透過型暗視野平面偏光計『SIRD SiC 200』
SECS/GEM通信およびOHTハンドリングの統合により、完全自動化された工場での無人・24時間監視が可能！
『SIRD SiC 200』は、半導体ウェハ内の応力場、欠陥、埋もれた構造を、 高速かつ非接触・非破壊で認識・可視化するシステムです。 材料内に応力がある場合、プローブ用レーザーの偏光状態が変化する 光弾性効果を利用しています。 さまざまな欠陥には固有の応力場があり、当製品はそれを光学的に、 非接触かつ非破壊で可視化し、工程チェーンの早い段階で逸脱を検出します。 【特長】 ■応力の定量測定：ウェハレベルでの定量的な応力測定 ■広いドーピング範囲：抵抗率5.1mΩ·cmまでのドーピングレベルに対応 ■完全自動化：レシピベースの測定・解析、SECS/GEMおよびOHTに対応 ■多様な半導体材料：Si、SiC、GaN、GaAs、InP、AlNなど ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：PVA Japan合同会社
- 価格：応相談
