更新日： 集計期間:2026年08月05日～2026年09月01日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
1～7 件を表示 ／ 全 7 件
光半導体が一般的な半導体と比較してどのように異なるのか解説
一般的に用いられる半導体は、電子の流れを制御するデバイスであるのに 対して、光半導体と言われるものは、光と電子の相互作用を利用して 光を生成、検出、増幅、変調する機能を有するデバイスです。 前者はトランジスタやダイオード、集積回路(IC)などが含まれるのに対して、 後者はフォトダイオード、フォトトランジスタ、レーザーダイオード、 光変調器などが含まれます。 本記事では、この光半導体の種類や用途について解説します。 【掲載内容】 ■光半導体と半導体の違い ■光半導体に用いられる材料 ■光半導体の主な種類と動作原理 ■光半導体デバイスを利用した製品例 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
車載機器向け製品分野・産業分野をはじめ、幅広いフィールドに適切な製品とサービスをご提供。
当社では、電子機器、電子部品などを取り扱っております。 マイクロコンピュータ、汎用ロジックICなどの半導体製品をはじめ、 中小型液晶デバイス、TN、STN液晶デバイスなどの液晶表示製品など お客様のニーズに合った製品をお選びいただけます。 コネクテッドカーや自動運転車などに向けた新化にも対応していきます。 ご要望の際はお気軽にお問合せください。 【事業内容】 ■電子機器器具の販売 ■PCおよび周辺機器などの製品開発 ■半導体部品などの企画・開発・製造 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiC 半導体 金属- 酸化膜- 半導体（MOS）接合デバイス パワーデバイス ハードエレクトロニクス 量子効果デバイス
炭化ケイ素（SiC）は、熱酸化によって表面にSiO2 膜を形成できる上、8 インチウェハが量産化され、デバイス作製技術が発達している、Si 半導体並にデバイス応用のし易い半導体材料です。また、ワイドバンドギャップ、高い耐放射線性・耐熱性、堅牢といったダイヤモンドに良く似た性質も兼ね備えています。まさにSiC はSi とC（ダイヤモンド）の“いいとこ取り”をした材料です！ さらにここ数年間の研究により、SiC にはダイヤモンドNV センターによく似た単一欠陥が存在し、これを単一光子源やスピンとして利用することで、量子コンピューティングや量子フォトニクス、量子センシングに応用できる道のりが開かれています。
キーワード： 半導体ナノ構造 高効率太陽電池 結晶成長 分光測定
我々は、ナノメートル（10 億分の1 メートル）サイズの半導体微細構造を利用して、光エレクトロニクスデバイスを高性能化するための研究を行っています。 例えば、半導体中で電子を十数ナノメートル程度のごく狭い領域に3 次元的に閉じ込める「量子ドット」と呼ばれる構造を用いると、閉じ込められた電子のエネルギーを人為的に調整できるようになるなど、優れた特性を発揮することが可能になります。この量子ドットを太陽電池の中に多数並べることで、通常は吸収できない波長帯の光を量子ドットが吸収し、幅広いスペクトルをもつ太陽光のエネルギーを無駄なく電力として取り出すことができるようになり、発電効率を飛躍的に高めることが可能になります。 このような半導体ナノ構造は、高効率太陽電池の他にも高輝度発光素子や高感度センサーなどへの応用が期待できます。実際のデバイスとして利用するには、ナノスケール構造物の形状やサイズとその均一性、さらに配列性などを精密に制御した上で高密度に作る必要があり、そのための高精度な微細構造の作製技術を開発しています。また、各種分光測定技術を駆使してそれらの材料の特性を評価しています。
スマートエネルギーの未来を支える、高効率・高信頼パワー半導体ソリューション
インフィニオンは、再生可能エネルギー、蓄電システム（ESS/BESS）、EV充電インフラの高効率化と高電力化を支える最新のパワー半導体ソリューションを提供しています。 高電圧DCリンク向けの「XHP 2 CoolSiC MOSFET 2300 V」、大電力用途に対応する「XHP 2 2300 V IGBT7」、そして1000 V超システム設計を可能にする「CoolSiC MOSFETディスクリート 1400 V G2」をラインアップ。 SiCおよびIGBT技術により、高電力密度、高効率、長寿命を両立し、風力発電、太陽光発電、蓄電システム、水力発電、EV充電器など、次世代エネルギーインフラの進化に貢献します。
「電源機器の寿命検証」や「DC-DCコンバータ設計 電源設計時の着眼点」など当社技術のノウハウが満載！
当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの2017年度～2019年度までの WTIブログ、電源・パワエレ編についてまとめています。 「CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い」をはじめ、 「電源機器の寿命検証」や「SiCデバイスを使って電源を 効率化してみました」などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■2017.5.16 技術者は原理原則の理解が大事なんです！ ■2017.9.5 太陽光発電システムの縁の下の力持ち～パワコンとは～ ■2017.9.19 CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い ■2017.12.5 自動車の電気化を支える機器の開発 ■2018.3.13 回路図には登場しないインダクタンスに注意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
★印刷プロセスや材料特性を考慮し、どう製品まで実現するか? ★実用化懸案であるデバイス特性の安定性化への理解を深める!
セミナー番号 S20228 講 師 東京工業大学 フロンティア研究センター 特任准教授 野村 研二 氏 対 象 酸化物TFTに関心のある企業担当者など 会 場 東京中央区 京華スクウェア 2F ハイテクセンター 第1会議室【東京・中央区】 東京メトロ日比谷線/JR京葉線「八丁堀駅」A3出口より徒歩1分 都営地下鉄浅草線「宝町駅」A1,A2出口より徒歩5分 日 時 平成24年2月16日(木) 13:30-16:30 定 員 30名 ※お申込みが殺到する恐れがあります、お早めにお申し込みください。 聴講料 【早期割引価格】1社2名まで46,200円(税込、テキスト費用を含む) ※但し2月2日までにお申込いただいたTech-Zone会員に限る。会員登録は無料 ※2月2日を過ぎると【定価】1社2名まで49,350円(税込、テキスト費用を含む) となります
