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◆12.5Gbps◆50Ωのバックターミネーション、3.0kΩトランスインピーダンスとCMLアウトプット
◆広範囲のリミッティングアンプに適合◆CPRI12Gアプリケーションに最適 ・感度：-20.3dBm (with PIN @10.3Gbps, BER=10-12) ・トランスインピーダンス：4.8kΩ ・デカプリング用キャパシタ不要 ・+3.3Vシングルサプライボルテージ、30mAサプライカレント ・コンパクトなダイサイズ(900um x 711um die)
FORC Photonics社は、ロシアのアカデミー(FORC RAS)から独立したベンチャー企業
■YbフリーダブルクラッドErドープファイバの革新的な技術に基づいて、DC_EDFA35/125シリーズは、これまでにないハイレベルの非線形閾値を提供 ■ゲインファイバの典型仕様 MFD：〜25μm、長さ：〜6メートル ■＞1mJ@100ns、＞600nJ@sub-ps(60psのパルスから圧縮後)のデモによると、DC_EDFA35/125はYbドープファイバレーザのピーク出力の観点から、1.5ミクロンの光源を作ることが可能 ■40Wのポンプパワー(@976nm)と標準構成のレーザーでは、DC_EDFA35/125は平均出力5W以上(@1550～1600nm)の光源を作ることが可能
◆広いスペクトル幅。利得幅を>20dB範囲で可変 ◆RS232インターフェース、専用ソフトウェア付
出力27dBmの高出力EDFAです。出力の指定も可能。 >20dBの範囲で利得幅の可変が可能になっております。 RS232シリアルポート付。リアルタイムでのパラメータモニタリング、リモートコントロールに対応します。 低雑音指数(Low noise figure) AGC、ACC、APCモードの選択が可能 動作温度範囲：-20～60℃
◆ノイズフィギュア：≤8dB ◆CoS・バタフライパッケージ ◆シリコンフォトニクスプラットフォーム用にカスタマイズ可能
◆低リップル(≤0.3dB)、高利得(≥20dB)・広帯域(≥45nm) ・利得(ゲイン)：≥20dB ・リップル：≤0.3dB Denselight社ではCバンド帯の半導体 光増幅器(SOA)をリリースしております。 本製品は両面にARコーティングを施した低リップルのSOAで、安定した温度で動作させた場合、高い利得と広い帯域幅を持つように設計されています。 本SOAをフリップチップボンディングし、プラットフォームの導波路とモードをマッチングさせて効率的にカップリングするようカスタマイズすることが可能です。
