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定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完！より高性能な製品を提供します
『StrongIRFET2 パワーMOSFET』は、幅広いアプリケーションに対応する インフィニオンのMOSFET技術です。 低周波および高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な製品を 提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高いスイッチング周波数と低いスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
600V 高耐圧スーパージャンクションMOSFET
Infineon Technologies社の『CoolMOS CSFD』は、高耐圧スーパージャンクションMOSFETに、高速ボディダイオードを搭載しています。 低いRDS(ON) x Qg, Eossにより低いFOM性能指数を実現。 優れた逆回復ダイオードdv/dtとdif/dt耐量などの特長をもっています。 【特長】 ■超高速ボディダイオード ■EV充電アプリケーション向けに最適な効率性 ■高い電力密度 ■高い信頼性レベル ■適切なRDS(on)とパッケージの組み合わせの選択 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高い電力密度とエネルギー効率を実現！ベンチマークソリューションを提供します
『OptiMOS5 25Vおよび30VパワーMOSFET』は、2つのパーツを1つのOリング アプリケーションで交換できる半導体です。 当製品によりインフィニオンは、待機時およびフル稼働時の両方で高い 電力密度とエネルギー効率を実現し、ベンチマークソリューションを提供。 こうした最高クラスのMOSFETを、SuperSO8パッケージで提供しています。 【特長】 ■非常に低いオン抵抗RDS(on) ■100％雪崩テスト済み ■優れた耐熱性 ■Nチャネル ■鉛フリープレート、RoHS対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
狭いVGS(th)レンジ！エクスポーズドパッドに特殊な仕上げをし、優れた熱伝導性を確保
『TOLTパッケージのOptiMOS5 80V/100V』は、高出力アプリケーションや 小型電気自動車などのメインインバーターに適した半導体です。 エクスポーズドパッドに特殊な仕上げをし、優れた熱伝導性を確保。 高出力性能を備えた電子制御ユニットが、以前にも増してパワーステージの 上面冷却で設計されているため、インフィニオンはこの新しい要件を サポートする専用パッケージで、MOSFETラインアップを補完しました。 【特長】 ■上面冷却に特化したTOLTパッケージ ■最小のRDS(on)は80Vで1.1mΩ、100Vで1.5mΩまで低下 ■低いパッケージ抵抗と浮遊インダクタンスの最小化 ■狭いVGS(th)レンジ ■様々なアプリケーションの電源要件に対応する多様なRDS(on)オプション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「Techno Block」シリーズ FCA300AD170
■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性
