[AFM]原子間力顕微鏡法
ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測
AFMは、微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 ・金属・半導体・酸化物など、絶縁体から軟質の有機物まで幅広い試料を測定可能 ・接触圧力が弱いタッピングモードを用いることで、試料ダメージを最小限に抑えることが可能
- 企業:一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格:応相談
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ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測
AFMは、微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 ・金属・半導体・酸化物など、絶縁体から軟質の有機物まで幅広い試料を測定可能 ・接触圧力が弱いタッピングモードを用いることで、試料ダメージを最小限に抑えることが可能
金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です
走査イオン顕微鏡(Scanning Ion Microscope:SIM)は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。
高分解能(加速電圧30kV:4nm)でのSIM像観察が可能
・高分解能(加速電圧30kV:4nm)でのSIM像観察が可能 ・SEM像に比べてSIM像の方が極表面層の情報が得られる ・金属結晶粒観察が可能(Al、 Cu等) ・分解能はSEM像より劣る(SIM:4nm、 SEM:0.5nm) ■MST所有装置の特徴 ・試料サイズ最大直径300mmφのJEIDA規格ウエハ対応が可能 ・FIB(集束イオンビーム)加工との組み合わせで連続的な断面SIM像の取得が可能(Slice&View)
AFM :原子間力顕微鏡法
AFMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。
Csコレクタ付TEMによる高分解能TEM観察
TEMの球面収差を補正したCsコレクタ付TEM装置を用いることで、高分解能で素子の断面構造観察を行うことができます。 本事例では市販のハードディスクから磁気ヘッドを取り出し、MTJ:磁気トンネル接合(Magnetic tunneljunction)部の高分解能(HR)-TEM観察を行ったデータを紹介します。 このように金属の極薄膜の多層構造でも明瞭に構造を観察することが可能です。
InGaZnO4粒子の超高分解能STEM観察
Csコレクタ(球面収差補正機能)付きSTEM装置により、超高分解能観察(分解能0.10nm)が可能となりました。原子量に敏感なHAADF※-STEM像は多元系結晶構造を直接理解できる有効なツールです。今回、酸化物半導体中微粒子の評価を行いましたので紹介します。異種材料界面・化合物界面の原子配列、粒界偏析評価などに応用できます。 ※High-Angle Annular Dark-Field: 原子量(Z)に比例したコントラストが得られます。
C-SAMは、試料の内部にある剥離などの欠陥を非破壊で観察する手法です。
C-SAMは、SAT:Scanning Acoustic Tomographyとも呼ばれます。 ・X線CTによる観察では確認が困難な「電極の接合状態」や「貼り合わせウエハの密着性」などの確認に有効。 ・反射波のほか、透過波の取得も可能。
活物質の粒径・結晶方位評価、原子レベル観察が可能
リチウムイオン二次電池は充放電によるイオンの脱離・挿入などで電極活物質に成分や結晶構造の変 化が生じます。正極活物質として用いられるLi(NiCoMn)O2(NCM)の構造評価として、EBSDにより一次粒子の粒径や配向性を評価しました。更に、方位を確認した一次粒子について高分解能STEM観察を行 い、軽元素(Li、O)の原子位置をABF-STEM像で、遷移金属(Ni、Co、Mn)の原子位置をHAADF-STEM像で可視化した事例を紹介いたします。 測定法:SEM・EBSD・TEM 製品分野:二次電池 分析目的:形状評価、構造評価、製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
FIBでの断面出し加工とSEMによる観察を細かく繰り返し、取得した像を再構築することで立体的な構造情報を得ることができます
FIB付き高分解能SEM装置を用い、FIBでの断面出し加工(Slice)とSEMによる観察(View)を細かく繰り返し、取得した像を再構築することで立体的な構造情報を得ることができます。また、SIM(Scanning Ion Microscope)像についても同様にSlice & Viewが可能です。 ・二次電子(Secondary Electron;SE)像、反射電子(BackScattered Electron;BSE)像、走査イオンSIM(Scanning Ion Microscope)の観察が可能