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ドライバ×インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 - メーカー・企業と製品の一覧

ドライバの製品一覧

1～10 件を表示 ／ 全 10 件

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AC/DC LEDドライバー『ICL88xxファミリー』

AC/DC LEDドライバー『ICL88xxファミリー』

ライティング機能を搭載！バーストモードとジッター機能を備えたフル機能バージョン

『ICL88xxファミリー』は、LED照明アプリケーション向け設計されており、 要求される性能をコスト効率よく満たすことができるAC/DC LEDドライバーです。 全負荷時および低負荷時の力率改善と低全高調波歪みという点で、高水準の 性能を実現。包括的な一連の保護機能とボトムアップ設計により、設計は容易で、 必要な外付け部品の数も最小限で済みます。 当製品は、二次側安定化 (SSR) 動作の定電圧 (CV) 出力フライバック コントローラーとして好適ですが、一次側安定化 (PSR) にも適しています。 【特長】 ■SSR CV出力フライバック動作に最適化されており、PSRにも好適 ■広い負荷範囲でPF > 0.9、THD < 10% (277 VrmsまでのAC入力) ■スマートバレーホッピングによる臨界伝導モード (CCM) と準共振モード (QRM) ■バーストモード (BM) による低待機電力 (100mW以下) の確保 ■ジッター機能搭載 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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MC-ISAR eモータードライバー

MC-ISAR eモータードライバー

より高い精度、より安全な実行、およびモータ制御の効率の向上を可能にします！

『MC-ISAR eモータードライバー』は、電流およびトルク制御の共通 機能を収集し、モーター駆動アプリケーションへ完璧なソリューション として機能する製品です。 位置と速度の制御は、アプリケーション固有のベースで実現可能。 複数の位置取得モードをサポートし、様々な顧客のニーズを満たします。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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ハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED2410-EM

ハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED2410-EM

バックトゥバックMOSFETトポロジー(ドレイン共通、ソース共通)対応！

「EiceDRIVER APD 2ED2410-EM」は、ロジックピンによる2出力制御や、 統合されたI-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネル MOSFETゲートドライバーであり、新しい自動車電源アーキテクチャ向けに 設計されています。 昇圧コンバータの効率により、アイドル時や通常時の消費電流は μAオーダーとなり、駐車中(キーオフモード)に負荷を供給する 必要がある場合に有用です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力(3Ωプルダウン、50Ωプルアップ) 　により、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス 　(外部でゲイン調整可能) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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NチャネルMOSFETゲートドライバー『2ED4820-EM』

NチャネルMOSFETゲートドライバー『2ED4820-EM』

車載用電源分配アプリケーション向け！外付けMOSFET、負荷、および電源の保護を実現

『2ED4820-EM』は、SPIで制御される2出力のスマートハイサイドNチャネル MOSFETゲートドライバーです。 ドライバーのターンオンおよびターンオフの性能が強化されているため、 MOSFETの数を簡単に増やすことが可能。高速スイッチオン/オフ能力を 確保しながら、数百アンペア単位の大電流を制御することができます。 また、内蔵の電流センスアンプは、ハイサイドおよびローサイドの電流測定に 対応し、専用のモニター出力を備えています。 【特長】 ■幅広い動作電圧範囲：20V～70V ■2つの独立したハイサイドゲートドライバ出力(1Aプルダウン、 　0.3Aプルアップ)による高速スイッチオフ/オン ■電流検出 ■SPIによるデバイスの制御、設定、および診断 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 専用IC

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MOSFETゲートドライバー『2ED2410-EM』

MOSFETゲートドライバー『2ED2410-EM』

高速スイッチオフ/オンが可能！車載用12V/24Vスマートアナログハイサイド

『2ED2410-EM』は、ロジックピンによる2出力制御や、統合された I-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネルMOSFET ゲートドライバーです。 新しい自動車電源アーキテクチャ向けに設計。 また、昇圧コンバータを内蔵しているため、電源電圧が3Vまで 低下した場合でも外付けMOSFETを連続的にオンさせ、 動作させることが可能です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力で、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス ■端子によるチャンネル制御/診断 ■外部温度測定用アナログインターフェイス ■ゲート低電圧ロックアウト(UVLO) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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ゲートドライバー「EiceDRIVER 1EDN71x6U」

ゲートドライバー「EiceDRIVER 1EDN71x6U」

小型パッケージ！4種類の駆動能力、スプリアススイッチングに対する耐性

「EiceDRIVER 1EDN71x6U」は、インフィニオンCoolGaNショットキーゲート (SG)HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された 1チャネルゲートドライバーICです。 このゲートドライバーファミリーは、Truly differential logic input(TDI)、 4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧 クランプなど、高速スイッチングトランジスタを用いた高性能システム設計を 可能にするいくつかの主要な機能を備えています。 【特長】 ■Truly differential input (TDI) ■4レベルの駆動能力オプション ■アクティブ ミラークランプ ■ブートストラップ電圧クランピング ■GaNに最適化された超低インダクタンスフリップチップパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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車載用ゲートドライバー

車載用ゲートドライバー

電源構成が最適化！パワーデバイスの導通損失を低減します

電気的に絶縁された『EiceDRIVER 1EDI305xAS』製品は、最大1200Vの IGBTおよびSiCのパワーデバイス向けに最適化された、車載認定のシングル チャネル高耐圧ゲートドライバーICです。 EiceDRIVER 1EDI305xAS製品はISO 26262準拠で、システムレベルでASIL-Dの 対応が可能。 内蔵SPI機能により幅広いプラットフォームの開発を可能とし、 内蔵された高精度フライバックコントローラーにより電源構成が 最適化され、パワーデバイスの導通損失を低減します。 【特長】 ■内蔵フライバックコントローラー(2％ acc.) ■SPI内蔵、高出力駆動段(最大20Aピーク)、12ビットADC ■6.8kV強化絶縁(DIN VDE) ■冗長化されたDESATおよびOCP保護、パワーデバイスのゲートおよび 　ドライバーの出力段の監視 ■ISO 26262 SEooC ASIL Bまでの機能安全対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 専用IC
  • 半導体・IC

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BLDCモーター用ゲートドライバー MOTIX TLE9140

BLDCモーター用ゲートドライバー MOTIX TLE9140

包括的な保護機能および診断機能！デバイスの状態をアクティブに監視し、システムを損傷から保護

『MOTIX TLE9140EQW』は、8Vから72V電源のさまざまなアプリケーションを 対象とした3相モーターゲートドライバーです。 内蔵のアダプティブMOSFET制御機能は、EME(電磁放射)の改善と電力損失の 低減に役立つだけでなく、アプリケーションに必要な外部部品数を低減できます。 また、最大ジャンクション温度175℃で、厳しいミッションプロファイルにも 対応可能です。 【特長】 ■高耐圧/最大110V ■ゲート駆動能力：～230nC/MOSFET最大20kHz ■ゲートドライバーに内蔵されたアダプティブMOSFET制御機能 ■VSM OV中はアクティブLSフリーホイール状態 ■包括的な保護および診断機能 ■小型パッケージTS-DSO-32(8.65×3.9mm2) ■車載グレード0デバイスおよびASIL B準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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MOTIX BTN9970LV ドライバー

MOTIX BTN9970LV ドライバー

過熱、低電圧、過電流、短絡に対する保護機能を備えたドライバーICを内蔵！

当社の「MOTIX BTN9970LV ドライバー」をご紹介いたします。 1つのパッケージにpチャンネルのハイサイドMOSFETとnチャンネルの ローサイドMOSFETを1つずつと、ドライバーICを搭載。 pチャネルのハイサイドスイッチによりチャージポンプが不要となり、 EMIを最小限に抑えることができます。 【特長】 ■AEC-Q100/Q006準拠(グレード1) ■電源電圧範囲：8V～18V(最大40V) ■低消費電流：最大3.3μA@85℃ ■過電流検出レベル60A min ■保護機能：過電流保護、低電圧検出、過熱保護 ■放射ノイズを最適化する8種類の選択可能な出力スルーレート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • キャプチャI8-2.PNG
  • その他電子部品

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フルブリッジトランスドライバー※IGBT、GaN、SiCゲート用

フルブリッジトランスドライバー※IGBT、GaN、SiCゲート用

周波数とデューティサイクルによる調整可能なIGBT、GaN、SiCゲートドライバー電源用フルブリッジ トランス ドライバー！

20V/5W　フルブリッジトランスドライバー「2EP1xxR」は、 コンパクトなTSSOP 8ピンパッケージに搭載されたフルブリッジ トランス ドライバーICの製品ファミリーで、 絶縁ゲートドライバーに供給する正負電源を生成することが可能な製品です。 独自のデューティサイクル設定機能によりゲートドライバー向け正負電源に最適化されています。 【特長】 ■加熱、短絡、低電圧ロックアウト (UVLO) に対する統合保護機能を搭載 ■絶縁ゲートドライバー電源 ■最大20 Vまでの広い電源電圧範囲 ■周波数設定: 50 kHz～695 kHz ■デューティサイクル設定: 10%～50% ※詳細はPDFをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。

  • トランス

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