応力分布測定＜顕微レーザーラマン分光分析＞
半導体に用いられるSiCにつけた圧痕周辺の応力分布の測定例！可視光レーザーで分析
当社では、応力分布測定＜顕微レーザーラマン分光分析＞を行っております。 残留応力は製品に変形や破壊などの様々な悪影響を及ぼします。 その測定方法はいくつかありますが、ラマン分光分析も有効な手段の一つです。 関連リンク先では、半導体に用いられるSiCにつけた圧痕周辺の応力分布の 測定例を、グラフや写真とともにご紹介しております。 【特長】 ■分析装置：RAMAN ■分析方法：可視光レーザー ■分析対象：ラマン活性物質（半導体、カーボン、高分子材等） ■面分解能：約1μm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- Company：株式会社大同分析リサーチ
- Price：応相談
