Last Updated： Aggregation Period:2026年08月19日～2026年09月15日
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AlN(窒化アルミ)基板、Al2O3(アルミナ)基板などをご用意！
当社で提供する「AlN基板・アルミナ基板・SiN基板」を紹介いたします。 放熱性、絶縁性に優れるAlN基板などを製造量中国No.1のメーカーより仕入れており、日本でも実績は多数ございます。 熱伝導率が250W/m・kのAlN基板も提供可能、レーザー加工なども相談可能です。 また、リードタイムもお届けまで4週間程度からと短くなっています。 【ラインアップ】 ■AlN(窒化アルミ)基板(170W/m・k～250W/m・k) ■96％ Al2O3(アルミナ)基板 ■99.6％ Al2O3(アルミナ)基板 ■AlN(窒化アルミ)各種成形品 ■SiN（窒化ケイ素）基板 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
アルミナ（Al2O3）・窒化アルミ（AlN）対応。IGBT・パワーデバイス向け高放熱基板
高放熱・高絶縁が求められるパワーデバイス・IGBT用途向けのセラミック基板を提供します。 アルミナ（Al2O3、熱伝導率≧24W/m・K）と窒化アルミ（AlN、熱伝導率≧170W/m・K）の2種に対応。 DPC（使用温度-55〜350℃）およびDBC（-55〜800℃）に対応し、最大寸法128×178mm、最小パターン幅0.100mm/パターン間0.075mm、最小穴径0.1mmの高精度加工が可能です。
アルミナや窒化アルミなど！高放熱セラミックス基板の1～4面に回路形成可能です
高密度実装を可能にする基板側面へのパターニング加工を 行った製造事例のご紹介です。 アルミナや窒化アルミなどの高放熱セラミックス基板の 1～4面に回路形成することが可能。 ご用命の際はお気軽にご相談ください。 【事例概要】 ■材質：アルミナ、窒化アルミ ■導体膜：Ti/Pt/Au ■チップサイズ：1.72mm×1.1mm×0.5mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
セラミック材料技術を応用して開発された窒化ケイ素製品
セラミック材料技術を応用して開発された窒化ケイ素製品は、高強度、高靭性、及び高熱伝導率の特性により、高信頼性要求に適した材料としてパワー半導体用基板などに使用されています。
高耐熱・高強度！DPCメッキ法を用いたセラミックス配線基板
『DPC基板』は、一般的な厚膜印刷基板より高耐熱・高強度な セラミックス配線基板です。 DPC (Direct Plated Copper)メッキ法を用いた基板で、 アルミナ（Al₂O₃）、窒化アルミ（AlN）、窒化珪素（Si₃N₄）、 ガラスなど各種材料に対応しています。 【仕様】 ■基材：アルミナ、窒化アルミ、窒化珪素、 ガラスなど各種材料に対応 ■導体厚み：10 ～ 100 μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
サブストレート，サブマウント基板
１）発熱チップの集積化で基板の発熱、放熱に困ったら東洋精密工業にご相談ください。 ２）開発設計から量産まで対応致します。
高耐熱300℃以上！アルミナ基板比で約7倍の超高熱伝導基板のご紹介
『窒化アルミ基板』は、搭載部品の冷却効果が非常に高い基板です。 任意の形状に抵抗体のパターンニングもでき、発熱源 （高温ヒーター基板）としても作製可能 アルミナ基板では熱膨張で割れてしまうような長尺ヒーター基板も 作製できます。 ご用命の際は、お問い合わせください。 【特長】 ■高耐熱（300℃以上） ■高熱伝導（170W／m・K） ■低熱膨張（4.6×10^－6） ■高耐溶剤性 ■基板形状の自由度の高さ（立体形状も可） ■無機物 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高い絶縁性、放熱性、信頼性を保有！パワーデバイス用の厚銅セラミックス基板
『AMB基板』は、AMB (Active Matal Brazing) AMB法で厚銅を セラミックスに接合させた基板です。 高い絶縁性、放熱性、信頼性を有する、パワーデバイス用の 厚銅セラミックス基板です。 【仕様】 ■基材：窒化珪素（Si₃N₄） 窒化アルミ（AlN） アルミナ（Al₂O₃） ■導体厚み：300 ～ 1000 μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高さのある銅電極が作成可能！胴の体積が増え、大電流にも対応できるようになりました
「エムメムス基板」の使用実例として、『高輝度LED用高放熱基板』を ご紹介いたします。 「エムメムス基板」によりLED放熱特性が大幅に改善。従来よりも、 温度上昇を10～40℃抑えることが可能です。 また窒化アルミ上に形成可能で、50～140μmの高熱拡散が得られる 電極厚さが実現できます。 LEDの特殊な実装ニーズにも対応いたしますので、ぜひ一度ご相談ください。 【特長】 ■大電流にも対応可能 ■放熱性に優れた窒化アルミ上に形成可能 ■高熱拡散が得られる電極厚さが実現可能（50～140μm） ■LEDの狭ピッチに対応できる電極ギャップが実現可能（～100μm以下） ■特殊な電極構造などさまざまな試作にも対応可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
（側面パターン対応）基板への側面パターニング技術を構築した事例のご紹介です
光デバイス（DVD／CDレコーダー用光ピックアップ、光通信）用 モジュールや半導体レーザーダイオード、半導体フォトダイオードで 半導体素子などを実装するための基板の製造事例をご紹介します。 デバイスの小型・薄型化に伴い、複数の素子を低面積、高密度に 実装する需要が高まっていることから、当社では基板への側面 パターニング技術を構築。 アルミナや窒化アルミなどの高放熱セラミック基板の1面～4面に 回路を形成することが可能です。 【事例概要】 ■基材：アルミナ、窒化アルミ等 ■導体膜構成（Auベース配線、Cuベース配線 ※Ptバリア膜対応可） ■抵抗膜構成（TaN、NiCr）、半田流れ防止膜（Cr、ソルダレジスト） ■実装対応：ワイヤ／リボンボンド、バンプ、各種半田付け仕様可 ■試験／信頼性：MIL仕様 及び その他お客様ご指定の仕様に対応可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ジルコニアやチタン酸バリウムなど、各種セラミックスにパターンニング可能！
当社が取扱う『各種セラミックス基板』についてご紹介します。 窒化アルミ、アルミナだけでなく、各種セラミックスに パターンニング可能です。 材料から調達致します。先ずはご相談ください。 【ラインアップ】 ■誘電体セラミックス ■PZT ■サファイア ■ジルコニア ■フェライト ■マイカ ■ステアタイト ■ベリリア ■チタン酸バリウム ■フォルステライト 等 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーモジュール用の基板ならお任せください！厚銅銅ベース配線基板や、AMB法で厚銅をセラミックスに接合させた基板を製造いたします
当社で取り扱う「厚銅銅ベース配線基板」「AMB基板」をご紹介いたします。 「厚銅銅ベース配線基板」は、絶縁層のグレード3種類で対応。 DBC基板、AMB基板の代替として、パワーモジュール用の厚銅銅ベース基板を製造します。(高熱伝導大電流) また、AMB法で厚銅をセラミックスに接合させた「AMB基板」も取り扱っております。 高い絶縁性、放熱性、信頼性を有する、パワーデバイス用の厚銅セラミックス基板です。 少量での対応も可能ですので、ぜひご相談ください。 【厚銅銅ベース配線基板の仕様(一部)】 ＜絶縁層＞ ■熱伝導率：10.0W/m・K 厚み：120μm ■ヤング率：53GPa ■銅厚（ベース）：0.5、1.0、1.5、2.0、3.0ｍｍ ■銅厚（配線）：0.2、0.3、0.5、0.8、1.0mm ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
海外製によるセラミック基板の安定調達ご提案！
ナラサキ産業(株)は海外現法を通じ、海外製セラミック基板のご提案を致します！ ●国内調達が不安定 ●新規調達先を検討したい ●低グレードは海外製でコストダウンしたい などなど、お困りの方はお気軽にお問い合わせください！ 資料ダウンロード頂いたお客様には、 アルミナ基板(サンプル)を無償ご提供いたします！
試作から量産までスピーディに対応！基板製作のご紹介
当社では、フレキシブル基板の試作1枚から量産までご対応が可能です。一般的な片面基板・ 両面基板はもちろんながら、リジット基板とフレキシブル基板のノウハウも組み合わせて、 多層フレキシブル基板(～8層)や、リジッドフレキ基板(～8層)の製造もお任せ下さい。 一般的にセラミック基板と呼ばれる、高耐熱で講習は特性に優れたセラミック基板、 窒化アルミニウム基板の製造を中心に、ハイブリットICの実装及び組み立てを 行っております。 セラミック基板へのパターンニング(メタライズ)には厚膜印刷工法を用いており、 近年ではそれを応用し、アルミ、ステンレスなどの金属系やPET等の樹脂系に至るまで、 様々な対象物にパターンニングを行っております。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
幅広い加工バリエーションに対応可能！ご支給基材への加工や、一部プロセスのみへの対応もOK
スパッタリング及び蒸着による真空成膜とフォトエッチングを 組み合わせて加工を行う薄膜回路基板の製造事例です。 レーザー、ダイシングによる穴あけや外形カット、 薄膜抵抗形成など、幅広い加工バリエーションに対応可能で、 設計自由度の高い高品質な薄膜回路基板をご提供致します。 ご支給基材への加工や、一部プロセスのみへの対応もできます。 【事例概要】 ■材質：アルミナ、窒化アルミ、石英ガラス など ■板厚：0.1～1.0 mmt ■導体膜：Ti/Pd/Au、Ti/Pd/Cu/Ni/Au、Ti/Pt/Au など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
豊富なリソースを駆使してお客様に適したソリューションを提供するパターニングメーカー
当資料では、東洋精密工業の回路基板についてご紹介しています。 スパッタリング、メッキ、エッチング、スクリーン印刷、サンドブラスト、 レーザー加工など、幅広いリソースを組み合わせて好適な加工をご提案します。 豊富な社内プロセスを活用し、短納期対応を実現。各種信頼性試験に対応 可能です。 高品質、高信頼性の製品を安定供給します。 【掲載内容（一部）】 ■薄膜回路 プロセスイメージ図 ■標準設計ルール ■検査対応 ■信頼性検査対応 ■厚膜回路 プロセスイメージ図 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フッ素樹脂配線板をはじめ、アルミナ、高誘電体セラミックスなど各種材料に対応可能
当社では、様々な高周波用基板材料を使用し、性能・コスト・納期に応じた『高周波基板』の製造・販売を行っています。 材料はフッ素系樹脂材料や、アルミナ・窒化アルミといったセラミックス系などがあり、フッ素系樹脂基板と一般的なFR-4基板との貼り合わせ基板や、より高熱伝導の銅ベースフッ素系樹脂基板の対応も可能です。 また、「キャビティ構造の形成」「ザグリ・異形ルーター加工」 「スルーホール穴埋め加工」「電解メッキ、無電解メッキ」 といった特殊加工（処理）にも柔軟に対応しております。 【実績例】 ■VSAT BUC、LNB用基板（マイクロ波）■ミリ波レーダー、アンテナ用基板 ■ドップラーセンサー用基板 ■高周波電力増幅器用基板 ■光送信／受信ユニット（TOSA／ROSA） ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
ヒータ用セラミック基板といえば窒化アルミが有名ですが、エフセラワンを用いることで、大幅なコスト低減を実現できます。
アルミナ基板「エフセラワン」は、熱衝撃に対する強度を格段に向上しました。 【特長】 ■熱衝撃試験後の曲げ強度が2倍（当社従来製品NA-96比） ■初期曲げ強度は1.1倍（当社従来製品NA-96比） ■A3サイズ、各種形状、厚みに対応 業界最高クラスの大判にも対応可能です（最大350×350 mm） ●詳しくは関連リンク - 弊社コーポレートサイトよりお問い合わせください●
近年エレクトロニクス機器の小型化・軽量化・高性能化に伴い電子デバイスの高密度実装などによる発熱対策の重要性が高まっています。
特に、高輝度ＬＥＤにおいては樹脂パッケージ仕様では耐熱対策が困難となっており、散熱･耐熱性対策としてアルミナセラミックス素材は欠かせないものになっています。 また近年の紫外線ＬＥＤニーズの高まりなどによりセラミックスパッケージへの関心は高まっています。 当社では、独自技術による耐熱特性に優れたセラミックスパッケージ基板を提供しております。 当社独自技術による「散熱(放熱)性能の改善技術」 ＬＥＤ素子の高輝度化(高出力化)に伴いパッケージング材料の耐熱性の重要性と共に、散熱(放熱)特性の要求が非常に高まっています。 散熱(放熱)対策について「散熱特性に優れている窒化アルミ基材に対して、汎用的なアルミナセラミックス基材を用いた散熱性の改善」へのご相談が多く寄せられています。 当社では独自の印刷回路技術を応用して、アルミナセラミックス基板にスルーホール加工し、スルーホール部分に「特殊銀系材料」を充填することで、一般的なアルミナセラニックス基板よりも高い散熱効果を実現しています。
「セラミックス基板専業メーカ」の強みを活かし、ビア形成技術と印刷回路技術による「アルミナ基板の高熱伝導化」を実現しました！
家電製品やEV車用途など用途展開が拡大しているパワーデバイス実装において「実装基板の熱伝導性性能」の期待は非常に高まっています。当社では主力商品の高出力ＬＥＤパッケージの量産実績を通じて、高出力化に伴う放熱性能改善の技術を培ってきました。特に、セラミックス回路基板において「熱伝導性に優れている窒化アルミ基材に対して、汎用的なアルミナセラミックス基材を用いた熱伝導性改善」へのご相談が多く寄せられています。 当社では、スルーホール加工技術(ビア形成)と印刷回路技術を応用して、ビア形成したアルミナセラミックス基板のビア部分に「金属メタル系材料」を充填することで、汎用的なアルミナセラミックス基板を用いながら熱伝導性改善効果を実現しています。高出力LEDパッケージ基板では、アルミナセラミックス基材で「熱伝導率：369W/ｍｋ」を実現しました。 高出力パワーデバイスのセラミックス基板実装の「熱対策」にお困りでしたら、当社にご相談ください。
窒化アルミニウム、AlN、
窒化アルミニウム（AlN）単結晶基板は、高い熱伝導率、優れた電気絶縁性、低誘電損失、耐熱性を備えた次世代の電子材料です。 特に、パワーエレクトロニクス、高周波デバイス、UV-LED、深紫外（DUV）光源、半導体パッケージなどの用途に適しています。
セラミック材料技術を応用して開発された窒化アルミニウム製品
セラミック材料技術を応用して開発された窒化アルミニウム製品は、優れた熱伝導性、高い電気絶縁性及び、シリコンに近い熱膨張等の特性を持っており、高熱伝導基板用材料として注目されています。 パワートランジスタモジュール基板、発光ダイオード用マウント基板、ＩＣパッケージに使用されています。
精密セラミックの生産に注力、精巧な職人技、カスタマイズのサポート
1、熱伝導率＞170W/m・k；アルミナと比べて、約 7 倍以上の熱伝導性を持ち、アルミナよりも優れた機械的強度を備えている。 2、高い電気絶縁性、低い誘電率と誘電体損失； 3、シリゴンに近い熱膨張係数を持ち、大型シリコンチップの搭載と熱サイクルに対して高い信頼性を実現している。 4、溶融金属に対して良好な耐食性を示す。 5、不純物含有量が極めて少なく、無毒で、純度が高い。 製品の用途： 放熱基板、LED パッケージ用基板、半導体用基板、薄膜回路基板、パワー抵抗用基板。 窒化アルミニウムセラミック基板; ジルコニアセラミック基板; 窒化ケイ素セラミック基板; 静電チャック; セラミックメカニカルフィンガー; 産業用精密セラミック 精密セラミックの研究、開発、製造に注力するメーカー！
精密セラミックの生産に注力、精巧な職人技、カスタマイズのサポート
1、材料の銘柄：アルミナ含有率92%、96%、98%、99%、99.5% 2、工芸タイプ：レーザースクライビング、金型打ち抜き 3、厚さの範囲：最薄 0.2mm、最厚 3.0mm 4、長さと幅の範囲：最大長さ 420mm、最大幅 240mm 5、穴径の範囲：最小穴径 φ0.07mm 6、製品の用途：電子部品の放熱基板、自動車などの業界で使用される高電力回路基板、銅張り積層板、プリンタ 7、製品の長所： 良好な熱伝導性と耐熱衝撃性を備えている。 表面特性と平坦度が優れており、寸法精度が高い。 絶縁性能が高く、誘電率と誘電損失が低い。 物理的及び化学的特性が安定している。 優れた機械的強度を持っている。 耐食性な特性を有している。 窒化アルミニウムセラミック基板; ジルコニアセラミック基板; 窒化ケイ素セラミック基板; 静電チャック; セラミックメカニカルフィンガー; 産業用精密セラミック 精密セラミックの研究、開発、製造に注力するメーカー！
豊富なラインアップをご紹介！静電チャックやプラズマ耐性部品などを掲載
本資料は、当社で取り扱っている「精密セラミックス」の製品について ご紹介しております。 高いプラズマ耐食性が特長的な「プラズマ耐性部品」や、「半導体チャンバー 構造部品」「多孔質セラミック真空チャック/キャリア」などを掲載。 その他にも、表面特性と平滑性が高く、寸法精度にも優れている「アルミナ セラミック基板」なども、特長や写真付きでご紹介しております。 【掲載製品(一部)】 ■静電チャック ■プラズマ耐性部品 ■半導体チャンバー構造部品 ■多孔質セラミック真空チャック/キャリア ■アルミナセラミック基板 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
薄膜プロセスで実現する、微細・高精度セラミックス配線板
薄膜プロセスにより、微細パターン形成可能なセラミックス配線基板です。 【特徴】 弊社 めっき技術との組み合わせで 表裏で厚みが異なる回路形成も実現可能です。 例： 表 Cu/Ni/Au 裏 Ti/Pt/Au ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
安価なサファイヤ基板上に、“超高品質”な窒化アルミニウム膜を作製可能！
紫外発光素子は、蛍光灯の代替、高密度ＤＶＤ、生化学用レーザ、光触媒による公害物質の分解、Ｈｅ－Ｃｄレーザ、水銀灯の代替など、次世代の光源として幅広く注目されている。 この紫外発光素子は、ワイドギャップ半導体と呼ばれるＡｌＧａＮ系窒化物半導体からなり、サファイアなどの異種基板上に積層される。一方、サファイア上に成長したＡｌＮ膜には多数の貫通転位が存在し品質が悪いといった課題があった。 本発明は、サファイア上に成長したＡｌＮ膜を有する基板をＮ２／ＣＯ混合ガス中で熱処理して形成するといった簡単な方法でＡｌＮ膜の結晶性を飛躍的に向上させるものである。
高い信頼性と技術が実現した、高熱伝導性セラミックスプレート
『デンカANプレート』は、アルミナの約7倍の熱伝導率を有する窒化アルミニウムを 用いた高熱伝導性セラミックス基板です。 主に高熱伝導性と高耐電圧特性が要求されるパワーモジュール用セラミック 回路基板として、標準品(150W/mK)に加え、高熱伝導タイプ(180W/mK)、 耐ヒートサイクル性に優れた高信頼性タイプ、更なる高耐電圧用厚板タイプなど 様々なグレードを用意しております。 【特長】 ■高熱伝導性：アルミナの約7倍 ■高絶縁性：誘電率が低くアルミナ並みの優れた電気特性 ■機械的特性：アルミナ同等の高強度 ■低熱膨張率：シリコンに近い熱膨張率 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
MARUWAの薄膜回路基板は、実績ある各種セラミック素材と、長年培ってきた薄膜メタライズ技術の融合の結果生まれた基板材料です。
薄膜回路基板は、実績ある各種セラミック素材と長年培ってきた薄膜メタライズ技術の融合から生まれた基板材料です。 側面メタライズなど多様なパターン形成技術でカスタム対応が可能です。 光ストレージ、光通信、ＲＦ用途の回路基板に使用されています。 MARUWAが長年培ってきた薄膜メタライズ技術と、ベースとなるセラミック材料技術との融合により、材料～薄膜形成までの一貫生産を実現。 アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、多層基板、誘電体セラミックなど放熱性に優れた基板を用いて高集積度と電気的特性を満たした高度な回路パターン形成が可能です。
セラミックス基板に薄膜集積回路パターンを形成します。
アルミナ純度99.9%を用いることで、次世代無線通信システムに必要とされる30GHz帯域動作を可能にする、微細回路パターン (line/space=30um/30um) を提供します。 【薄膜集積回路】 各種セラミックス基板に集積回路をパターニンング致します。 ●サイドパターン(0.3t以上)、AuSn半田パターンの形成が可能 ●導体、薄膜抵抗、薄膜インダクタの同時搭載可能 ●独自の99.9%アルミナ基板とファインパターンの組合せにより高周波帯域での低誘電損失・低雑音の回路形成が可能 ●基板材料として、窒化アルミニウム(ALN)基板、石英基板なども対応 【高品位アルミナ基板】 ●緻密 ●３点曲げ強度が660MPaと大きく、従来品の約2倍 ●電気的な特性が良く、高周波帯域での誘電損失が小さい
