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Intel、TSMC、Samsungが製造する7つの最先端ロジックデバイス
本レポートはIntel、TSMC、Samsung が製造する 7 つの最先端20nmクラス先進的ロジックデバイスのプロセス比較です。 本レポートは、コアロジックトランジスタ、I/O トランジスタ、メタライゼーション、SRAM レイアウトの製造に使用されている構造および材料について考察いたします。 【特徴】 ○主要な設計および製造革新の把握 ○情報に基づく技術リソース投資の意思決定 ○貴重な「侵害証拠 (EoU)」情報による IP 活動のサポート 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
フラッシュメモリーの 詳細なメモリー構造解析レポート
本レポートは、Apple iPhone 6 Plusスマートフォンに採用されているSK Hynix H2JTDG8UD1BMS (16 GB、16nm ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。 本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。 エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストークを低減します。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づいた技術的な資源投資判断 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
Gobi MDM9235モデムのロジック詳細構造解析
本レポートは、20nmノードQualcomm MDM9235モデムの詳細構造解析 (LDSA) です。 MDM9235は第4世代のQualcomm Gobi 9x35 シリーズモデムで、20nm CMOS プロセスを使用して製造されたQualcomm初のモデムです。 MDM9235 は4G LTE-A Cat. 6データレート (301.5 Mbps) および 4k ビ デオコンテンツをサポートするためQualcomm Snapdragon 805 アプリケーションプロセッサと対になっています。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づいた技術的な資源投資判断 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
