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InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板を使用したGaAs 太陽電池
『集光型3接合 GaAs 太陽電池(3C44C 10mm)』は、 有効セル面積が10mm×10mm＝100mm2です。 基板材料はInGaP/GaInAs/Ge on Ge基板で、寸法は10.1×10.5mm±0.1mm。 セル厚みは190±20μmです。 また、接合方法は、溶接をはじめ、ハンダ付や接着が可能です。 【設計及び機械特性(抜粋)】 ■基板材料：InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板 ■ARコーティング：TiOx/Al2Ox ■寸法：10.1×10.5mm±0.1mm ■有効セル面積：10mm×10mm＝100mm2 ■セル厚み：190±20μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
5.6×6.0mm±0.1mmの集光型3接合 GaAs 太陽電池のご紹介！
『集光型3接合 GaAs 太陽電池(3C44C 5.5mm)』は、 有効セル面積が5.5mm×5.5mm＝30.25mm2です。 基板材料は、InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板で、寸法は5.6×6.0mm±0.1mm。 セル厚みは190±20μmです。 また、接合方法は、溶接をはじめ、ハンダ付や接着が可能です。 【設計及び機械特性(抜粋)】 ■基板材料：InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板 ■ARコーティング：TiOx/Al2Ox ■寸法：5.6×6.0mm±0.1mm ■有効セル面積：5.5mm×5.5mm＝30.25mm2 ■セル厚み：190±20μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
セル厚が150±20μmの地上用トリプルジャンクション GaAs 太陽電池
『地上用トリプルジャンクション GaAs 太陽電池』は、 セル面積が30.18cm2です。 基板材料は、GaInP/GaAs/Ge on Ge基板で、セル厚は150±20μm。 平均質量は、≦86mg/cm2(セル)です。 また、ARコーティングはTiOx/Al2O3です。 【特長】 ■基板材料：GaInP/GaAs/Ge on Ge基板 ■セル面積：30.18cm2 ■平均質量：≦86mg/cm2(セル) ■セル厚：150±20μm ■ARコーティング：TiOx/Al2O3 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
