1～3 件を表示 ／ 全 3 件
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。
シミュレーションによって拡散の経路・障壁を求めることが可能です
半導体の電気的、光学的、磁気的特性は系に含まれる欠陥や不純物による影響を強く受けるため、 設計通りの物性を得るためには欠陥や不純物の挙動を理解し、制御する必要があります。しかしながら、原子レベルのミクロな挙動を実験的な手法から評価するのは難しいため、計算シミュレーションを用いたアプローチが有効となります。本資料ではNEB（Nudged elastic band）法を用いた第一原理計算によって、シリコン結晶中の金属不純物（Fe）について、拡散の経路・障壁を評価した事例を紹介します。
完全オーダーメイド！お客様が収集された大切なデータから、ニーズに合わせた価値ある情報を導き出します。
・AIモデル構築 対象物を含む収集データや公開されているオープンデータをもとに、条件に適したAIモデルを構築します。 このAIモデルを活用することで、日々の業務をAIに代替でき、業務の自動化・効率化の促進や精度の安定が期待できます。 ・画像/データ解析 画像やその他データを解析し、評価します。 評価内容はお客様とご相談し、課題に沿ったご提案をいたします。 対象が製品・材料の場合、MSTで分析データを取得することができます。
