1～2 件を表示 ／ 全 2 件
世界最高水準の導電性、低温シンタリング特性を実現した銀紛
半導体、回路基板の設計者のみなさん！製品の導電性を上げたい、シンタリング温度を低くしたいとお考えではありませんか？今後ますます高性能化が要求される半導体、回路基板において脅威の性能を発揮する銀ナノ粒子があります。トクセン工業がお届けする”TOSFINE”です。 ”TOSFINE”は当社独自の粒子製造技術により個々の粒子がフレーク状に加工され、フレークのハンドリング性とナノ粒子の特性を併せ持つ銀粉ができあがるのです。”TOSFINE”は表面の高い平滑性により乾燥条件下での高導電性、高鏡面性を有しています。 【特徴】 単結晶フレークによる高い導電性、放熱性を実現します。 低温条件下（120～200℃）でのシンタリング特性を有します。 高い表面平滑性により、乾燥条件下でも高い導電性を実現します。 独自の製造方法による均一な粒度分布を有します。 お客様のご用途に合わせ、粒子サイズ、表面処理をご提案いたします。
高水準の導電性、低温シンタリング特性を実現した銀紛です。 ラインナップ一覧を掲載した資料進呈中！
半導体、回路基板の設計者のみなさん！製品の導電性を上げたい、シンタリング温度を低くしたいとお考えではありませんか？今後ますます高性能化が要求される半導体、回路基板において脅威の性能を発揮する銀ナノ粒子があります。トクセン工業がお届けする”TOSFINE”です。 ”TOSFINE”は当社独自の粒子製造技術により個々の粒子がフレーク状に加工され、フレークのハンドリング性とナノ粒子の特性を併せ持つ銀粉ができあがるのです。”TOSFINE”は表面の高い平滑性により乾燥条件下での高導電性、高鏡面性を有しています。 【特徴】 単結晶フレークによる高い導電性、放熱性を実現します。 低温条件下（120～200℃）でのシンタリング特性を有します。 高い表面平滑性により、乾燥条件下でも高い導電性を実現します。 独自の製造方法による均一な粒度分布を有します。 お客様のご用途に合わせ、粒子サイズ、表面処理をご提案いたします。
