半導体 Ｐシリーズ
ＰＣＢ表面実装受発光素子
オプトテクノでは、センサの高機能化・複雑化にともなうさまざまなニーズにきめ細かにお応えするため、カスタム・メイド半導体の設計・製作に力を入れています。 半導体の小型化、軽量化、高密度化などお気軽にご相談ください。 試作品の仕様の打ち合わせから量産までトータル・システムで承っておりますので、製作工数や部品購入費・管理費の削減など、製造諸費用のさらなるコストダウンがはかれます。
- 企業：株式会社オプトテクノ
- 価格：応相談
半導体(素子) - 企業4社の製品一覧
製品一覧
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高性能ｎ型有機半導体 TU
新奇のｎ型有機半導体を発売しました
東京化成工業では、高い電子移動度を有する低分子n型有機半導体TU-1、TU-3 [T3924]をご用意しました。TU-1は主に真空蒸着プロセス，TU-3は塗布プロセスに適した有機半導体であり、用途に応じてご使用いただけます。これらの有機半導体は時任らのグループによって開発され、p型半導体との組み合わせによる高性能な相補型トランジスタ回路への応用も報告されています。 TU-1，TU-3をそれぞれ真空蒸着法とスピンコート法を用いて有機電界効果トランジスタ(OFET)素子の作製も行い、どちらも1 cm2/Vsを越える電子移動度が得られています。
- 企業：東京化成工業株式会社
- 価格：応相談
高電圧 電力変換システム用パワー半導体
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
- 企業：ジェイレップ株式会社
- 価格：応相談
Si よりも強く、デバイスフレンドリーなSiC 半導体
SiC 半導体 金属- 酸化膜- 半導体（MOS）接合デバイス パワーデバイス ハードエレクトロニクス 量子効果デバイス
炭化ケイ素（SiC）は、熱酸化によって表面にSiO2 膜を形成できる上、8 インチウェハが量産化され、デバイス作製技術が発達している、Si 半導体並にデバイス応用のし易い半導体材料です。また、ワイドバンドギャップ、高い耐放射線性・耐熱性、堅牢といったダイヤモンドに良く似た性質も兼ね備えています。まさにSiC はSi とC（ダイヤモンド）の“いいとこ取り”をした材料です！ さらにここ数年間の研究により、SiC にはダイヤモンドNV センターによく似た単一欠陥が存在し、これを単一光子源やスピンとして利用することで、量子コンピューティングや量子フォトニクス、量子センシングに応用できる道のりが開かれています。
- 企業：埼玉大学 オープンイノベーションセンター
- 価格：応相談
