Last Updated： Aggregation Period:2026年01月28日～2026年02月24日
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熱伝導材料(TIM)があらかじめ塗布！高い自動化レベルを実現
「EasyPACK 2B IGBTモジュール」は、IGBT4とEmitter-controlled 4ダイオードを搭載している製品です。 「EasyBRIDGE 2200V 整流器モジュール」は、2.2 kV整流 ダイオードを搭載し、Easy 1Bパッケージに収められています。 どちらのモジュールも、熱伝導材料(TIM)があらかじめ塗布されており、 お客様は生産工程でサーマルグリスを扱う必要がなくなり、高い自動化 レベルを実現可能です。 【特長】 ＜EasyPACK 2Bパッケージ＞ ■IGBT4 チップ世代 ■Emitter-controlled 4ダイオード ■1700V、75A ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
絶縁耐圧2500V！高速性能に特化したIGBTを採用したモジュール
『GSA75AA120』は、UL規格対応のIGBTモジュールです。 小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ。高速性能に特化したIGBTを 採用し、IGBTに合わせて好適設計した高速ダイオードを搭載しております。 また、ヒートシンクへの直接取り付けが可能です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■優れた高速性能(40kHz～70kHz) ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
GSA75AA120 IGBTモジュール
・小型 高信頼性パッケージ 小型高信頼性のSOT-227標準パッケージ・ヒートシンクへの直接取り付けが可能・絶縁耐圧2500V・RoHS対応 ・優れた高速性能(40~70khz) 高速性能に特化したIGBTチップを採用しIGBTに合わせて最適設計した高速ダイオードを搭載
イギリスのパワー半導体メーカー・ダイネックス社(Dynex Semiconductor Ltd)をご紹介
当社では、『イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売』を行っております。 ダイネックス社は、イギリス・リンカーン市に本社をおく、 パワー半導体メーカーです。 チップ製造から組立、検査と全て一貫生産。 バイポーラ製品（ダイオード、FRD、サイリスタ、GTO）をはじめ、IGBTや パワー半導体スタックを扱っております。 【主な製品】 ■IGBTモジュール ■FRDモジュール ■一般整流平型サイリスタ ■GTOサイリスタ（平型） ■シンメトリック バイパス サイリスタ（平型） サイリスタ、ダイオード、GTOなどのバイポーラ製品では、電流で11,000A、電圧で8,500Vまでのハイパワーをカバーする製品ランナップを揃えています。 IGBT、FRDモジュールは、シリコンウェハからパッケージングまで全て社内一貫生産で、6500Vまでの高耐圧クラスをラインナップしています。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
GSA100AA60 IGBTモジュール
・低スイッチング周波数領域での低損失を追求 SanRex社独自の専用IGBTチップ採用により低Vce(sat)を実現(1.12V Typ 125℃) ・小型 高信頼性パッケージ AC/DC TIG溶接機構成例 SOT-227パッケージの他デバイスとの組み合わせにより搭載機器の小型化に貢献
バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス
『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21,STA1F(S ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4 ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D ■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ！ヒートシンクへの直接取り付けが可能
当社で取り扱う、IGBTモジュール『GSA100AA60』をご紹介いたします。 当社独自の専用IGBTチップの採用により低Vce(sat)を実現(1.21V Typ 125℃)。 無停電電源装置(UPS)などのバイパスACスイッチや表面処理用正逆反転パルス 電源などへの用途に好適です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低スイッチング周波数領域での低損失を追求 ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
すべてのアプリケーションタイプと出力範囲に同じプラットフォームを使用することで、製品の迅速な市場投入が可能！
IGBT5と.XTを搭載した当製品は、要求されるシステムの可用性と長期耐久性に 加えて、高い信頼性と堅牢性に応えます。 より高い電力密度を可能にし、.XT相互接合技術はサーマルサイクルおよび パワーサイクル能力の向上により寿命を延ばします。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■低インダクタンスの設計向けに最適化 ■動作時の最大ジャンクション温度を拡張 ■Tvjop ＝ 175℃ ■IGBT4に比べて出力電流を25％以上増加 ■銅ボンディング接合による高い通電能力 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
TRENCHSTOP IGBT7および1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載！
当社で取り扱っている「F3L600R10W4S7F_C22」についてご紹介いたします。 内部のANPCトポロジーは、DC1500Vのソーラーストリングインバーターに 好適で、1枚のモジュール構成で最大350kWを実現します。 他のEasyシリーズと同じ高さ12mmのパッケージのため、お客様の設計に 合わせたアップグレードが容易に行えます。また、ケーブルなどの部品が 少なくて済むため、システムコストを削減することができます。 【特長】 ■新しいEasy4Bパッケージ ■ANPCトポロジー ■950V TRENCHSTOP IGBT7と1200V CoolSiC ショットキーダイオード ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高出力アプリケーション向けの新しく柔軟なIGBTプラットフォームです。
Infineon Technologies社の『XHP 3』は、高い信頼性と高電力密度を実現する拡張性の高い設計が可能なモジュールです。 トラクション(電鉄)、CAV、海上輸送、中電圧駆動機器など、要件が厳しい アプリケーションに対して優れたソリューションを提供します。 現在 2つのモデルがあり、それぞれ同じサイズのため、好適な電力変換 コンセプトを組み込むために異なる定格電流や定格電圧を採用しても、 製品設計者は均一なソリューションを構築することができます。 【特長】 ■優れたシステム拡張性 ■シンプルな機械的設計によりデザインインのプロセスを加速 ■損失を低減したクリーンなスイッチング動作 ■絶縁（10kV）に対する要求が高い3レベルアプリケーションに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
IGBT7を搭載！電力密度が高く、スイッチング周波数が向上しているため、冷却を簡素化できます
『EconoPIM／PACK2／PACK3』は、TRENCHSTOP IGBT7チップが搭載された IGBTモジュールです。 過負荷状態での連続運転温度（Tvjop）は最大175℃で、産業用ドライブ アプリケーションに好適。IGBT7は、IGBT4に比べて電力密度が高く、 スイッチング周波数が向上しているため、冷却を簡素化できます。 全体として動作条件を変えることなく、同等以上の製品寿命を実現しています。 【特長】 ■耐圧1200V、定格電流35A～200A ■Econo2、Econo3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■TRENCHSTOP IGBT7チップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高い電力密度と性能によりシステムコスト削減！より低い電流定格を備えたラインアップ
『FF300R12ME7_B11』は、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載し、 300～900Aの電流定格を実現したEconoDUAL 3モジュールです。 TRENCHSTOP IGBT7技術との組み合わせにより、損失の大幅な低減、 高レベルの制御性とソフトなスイッチング、高い短絡耐量を実現。 過負荷時の最大動作温度175℃にあわせて、高い効率と電力密度を実現し、 システムの簡素化とコスト削減を可能にします。 【特長】 ■300～900Aのフルラインアップ ■1200V ■TRENCHSTOP IGBT7チップ世代 ■高電流クラス用に改良されたパッケージ（750A、900A用） ■PressFIT制御ピンとネジ式パワー端子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。 IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層に欠陥（ライフタイムキラー）を作成することによって行われています。断面からの低温顕微PL分析を行うことによって、ライフタイムキラーに関する知見を得ることが可能です。
高電力密度！設計者に最大限の柔軟性を提供する幅広いラインアップ
『EconoPIM/EconoPACK2/EconoPACK3』は、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載 した製品です。 6パック構成の「EconoPACKモジュール」に、50、75、100、200Aのバージョン が追加。また「EconoPIMファミリー」には、適用済みの熱伝導材料(TIM)、 はんだピン、PressFITオプションなど、お客様が選択可能なオプションを追加。 IGBT7は電力密度が高く、スイッチング周波数が向上しているため、 冷却を簡素化可能です。 【特長】 ■1200V、50A～200A ■Econo2およびEcono3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■新しいTRENCHSTOPIGBT7チップ ■はんだピン、PressFITピンおよびTIM(熱伝導材料)塗布のオプションを選択可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Xinerは、2013年に設立されました。
Xinerは、2013年に設立され、我々は深セン正源科技、深セン国有資産監督管理委員会、深セン人材革新基金、大陳ベンチャーキャピタル、方光資本、厦門ファルコンと他の有名な機関から共同出資を受けています。IGBTチップ、IGBTドライバチップ、ハイパワーインテリジェントパワーモジュールの開発、応用、販売に力を注いでいます。Xiner に経験豊富で、実用的なチームがあります。主要な人員は10年以上の業界経験を蓄積しており、中国で初めてFST技術に基づくIGBT製品の量産に成功しました。Xinerは上海と深圳に研究開発センターを持ち、深圳、上海、青島、順徳、杭州に営業所を設立して、お客様のニーズに迅速に対応しています。 ザイナーは、アプリケーション指向、研究開発、オープンな協力というビジネス哲学を堅持しています。お客様のアプリケーション要件を深く探求し、IGBT関連製品の研究開発と設計に注力し、業界のベストパートナーと協力して、お客様に最も安定的でコスト効率の高いパワーデバイスを提供しています。
