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優れた測定が可能にする分析手法です！
『二次イオン質量分析』は、数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して 放出される二次イオンの質量分析により、水素を含む全元素の組成分析を 行う手法です。 高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が 可能になっています。 【特長】 ■水素を含む全元素の組成分析を行う ■元素分析が可能 ■低エネルギーイオンによる深さ分解能の測定が可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析 二次イオン質量分析（SIMS）】 ○数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して放出される2次イオンの質量分析によって、水素を含む全元素の組成分析を行う手法。 ○高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析 X線光電子分光分析（ESCA・XPS）】 ○X線をサンプルに照射して表面から数nmの深さから放出される光電子のエネルギー分析により元素を同定し組成・化学結合状態を分析する手法。 ○絶縁物の表面分析に適しており、Arイオンエッチングによる深さ分析や10μm径のビームによる局所分析が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
各種半導体の様々な目的に合わせて、各種手法で分析が可能！
半導体の微細な形状の観察、結晶性評価、不純物濃度測定、硬度測定、故障解析など 各種手法により研究開発のサポートを致します。
