フラッシュメモリのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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フラッシュメモリ - メーカー・企業39社の製品一覧とランキング

更新日： 集計期間:2025年10月15日～2025年11月11日
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フラッシュメモリのメーカー・企業ランキング

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  1. ウィンボンド・エレクトロニクス（Winbond Electronics Corp. Japan)　株式会社 神奈川県/電子部品・半導体
  2. RAMXEED株式会社 （旧：富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社　2025/1/1に社名変更しました） 神奈川県/電子部品・半導体
  3. 株式会社ソリトンウェーブ 東京都/ソフトウェア
  4. 4 株式会社デンシトロン 本社 東京都/電子部品・半導体
  5. 5 Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部 東京都/電子部品・半導体
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フラッシュメモリの製品ランキング

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  1. シリアルEEPROMプログラマ『EPU-20R3』 株式会社ソリトンウェーブ
  2. 強誘電体不揮発性メモリ『FeRAM​』 RAMXEED株式会社 （旧：富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社　2025/1/1に社名変更しました）
  3. 【新製品】カラー電子ペーパー（e-paper） 株式会社デンシトロン 本社
  4. 電子ペーパー（e-paper） 株式会社デンシトロン 本社
  5. 4 強誘電体メモリ「FeRAM」とは？　※基礎からわかる技術資料進呈 RAMXEED株式会社 （旧：富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社　2025/1/1に社名変更しました）

フラッシュメモリの製品一覧

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【半導体継続供給/ルネサス】メモリ製品

【半導体継続供給/ルネサス】メモリ製品

ルネサスのメモリ製品群について

ロチェスター エレクトロニクスは、ルネサスエレクトロニクスと提携し、同社の製造中止品やレガシー製品に対して認定、製品履歴および製品保証がされたソリューションを提供しています。 ルネサスのメモリ製品における製品ポートフォリオは、 ・低消費電力SRAM ・非同期型SRAM ・同期型SRAM ・マルチポート及びFIFO ・ＭRAM ・EEPROM ・SPI NOR Flash などがあります。 ロチェスターでは、それら製品のうち、製造中止となった製品の在庫を保有しています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

  • その他半導体

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【半導体継続供給】往年のメモリ製品を振り返る

【半導体継続供給】往年のメモリ製品を振り返る

メモリ製品、イノベーション、そして革命への振り返る/製造中止品(EOL品)の再生産

ロチェスターエレクトロニクスは、現行品と製造中止品、両方のフラッシュメモリ製品をサポートしております。ロチェスターとインフィニオンとのパートナーシップ締結により、サイプレスとスパンションのNORフラッシュメモリファミリーのサポートを継続的に行っております。 ロチェスターのすべての製品は、オリジナルメーカーに認定された製品で、製品履歴を確認することが出来、製品保証されています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

  • 基板設計・製造

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【半導体EOL品/注目製品】インフィニオン/フラッシュメモリ

【半導体EOL品/注目製品】インフィニオン/フラッシュメモリ

S29GL064S80DHB020 /製造中止品(EOL品)の再生産

インフィニオンのS29GL064Sは、サイプレスのMirrorBit製品の一部である64Mビット（8Mバイト）フラッシュメモリです。この製品は単一の3.0Vで動作し、1.65VからVccまでのI/O範囲を提供します。9mm×9mmのFBGA-64パッケージで提供され、-40℃~+105℃動作に対応し、AEC-Q100グレード2認定を受けています。ロチェスターの在庫品には、その他の集積度やパッケージタイプもあります。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

  • 基板設計・製造

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【継続供給】SLCおよびeMMC NANDフラッシュメモリ製品

【継続供給】SLCおよびeMMC NANDフラッシュメモリ製品

長期的な半導体製品継続供給のためのソリューション/製造中止品(EOL品)の再生産

半導体製品の“パズル”には、製造中止の原因となる多くのピースが存在しています。これらのピースは、事業収益からファウンドリのプロセス技術、パッケージ、基板やリードフレーム、テストプラットフォーム、および設計リソースなど、半導体製品を構成するサブ部品の1つまで、多岐にわたります。 ロチェスターエレクトロニクスは、オリジナル半導体メーカーより認定された製造メーカーとして、ダイ換算で120億個以上のウェハ在庫を持ち7万種類を超える製品展開が可能、また今まで2万種類以上の再生産実績があります。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

  • その他半導体

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【EOL品/注目製品】SkyHigh/メモリ

【EOL品/注目製品】SkyHigh/メモリ

メモリ/製造中止品(EOL品)の再生産

SkyHigh MemoryのS40FC004C1B1I00000は、4Gバイト、3.3V、e.MCC 5.1互換フラッシュメモリです。産業用温度範囲-40℃~85℃に対応し、153ピンFBGAで供給されます。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

  • その他電子部品

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SEMPER NORフラッシュメモリー

SEMPER NORフラッシュメモリー

最大4Gbの大容幅！機能安全に対応した設計、ASIL-B準拠、ASIL-DおよびSIL2対応可能

『SEMPER NORフラッシュメモリー』は、自動車、産業機器、通信基地局等の アプリケーションに必要とされる高性能と、業界最高クラスの機能安全と 信頼性を提供します。 ASIL-B準拠およびASIL-Dに対応可能。各パーティション領域は100万回以上の 書き込み/消去サイクルまたは最大25年間にわたりデータを保持できます。 また、幅広い温度範囲(-40℃～＋125℃)に対応しています。 【特長】 ■機能安全：ASIL-B 準拠 ■長期供給 ■ソリューションハブ - SDK、キット、その他のリソース ■エコシステム - チップセットとパートナーによるサポート ■電力密度：256 Mb、512 Mb、1 Gb、2 Gb、4 Gb ■電圧：1.8 V、3.0 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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8Mbおよび16Mbの不揮発性メモリ EXCELON F-RAM

8Mbおよび16Mbの不揮発性メモリ EXCELON F-RAM

遅延のない書き込みにより、バッテリバックアップなしで瞬時に不揮発性を実現！

「EXCELON F-RAM」は、シリアルNVRAM(不揮発性メモリー)を実現し、 ミッションクリティカルなデータ取得に、優れた性能と信頼性を提供します。 高速不揮発性データロギング用の小PINSPIおよびQuad SPI(QSPI) インターフェイスを備え、産業用や自動車用など、極端な温度の 過酷な環境下での使用も可能です。 【特長】 ■動作温度：1.8V～3.6Vおよび1.71V～1.89V ■専用256バイト special sector F-RAM ■24ボールFBGAパッケージでの提供 ■動作温度0℃～＋70℃(突入電流制御付きF-RAMの場合)、 　-40℃～＋85℃、-40℃～＋105℃ ■データ保持：＋85℃で10年、1014サイクルの耐久性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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SPI F-RAM

SPI F-RAM

インフィニオンのHiRelメモリは極限条件でも動作可能です！

当社で取り扱う、耐放射線不揮発性「SPI F‑RAM」をご紹介します。 センサーや機器のデータストレージ、衛星の校正データのデータロギング、 およびプロセッサのブートコードアプリケーションに好適。 事実上無限の耐久性、即時不揮発性書き込みテクノロジー、100年以上の データ保持、シングル イベント アップセット(SEU)の影響を受けない機能は、 宇宙アプリケーション向けの信頼性の高い不揮発性メモリです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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Cypress FL‑L NOR フラッシュメモリ

Cypress FL‑L NOR フラッシュメモリ

ピン数の少ないクワッドSPIを使用することで基板スペースを節約します！

『Cypress FL‑L NOR フラッシュメモリ』は、高性能組み込みシステム向け の4KB均一セクタサイズを備えた最速クラスの製品です。 67MBpsの読み取り帯域幅により、⾼性能システムの⾼速プログラム実行を保証。 4KBの均一なセクターサイズにより、プログラムコードとパラメトリック データの保存に最大限の柔軟性が提供され、メモリ使用効率が向上します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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4MビットFeRAM​『MB85RS4MTY』※資料4点進呈中

4MビットFeRAM​『MB85RS4MTY』※資料4点進呈中

最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、産業機械向けに好適な不揮発性メモリ

「FeRAM​」は、強誘電体の素子を使用した不揮発性メモリです。 高書き換え耐性・高速書き込み・低消費電力といったメリットをもちます。 特に『MB85RS4MTY』は、2MビットFeRAM​「MB85RS2MTY」の さらなる大容量化ニーズに応えるべく開発された4MビットFeRAM​。 125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数ができ、 先進運転支援システム（ADAS）を代表とする車載向けや 産業用ロボット向けに好適です。 【特長】 ■1.8～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作 ■SPIインターフェースを採用 ■高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、 　パワーダウン電流が最大30μAと低消費電力 ※「FeRAM​」の詳しい特長や採用事例を紹介した資料を進呈中。 　“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

  • fig_01_tcm276-6138595_tcm276-2750236-32.jpg
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強誘電体メモリ「FeRAM」の基礎知識　～商談事例編～

強誘電体メモリ「FeRAM」の基礎知識　～商談事例編～

半導体の不揮発性メモリであるFeRAMについて車載向けや産業向け（工場系）・インフラ向けなどのアプリケーション事例を紹介！　

強誘電体メモリ『FeRAM​の商談事例』についてご紹介いたします。 カーナビやドライブレコーダなどの車載向けアプリケーションでは、 "リアルタイムでのデータの連続記録"などがメモリに要求されます。 必要とされる特長は、高速書換え耐性、不揮発性、高速書込み。 当製品は、要求する特長を兼ね備えたメモリです。 「データを頻繁に取得したいが、メモリの書換え制限でできない」 「瞬断や停電のときに書込み中のデータ保護の対策が難しい」 このような課題をお持ちのお客様は、是非FeRAM​をご検討ください。 【商談事例（抜粋）】 ＜車載向け＞ ■メモリへの要求 ・リアルタイムでのデータの連続記録／アクシデント発生時でのデータ保護 ■必要とされる特長 ・高書換え耐性／不揮発性／高速書込み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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不揮発性メモリ『MB85R8M2TA』

不揮発性メモリ『MB85R8M2TA』

100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAM​を開発！高速動作と低消費電力を実現

『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAM​です。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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不揮発性メモリ『MB85RQ8MLX』

不揮発性メモリ『MB85RQ8MLX』

54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI FeRAM​を開発しました

『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM​ (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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不揮発性メモリ「FeRAM」のPLCへの採用事例

不揮発性メモリ「FeRAM」のPLCへの採用事例

予期せぬ電源消失も怖くない：瞬停直前のデータを保存して確実な復帰を可能にするFeRAM搭載！

PLC、モーションコントローラ、サーボモーター、HMI等のファクトリー オートメーション用機器を幅広く手掛ける世界的なグローバルカンパニーである 顧客はPLCを始めとする幅広い製品でFeRAMを採用しています。 EEPROMやFLASHメモリ等の従来型の不揮発性メモリでは書き込みの速度が遅く、 最終ユーザからの要求を満足する仕様の実現が厳しいことが明白でした。 高速な不揮発性メモリに採用を絞り、また市場での高い実績のある メモリとしてFeRAMが候補として挙がり、採用を決定しました。顧客はFeRAMを 採用した製品により、最終ユーザ数を更に増加させ、市場での評判と実績を 確実なものとしております。 【事例概要】 ■PLCにおいて、FeRAMはその高速書き込み、高書き換え耐性、優れたデータ 　保持性により、高い信頼性とメンテナンス容易性、及び長いシステム寿命の 　実現を可能にする ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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不揮発性メモリ「FeRAM」の計測器(温調器)への採用事例

不揮発性メモリ「FeRAM」の計測器(温調器)への採用事例

ミリ秒単位の温度管理を可能に：FeRAMによる高速データ書き込みと長寿命化の実現

FeRAMが採用されている事例では、元々利用していたEEPROMの性能不足による トラブルが原因でFeRAM搭載の検討を開始いただいたものがあります。 書き換え耐性においては、FeRAMとSRAMが要求を満たしていましたが、 障害によりシステム電圧が失われた際でもFeRAMの場合はバッテリの バックアップが不要というメリットがあり、FeRAMの採用が決まっています。 FeRAMの採用により製品の精度、寿命などの信頼性が向上し、またバッテリや キャパシタを使用するための周辺回路の削減につながり、シンプルの回路構成で お客様の開発コスト低減にも寄与しています。 【事例概要】 ■不測の障害でも迅速に復旧 ■ミリ秒単位のログデータも記録可能な高書き換え耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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