまなモードで動作することができます。 【特長】 ■低非線形：0.01% ■K3（IPD2/IPD1）伝達ゲイン：/-5% ■伝達ゲイン温度係数：-65ppm/°C ■広帯域：DC ～ 1MHz ■柔軟な回路設計 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最大定格1200V/100AのMOSFETおよびIGBTを直接駆動することが可能
『ACPL-W349-000E』は、AlGaAs LEDを内蔵し、パワー出力段を有する 集積回路に光結合する2.5A出力高速ゲート駆動フォトカプラ・デバイスです。 このデバイスは、電力変換アプリケーションで使用されます。 パワー段の広い動作電圧範囲は、ゲート制御素子に必要な駆動電圧を提供します。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：2.5A ■広い動作電圧Vcc範囲：15～30V ■最大伝達遅延110ns ■最大伝達遅延差50ns ■レール・ツー・レール出力電圧 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
モータ制御インバータで使用されるIGBTやパワーMOSFETの駆動に理想的！
『ACNW3430』は、パワー出力段を備え集積回路に光結合された LEDを内蔵しているゲート駆動用フォトカプラです。 100kV/μsの雑音耐性を備え、雑音が多い産業環境での誤駆動を防止。 出力電圧および高ピーク出力電流により、IGBTの直接駆動に理想的です。 また、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5における最大動作絶縁電圧 VIORM=1414 Vpeakを備えています。 【特長】 ■ピーク出力電流5.0A(最大) ■レール・ツー・レール出力電圧 ■負電源使用時VE を基準とするUVLO ■最大伝達遅延時間150ns ■最大伝達遅延時間差90ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
国際安全規格の認定を取得！2.5A IGBTゲート駆動用フォトカプラ
『ACNV3130-000E』は、AlGaAs技術を採用したLEDと、それに光学的に 結合する集積回路で構成されたIGBTゲート駆動用フォトカプラです。 2.5Aの最大ピーク出力電流を得ることができる出力段を備える、 最大定格が1700V/100AまでのIGBTを駆動することが可能。 UL規格とIEC 60747-5-5規格の認証取得に必要な7.5kV RMSの入出力間 絶縁電圧V ISOと2262V PEAKの動作絶縁耐圧V IORMを達成しています。 【特長】 ■2.5Aの最大ピーク出力電流 ■最大で500nsの伝搬遅延 ■伝搬遅延の誤差は最大でも350ns ■優れたCMR（同相信号除去）性能：同相電圧V CM = 1500Vにおいて40kVμs ■電源電流I CCは最大でも5.0mA ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
正/負電源用のヒステリシス付きアンダーボルテージロックアウト保護
『ACPL-339J-000E』は、高性能な1Aピークデュアル出力のIGBTおよび パワーMOSFETゲート駆動用フォトカプラです。 様々な定格電流のMOSFETバッファに対応。素子の変更に伴う重要な回路絶縁と 短絡防止の設計変更は、低電力定位から高電力定位までのモータ制御および 電力変換アプリケーションのゲート駆動設計の拡張性を最大化することができます。 【特長】 ■外部NMOSおよびPMOSバッファを駆動するデュアル出力 ■最小ピーク出力電流1.0A ■MOSFETバッファでの上下短絡を防ぐアクティビティ・タイミング制御 ■IGBT非飽和（DESAT）検出 ■光学的に分離されたDESATおよびUVLOフォルト・フィードバック ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
海外安全規格対応！ヒステリシス付きLED電流入力
『ACPL-W346-000E』は、AlGaAs LEDを内蔵し、パワー出力段を有する 集積回路と光学的に結合された2.5Aピーク電流出力の 高速ゲート駆動用フォトカプラです。 パワー段の広い動作電圧範囲は、ゲート制御素子に必要な駆動電圧を提供。 電圧および高ピーク出力電流は、MOSFETを高速のスイッチング周波数で 直接駆動して変換効率を高めるのに理想的です。 【特長】 ■最大ピーク出力電流2.5A ■最小ピーク出力電流2.0A ■レールtoレール出力 ■最大伝達遅延120ns ■最大伝達遅延差50ns ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
立ち上がり、立ち下り時間を広い負荷容量範囲で制御することが可能です
『ACPL-x6xLシリーズ』は、AlGaAs LEDと高ゲイン受光ICで構成された 超低電力10MBdデジタルCMOSフォトカプラです。 3.3V/5Vの電源電圧に対応し、わずか1.6mAの入力電流で動作可能。 マイコンの出力によるフォトカプラの直接駆動が可能です。 CMOS/TTLの互換性を確保し、ACおよびDC回路の最大絶縁を提供。 高速ロジック・インターフェイス用途に適しています。 【特長】 ■低消費電流：1.3mA/チャンネルIdd2電流 ■低入力電流：1.6mA ■内蔵スルーレート制御出力 ■VCM = 20kV/μs@ 1,000V同相除去（CMR） ■高速：10MBd ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
出力ピーク電流10A。ノイズが多い環境での高速スイッチングを実現。※参照設計図付き解説資料を進呈
『ACFL-3161』は、出力ピーク電流が10Aのゲート駆動フォトカプラです。 モーターやインバーターなど、高い絶縁性能が求められ、 搭載スペースに制約のある産業用アプリケーションで活躍します。 100kV/μsを超えるコモンモード過渡耐性(CMTI)を備えており、 ノイズの多い環境でのゲート駆動の誤動作を防止。 さらに、伝搬遅延は95ns未満のため高速スイッチングが可能になり、 IGBTおよびSiC/GaN MOSFETの駆動効率の向上に貢献します。 【特長】 ■単一チャンネルSO-12パッケージ、沿面・空間絶縁距離は約8mm ■材料クラスIで、CTI≧600V対応 ■立ち上がり・立ち下がり時間7ns(typ)を実現可能 ■バス・鉄道車両等での採用実績が多数 ※評価ボードの提供が可能です。詳しくはお気軽にお問い合せください。 ※AEC-Q100 グレード1準拠の車載製品(ACFL-3161T)のリリースも予定しています。 ★下記ダウンロードボタンより、参照設計図も付いた 「SiC/GaNゲート駆動フォトカプラ」の解説資料(英語)をご覧いただけます。
