テレセントリックｆθレンズ仕様 レーザ露光装置
テレセントリックｆθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能
プリンテッド・エレクトロニクス関連で、絶縁膜のパターン形成や金属パターン形成、ＭＥＭＳ形状のバンク・隔壁形成に、ポジレジスト・ネガレジストをマスクレスで直接露光する「レーザ露光機」です。テレセントリックｆθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能。h線・i線を含む、レーザ波長 375，405，650，780，830nmなど選択可能。レーザスポット径 2μm（@405nm）10μm 22μm 30μm 等。分解能 ～25,400dpi ～5,080dpi ～3,000dpi 等 感光性レジストの全般（半導体露光用レジスト各種、ポリイミドレジスト、感光性Ａｇ）に対応可能。 有機ＴＦＴのゲート絶縁膜、感光性Ａｇインク 等で電極形成。 インクジェット／フレキソ／スクリーン 等の工法で困難なパターン形状の作成が、容易に可能です
- 企業：株式会社ワイ・ドライブ
- 価格：1000万円 ~ 5000万円
