【加工素材】化合物半導体ウェーハ
SiC・GaN・GaPなど！さまざまな化合物半導体結晶の研磨加工が可能
日本エクシードでは、SiC、GaN、GaPなど、様々な化合物半導体結晶の 研磨加工を行っております。 パターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げることが 可能となり、お客様への納品方法を含め対応できます。 当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。 【特長】 ■様々な化合物半導体結晶の研磨加工が可能 ■お客様への納品方法を含め対応できる ■厚み：20μm～ ■表面粗さの実力値 GaP表面粗さ：0.1nm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：日本エクシード株式会社
- 価格：応相談
