MPP マニュアルワイヤボンダ iBond 5000シリーズ
MPPは創業以来４０年以上の経験とノウハウがあり、２０ヶ国４００社を超える御客様製品を供給しております。
iBond5000は高度なグラフィックユーザーインターフェースを有し、過去10年以上、市場を牽引してきた実績を持つK＆S4500シリーズをベースとしたデザインのボンダです。
- 企業：兼松ＰＷＳ株式会社
- 価格：応相談
ボンダ×兼松ＰＷＳ株式会社 - 企業1社の製品一覧
製品一覧
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ASMPT社製 フリップチップボンダー/ダイボンダー CoS
CoS (Chip on Submount )は高精度ダイ/フリップチップボンダーです。
CoS アライメント精度：±3µm@3σ アプリケーション：レーザーアプリケーションが主 同社製品では、レーザー加熱を採用しており、パルスヒータと比べ 高速に加熱実装が可能となります。 サイクルタイム：5～15 sec/chip 接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応 〇その他ダイボンダー/フリップチップボンダー装置 アライメント精度 NANO ±0.3µm @ 3σ AFCplus ±1μm@3σ Nova + ±2.5μm@3σ 〇その他ASMPT製取扱い装置 ・マルチレーザーダイシング装置 ・ワイヤーボンダー装置 ・２次元、３次元パッケージ外観検査装置 ・その他ダイボンダー装置（アライメント精度0.2µm～25µm） 〇ASMPT装置導入実績（国内、国外トータル）： 年間2000台 ダイボンダー、年間4000台ワイヤーボンダー
- 企業：兼松ＰＷＳ株式会社
- 価格：応相談
ASMPT社製超高精度フリップチップボンダー『NANO Pro』
アライメント精度±0.2μmを実現。光通信関係、シリコンフォトニクス関連を中心に導入実績豊富
『NANO Pro』は、ASMPT社の特許取得済みのアライメント技術を用いて、 個片化されたチップを±0.2μmの超高精度で ウエハ、サブストレート、チップに接合できるボンディング装置です。 レーザー接合を採用し、ボンディング時に局所加熱と高速温度プロファイルを実現。 ボンディング時の振動や装置外からの振動を抑制する機構も搭載しています。 【装置主要仕様】 ■アライメント精度：±0.2μm@3σ ■サイクルタイム：18秒（材料により変動） ■ダイサイズ：0.1mm to 25mm ■サブストレートサイズ：MAX 300×300mm ■ボンディングフォース（荷重）：3g up to 2000g ■接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 【採用実績】 ■光通信関係 ■シリコンフォトニクス関連 ■R&D向けや量産工場 ■MEMSセンサー、LiDAR、VCSELなど ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：兼松ＰＷＳ株式会社
- 価格：応相談
ASMPT製 AD838L-G2 エポキシダイボンダー
AD838L-G2は、LED関係で非常に実績が多いエポキシダイボンダーです
AD838L-G2は、個片化されたチップをサブストレートに高速でボンディング可能な装置です。 マルチダイにも対応しており、充実したInspection機能を搭載しております。 【装置特徴】 ・アライメント精度：±10µm @ 3σ ・約0.25秒/chipと高速ボンディングが可能 ・様々な薄いチップを容易にピックアップ可能な機能搭載 ・デュアルディスペンス機能搭載（様々なダイサイズに応じてのドットやライティングに対応） ・ボンディング前後の充実したInspection機能搭載 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±10µm @ 3σ ・UPH：14 000（約0.25秒/chip） ※接合材料やダイ/サブストレート仕様により変動 ・ダイ対応サイズ：0.15 × 0.15 mm – 2.03 × 2.03mm ・サブストレートサイズ：長さ60 – 300 mm 幅60 – 100 mm アライメント精度/サイクルタイム/ダイサイズなどに応じて最適な装置をご提案致します。 ダイボンダーをお探しの際は、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：兼松ＰＷＳ株式会社
- 価格：応相談
ASMPT社製エポキシダイボンダー『INFINITE』＜新登場＞
高速かつ正確に、チップをサブストレートやリードフレームへボンディング。
『INFINITE』は、個片化されたチップを超高速かつ高精度に サブストレートやリードフレームへボンディングできる装置です。 エポキシ樹脂のディスペンス量や幅のほか、ボンディング時のはみだし量も制御可能。 ディスペンス前後やボンディング前後の検査機能も搭載しており、 QFN、BGA、MEMS、SiPなどの様々なアプリケーションに活用可能です。 【特長】 ■薄チップや大判ダイも高速ボンディング可能 ■無加圧シンタリング材や強粘度材などの様々なエポキシ材料に対応 ■アライメント精度は±20μm＠3σ ■最高0.19秒/チップの高速処理が可能 ■ダイ対応サイズ：0.2×0.2～9×9mm サブストレート対応サイズ：長さ100～300mm、幅15～100mm ※＜PDFダウンロード＞より製品資料ご覧いただけます。
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ASMPT社製 超高精度フリップチップボンダー『NANO』
±0.3μm＠3σと超高精度にダイをウエハ/ダイ/サブストレートにボンディングが可能なフリップチップボンダーです。
”NANO”は、同社の特許であるアライメント技術を用いて、 超高精度に個片化されたチップをウエハ/サブストレート/チップへ、 ボンディングを可能にした装置です。 また、ボンディング時のレーザー照射方法に特徴を持ち、 ボンディング時の振動を抑制した機構を搭載しております。 【特徴】 ・アライメント精度：±0.3µ@3σ ・アライメント技術（特許） ・ボンディング時の接合方法 ・振動抑制機構の搭載 ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績 ・MEMSセンサー、LiDAR、VCSEL etc 豊富な導入実績あり ・R&D向けや量産工場での導入経験豊富 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±0.2µ@3σ ・サイクルタイム：20 to 30 sec（材料により変動） ・ダイサイズ：0.1mm to 20mm ・サブストレートサイズ：MAX 300 x 300 mm ・ボンディングフォース（荷重）：10g to 2kg ・接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応
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ASMPT社製フリップチップボンダー/ダイボンダーAFCPlus
AFC Plusは､高精度にダイをウエハ/サブストレート/ダイにボンディングが可能なフリップチップボンダーです。
”AFC Plus”は、同社の特許であるアライメント技術を用いて、 高精度に個片化されたダイをウエハ/サブストレート/ダイへ、 ボンディングを可能にした装置です。 【特徴】 ・アライメント精度：±1µm @ 3s ・アライメント技術（特許） ・ボンディング時の接合方法 ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績 ・MEMSセンサー、LiDAR、VCSEL etc 豊富な導入実績あり ・R&D向けや量産工場での導入経験豊富 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±0.2µ@3σ ・サイクルタイム：20 to 30 sec（材料により変動） ・ダイサイズ：0.1mm to 20mm ・サブストレートサイズ：MAX 300 x 300 mm ・ボンディングフォース（荷重）：10g to 2kg ・接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応
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ASMPT社製 フリップチップボンダ ー Novaplus
Nova plusは､高速にダイをウエハ/サブストレート/ダイへのボンディングが可能なフリップチップボンダーです
”Nova plus ”は、同社の特許であるアライメント技術を用いて、 高速に個片化されたダイをウエハ/サブストレート/ダイへ、 ボンディングを可能にした装置です。 また、デュアルボンドヘッドを搭載しております。 【特徴】 ・アライメント精度：±2.5μm＠3σ ・アライメント技術（特許） ・ボンディング時の接合方法 ・デュアルボンドヘッド搭載 ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績 ・MEMSセンサー、LiDAR、VCSEL etc 豊富な導入実績あり ・R&D向けや量産工場での導入経験豊富 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±2.5μm＠3σ ・サイクルタイム：1.5 to 6 sec（材料により変動） ・ダイサイズ：0.1mm to 20mm ・サブストレートサイズ：MAX 600 x 600 mm ・ボンディングフォース（荷重）：10g to 5kg ・接合方法：共晶はんだ、エポキシ、UV硬化樹脂、レーザー接合 ※超音波接合は非対応 ・オプション：アップグレードキット仕様の場合、精度 ±1.5 µm @ 3σ
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ASMPT社製 AD830Plusエポキシダイボンダー
AD830Plusは、サイクルタイム0.16秒/chipの超高速エポキシダイボンダーです
AD830Plusは、個片化されたチップをサブストレートやリードフレームに超高速でボンディング可能な装置です。 LED関係やセンサー関係など様々なアプリケーション向けに導入実績があります。 【装置特徴】 ・アライメント精度：±25.4µm ・超高速ボンディング ・様々な薄いチップを容易にピックアップ可能な機能搭載 ・様々な材料のハンドリングが可能（長尺のサブストレートやリール供給など） ・デュアルディスペンス/デュアルスタンピング機能搭載 ・充実したInspection機能搭載（ボンディング前後など） 【装置主要仕様】 ・アライメント精度：±25.4µm ・UPH：0.16秒（163ミリ秒） ・ダイ対応サイズ：0.15mm ×0.15mm – 5.08mm × 5.08mm ・サブストレート対応サイズ：長さ110mm – 300mm 幅12mm – 102mm アライメント精度/サイクルタイム/ダイサイズなどに応じて最適な装置をご提案致します。 ダイボンダーをお探しの際は、お気軽にお問い合わせ下さい
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ASMPT社製 ダイボンダーPhoton Pro
マルチウエハハンドリングダイボンダー（オート）
同社装置は、量産向けの高精度及び高スループットを実現したダイボンダー装置です。
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ASMPT社製 MEGA DAマルチチップ対応ボンダー NEW
マルチチップダイボンダー
同社装置は、精度/接合方法/サイクルタイムに応じて、カスタマイズ可能なマルチチップダイボンダー装置です。 1枚の基板に対して、複数種類のチップを搭載することが出来、精度±2µm – ± 25µm に幅の中で、選択が可能なダイボンダーです。 オプションを使用し、精度/接合方法/サイクルタイムを変えることが可能です。 （一度変更した精度/接合方法/サイクルタイムを再度変更することは不可となります。）
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ダイボンダー『MEGA』
充実したInspection機能が搭載！ボンディング前後での品質を確認することが可能
『MEGA』は、1パスで1枚のサブストレートに複数種類のチップを ボンディングすることが可能な装置です。 オプションを追加することで、精度を25μm～2μmの幅で変える ことが可能。また、充実したInspection機能が搭載されており、 ボンディング前後での品質を確認することが出来ます。 少量多品種向け/量産/R＆Dなど様々な用途での使用が可能です。 【概要】 ■メーカー：ASMPT ■製品名：マルチチップ対応ダイボンダーエポキシ接合、UV接合 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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ASMPT社製 共晶ダイボンダー
高速共晶ダイボンダー
AD211Plus-IIは、個片化されたチップをサブストレートやリードフレームに高速で共晶接合可能な装置です。 車載照明や屋外照明などLED向けに多くの導入実績があります。 製品特徴 ・アライメント精度：7μm ・サイクルタイム：540ms ・ヒートアップ時のかげろう防止機能 ・特徴的なワークホルダー/ヒートアップステージ ・ボイド率3%以下のコントロール機能 ・豊富な国内/国外導入実績 ・アプリケーション：車載関係、フォトニクス関係、LED関係、LiDAR関係
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