高耐圧AlGaN/GaN HEMTのモデリング
高耐圧AlGaN/GaN HEMTのデバイス構造に関するデバイス解析ツール
マグネシウム層構造(magnesium layer structure)を持つ高いブレークダウン電圧(breakdown voltage)のAlGaN/GaN HEMTをシミュレーション。マグネシウム(Mg)層の長さおよびそのドーピング密度を最適化することで900Vのブレークダウン電圧を達成。(具体的にマグネシウム層の長さ、ドーピング密度と移動領域(drift region length)の長さを例示) マグネシウム層はAlGaN/GaNデバイスのブレークダウン電圧を強化するのに効果的。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
