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使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です！
新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
世界先端の高耐圧スーパージャンクションMOSFET技術！技術と価格性能の両方の世界標準を確立
『CoolMOS 8 SJ 600V』は、高速ボディダイオードを内蔵しており、 幅広いアプリケーションに適しているMOSFETパワー半導体です。 P7、S7、CFD7、C7、G7、PFD7などの600V CoolMOS7 MOSFETファミリーの 後継製品であり、インフィニオンのワイドバンドギャップ(WBG)製品群を補完。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【主な特長】 ■世界最高クラスのRDS(on)A ■高速ボディダイオード内蔵 ■優れたハードコミュテーション耐性 ■先進の相互接合技術 ■7mΩから段階的に取り揃えた製品ラインアップ ■上面放熱パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
システムのコストパフォーマンスを最大化！きわめて高い信頼性、長い製品寿命
Thin-TOLL 8x8パッケージ搭載の『CoolSiC Generation2 650V』は、 高性能技術を活用する8x8オプションとして適したMOSFETパワー半導体です。 標準的な8x8パッケージののサーマルサイクルにおける性能限界を克服し、 .XTインターコネクト技術により熱抵抗を低減。 その結果として、SiCの特性を最大限に活かしながら、小さなフット プリントを維持し、電力密度を次の次元へと引き上げることが可能です。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■同クラスで最低水準のRDS(on) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)＝0 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
強化された保護機能！正確で迅速な長期モニタリングが可能です
『産業＆車載用温度センサー搭載 Nチャンネル パワーMOSFET』は、 接合部温度の検出精度と堅牢性を高めるとともに、容易な実装と 機能安全を実現する製品です。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSのライン 整流などの産業用アプリケーションや、バッテリーディスコネクト、 eFuse、オンボードチャージャーなどの車載アプリケーションに好適。 また、温度センサーにより、CoolMOS S7の機能が強化され、パワー トランジスタを最大限に活用できます。 【主な特長】 ■最適化された価格性能比 ■低周波スイッチングに好適 ■寄生ソースインダクタンスを低減 ■シームレスな診断 ■正確で迅速な長期モニタリング ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高い信頼性および堅牢性！バッテリー管理システム(BMS)に適しています
『Nチャンネル パワーMOSFET 40 V』は、OptiMOS 7トレンチ技術を 採用した製品です。 既存のOptiMOS 6 40 V製品に比べ、RDS(on)は40％低減されており、 SuperSO8パッケージを使用することで、DirectFET(L)ソリューションに 比べてPCB面積を50％削減し、並列化の必要性をなくします。 RDS(on)を大幅に低減しているので、BMSアプリケーションにとって大きな 利点となります。これにより電力密度の向上、システム効率の改善、システム コストの削減を容易に実現します。 【主な特長】 ■最高クラスのSuperSO8パッケージ40VパワーMOSFET ■優れたRDS(on) ■業界標準のフットプリント ■広い安全動作領域(SOA) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ご要望に合わせたカスタムのパワーモジュールやパワー半導体を使用したスタック製品を展開！
当社では、パワー半導体の中でも電力用サイリスタ・ダイオード及び パワーモジュールとスタック製品を取り扱っています。 中電流から大電流まで、低耐圧から高耐圧の製品まで幅広く取り揃えており、 高速タイプや溶接機用など用途に合わせた製品群を準備しています。 また、パワーモジュールでは圧接構造を中心にソルダー付けのタイプを シリーズ化しており、絶縁・非絶縁型並びに水路付きの製品も ラインアップしています。 【主なラインアップ】 ■一般制御用サイリスタ ■サイリスタ＆ダイオード ■整流ダイオード ■溶接機用ダイオード ■水路付きモジュール など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
アバランシェに強い製品です
GEN1シリーズ 他のパッケージタイプもございます
自動車・電子機器業界向け！電気の流れをコントロールすることができます
コロナの影響と共に急成長を遂げていた半導体業界ですが、最近は 落ち着いてきています。 そんな中、停滞気味のデバイス向けメモリ半導体等を尻目に著しい成長を 遂げているのがパワー半導体です。 パワー半導体とは、モータや照明などの制御や電力の変換を行う半導体であり、 扱う電圧や電流が大きいことが特長です。 ※記事の詳細内容は、PDFより閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
ABB、SIEMENS、DB（ドイツ鉄道）等全世界で、600社以上の製品採用実績がある、ロシアのパワー半導体メーカー・プロトン社
当社では、『ロシア・プロトン社製パワー半導体の販売』をおこなっております。プロトン社(PROTON-ELECTROTEX)は、ロシア・OREL市にある、パワー半導体メーカーです。ダイオード、サイリスタ及びIGBTモジュールを製造しており、半導体チップの拡散工程から組立、検査まで全て自社工場で行っています。形状は平型、スタッド(内部は圧接構造)、絶縁モジュールです。ABB、SIEMENS、DB（ドイツ鉄道）等全世界で、600社以上の製品採用実績あり。QCDS全てにおいてご満足いただける会社です。 【主な製品】 ■一般整流サイリスタ（平型） ■高速サイリスタ（平型） ■超高速サイリスタ（平型） ■整流ダイオード（平型） ■アバランシェダイオード（平型） ※詳細は資料請求して頂くか、ダウンロードからPDFデータをご覧下さい。
8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
開発設計に関するお役立ち情報！当社技術者が語るノウハウを多数掲載しています
当資料は、電源について、疑問・答えをご紹介しております。 「パワエレ設計：スイッチング素子」、「ダイオード選定」、「IGBTの選定」、 「MOSFETの選定」、「電解コンデンサの選定」、「フィルムコンデンサの 選定」、「リアクトルの選定」など当社技術者が語るノウハウを掲載。 キャラクターが分かりやすく解説した一冊となっております。 【掲載内容（抜粋）】 ■#021 電源～パワエレ設計（スイッチング素子）～ ■#022 電源～パワエレ設計（ダイオードの選定）～ ■#023 電源～パワエレ設計（IGBTの選定）～ ■#024 電源～パワエレ設計（MOSFETの選定）～ ■#025 電源～パワエレ設計（電解コンデンサの選定）～ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「BGAパッケージの評価と解析方法」など当社技術のノウハウが満載！
当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの2020年度のWTIブログ、 評価・実験編についてまとめています。 「カーブトレーサでの評価」をはじめ、「スイッチング電源の評価・ 試験項目について」や「PC98を使い続けるためには」などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■2020.4.14 信頼性試験～様々な条件で安全を保証するために～ ■2020.10.23 パワコンの評価 ～JET認証・変換効率確認・定格試験・雷サージなどなど、種々の試験があります～ ■2020.10.26 カーブトレーサでの評価～手動は面倒？それなら自動化！～ ■2020.10.27 USBとコンプライアンステスト ■2020.11.5 パワーコンディショナに求められる機能について（その1） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
スイッチング評価はどのような方法で行えばいいのでしょうか？図と写真を用いて解説
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートでは、パワーデバイス、パワーモジュールなどのパワー半導体の スイッチング評価についてご紹介します。 理想のスイッチング動作は、ON/OFFする際に電流と電圧の遅れ時間がない 状態、つまり電力損失の発生がないことです。しかし、パワーデバイスの スイッチング動作時は、どうしても遅れ時間が発生します。 当社ではスイッチング評価のノウハウを持ったエンジニアがいますので、 各種パワーデバイスの評価を必要とされる場合は、是非ご相談ください。 【掲載内容】 ■IGBTモジュール 測定回路例 ■IGBTモジュール 測定環境例 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
回路インダクタンスの大きさを定量的に確認する方法についてお話しします
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートでは、回路インダクタンスの大きさを定量的に確認する方法に ついてご紹介します。 パワー半導体のスイッチング評価を行う測定環境を改善するために配線を 見直すことがありますが、実は測定系の回路インダクタンスの大きさが 定量的にわからないと改善は難しいのです。 シミュレーションを行う際に、実測した回路インダクタンス値を使用する ことで実測波形に近い結果が得られます。 【掲載内容】 ■回路インダクタンスの改善方法 ■IGBTモジュール 測定回路例 ■回路インダクタンスの確認方法 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー半導体（パワーエレクトロニクス）専業メーカーです。
当カタログは、東機通商株式会社の取扱メーカー APEC（Advanced Power Electronics Corp）の英語版総合カタログです。 同社は1998年に設立された、MOSFET、IGBT、パワーソリューションを 提供するファブレスメーカーです。 ■製品ラインナップ Low Voltage MOSFET(12~45V) Middle Voltage MOSFET(60~250V) High Voltage MOSFET(400~900V) IGBT(400~1,300V) 他 【掲載内容（一部）】 ■Computing Solution ■PSU Solution ■Telecom Power ■Display Solution ■POE Solution ※こちらからダウンロードいただけるのは、英語版のカタログです。 詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。
