更新日： 集計期間:2025年09月17日～2025年10月14日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年09月17日～2025年10月14日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年09月17日～2025年10月14日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
76～90 件を表示 ／ 全 143 件
低周波かつ大電流のスイッチングアプリケーション向けに最適化！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載」 について、ご紹介いたします。 温度センサーを搭載した当製品は、容易な実装と共にジャンクション 温度の検出精度とロバスト性を向上。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSの ライン整流に好適です。 【特長】 ■高パルス電流対応 ■最適化された価格性能 ■低周波スイッチングアプリケーション向けに最適化 ■ソースの寄生インダクタンスを低減 ■シームレスな診断機能 ■大電流対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
業界標準のSuperSO8パッケージで、4.5Vで非常に低いRDS(on)とQgが特長！
当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
産業用認証とTj_max＝175°Cにより優れたパワーハンドリングと堅牢性を実現！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V」について、 ご紹介いたします。 ハードスイッチとソフトスイッチの両アプリケーション、また、 高スイッチング周波数および低スイッチング周波数に適しており、 ノーマルレベルとロジックレベルが利用可能。 産業用電源、ソーラーなどさまざまなアプリケーションで使用できます。 【特長】 ■スイッチング損失、導通損失において好適なバランスを実現 ■150V耐圧不要時にRDS(on)やFOMを低減 ■パッケージの幅広い選択肢 ・FR4基板およびIMS基板向け面実装 ・上面冷却 ・スルーホール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの新しい車載用MOSFETテクノロジー！
当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25％向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(＝RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
部品点数の削減、システムコストパフォーマンスを最大化！きわめて高い信頼性
TOLTパッケージの『CoolSiC Generation2 650V』は、最高クラスの スイッチング性能を活かし、さらに上面放熱の様々な利点も備えている MOSFETパワー半導体です。 今回、CoolSiCおよびCoolMOSですでに利用可能なQDPAKを加えて、完全な ディスクリート上面放熱ソリューションが実装可能になったことにより、 さらに優れた放熱性を備え、システムコストの削減と簡素化、 アセンブリコストの低減を実現します。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)＝0 ■すべての8x8FET製品とピン互換 ■.XT相互接合技術によるパッケージの改善 ■熱サイクル(TCoB)4倍向上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
将来の車載設計向けの高い電力効率と0.39mΩの超低Ronを実現！
『車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』は、インフィニオンの 新しい車載用MOSFETハイパワーMOSFETパッケージファミリー製品です。 また、従来のOptiMOS 6に比べて、Ronが25％向上。OptiMOS 7は、 業界最小クラスのオン抵抗で、パッケージ抵抗がきわめて低い高効率 sTOLL 7×8mm2リードレスパッケージで、最高クラスの電力密度と エネルギー効率を実現。 また、広い安全動作領域(SOA)で、リードレスパッケージ(銅クリップ) の 堅牢な車載用パッケージ設計です。 【主な特長】 ■7×8mm2というパッケージサイズに、0.39mΩのきわめて 低いドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(on)) ■最大電流耐量280A ■高いアバランシェ耐量 ■広い安全動作領域(SOA) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電力密度が高いため、コンパクトなボードで高出力設計が可能です！
『産機＆民生用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』には、当社の MOSFET技術が、超低寄生のコンパクトパッケージと組み合わされています。 これにより、さまざまな電源パッケージにおいて、業界で最小クラスの RDS(on)および最大クラスの電力密度を実現し、スイッチング/導通損失 および電流耐量を大幅に改善。 また、低パッケージ抵抗で高い電流処理能力を備えたMOSFETが求められる バッテリー駆動、バッテリー保護、およびバッテリーフォーメーションの アプリケーションの幅広い分野に対応し、低/高スイッチング周波数共に好適です。 【主な特長】 ■コンパクトなパッケージサイズ(8×6mm)で高い電流耐量を実現 ■業界でも低いRDS(on)とFOM ■超低パッケージ寄生容量(抵抗およびインダクタンス)の リードレスパッケージ ■PQFN 5×6とフットプリント互換 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です
『産業＆車載用 SiC MOSFETパワーディスクリート 750V』は、最高 クラスのシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 最高クラスの効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高い システム設計を実現。 革新的な上面放熱パッケージは、当製品の強みをさらに強化し、 高密度化、最適化された電源ループ設計、システムおよびアセンブリ コストの削減を実現します。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
"非絶縁型"や"高速タイプ"などのモジュール製品を多数掲載した総合カタログです
当カタログは、 パワー半導体及びスタックアッセンブリの製造・販売を 行っている日本インターナショナルPS株式会社の総合カタログです。 「モジュール製品」では"圧接構造"や"非絶縁型"、"高速タイプ"などを ラインアップしております。また、「モジュール製品」や「ハイパワー製品」 の外形図も掲載。 さらに、早見表もございますので製品の選定にご活用ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■品名の付け方 ■記号と用語 ■定格・特性表 ■外形図 ■アッセンブリー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低電圧MOSFET
アナログパワー社は、パワーマネジメントに特化し、お客様に最適な製品を生産することを目的に、2002年に設立されました。米国（カリフォルニア州サンノゼ）、香港、台湾にオフィスを構え、世界の半導体市場のほとんどをカバーする広範な代理店網を有しています。 業界をリードする製造パートナーを利用することで、アナログパワー社の製品は、市場の大規模かつ多様なベンダーと同じ基準で製造されています。アナログパワー社の社員は顧客志向で、パワー半導体の経験を持つエンジニアの割合が高い。
1995年の設立以来、ゴーフォードセミコンダクターは、米国にオフィスを構えるグローバル企業へと発展してきました。
1995年の設立以来、ゴーフォードセミコンダクターは、米国にオフィスを構えるグローバル企業へと発展してきました。 香港、オーストラリア、シンセンおよび江蘇省にオフィスがあります。 当社は、パワーMOSFET製品の研究開発と販売に常に力を注いでいます。 私達はエネルギー効率、移動性および市場に費用効果が大きいプロダクトを提供する信頼性に焦点を合わせます。
電源用途に向けたパワーMOSFET製品の製品紹介
【BOOST MOS】 用途：昇圧型DC-DCコンバータ等 パッケージ：TO-252、TO-220FP 耐圧：100V～250V 特徴：低R<sub>DS(ON)</sub>、高電流対応、低Qg 【BUCK MOS】 用途：降圧型DC-DCコンバータ パッケージ：TO-220FP 特徴：超低オン抵抗（5.3mΩ～） 【SR MOS（シンクロナス整流用MOS）】 用途：整流段における効率向上 特徴：高速スイッチング、低Qg 【Power Saving MOS】 超低電流用（例：0.033Aクラス） 小型SOT-23パッケージ 【Power Switch MOS】 用途：電源ラインのON/OFF制御 パッケージ：DFN3x3、SOP-8など多様 特徴：低オン抵抗・高電流制御対応 【Signal Switch MOS】 小電流・低電圧向けスイッチ用途 超小型パッケージに対応（SOT-23など） 【GaN/SiC WBGデバイス】 GaN HEMTおよびSiC SBD（ショットキーバリアダイオード） 650Vクラスなどの高耐圧製品を予定
MOSFET、IGBT、FRDチップの自社設計～製造を行う韓国・マグナチップ社をご紹介
当社では、『韓国・マグナチップ社製品の販売』を行っております。 マグナチップ社は、ANALOG-MIXED SIGNAL向けファンドリービジネスを はじめ、DISPLAY用ドライバ－ビジネス、POWER SOLUTIONSビジネスの 3つの事業部にて事業を展開している半導体メーカーです。 MOSFET、IGBT、FRDチップは全て自社設計、自社製造です。 【主な製品】 ■LED driver IC ■DC-DC converter IC ■AC-DC converter IC ■VCM driver IC ■Analog Switch IC ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
低耐圧FETから、高耐圧(1500V)まで各種製品を揃えています。 高耐圧FET製品のクロスリファレンス配布しています。
Potens(ポテンツ)は、2012年9月に設立された台湾FABレスメーカーです。 汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップがあり、 SiCや話題のGaNなどライアップ拡充しており、他社相当品も豊富！ パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、 EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。
