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様々なタイプの有機LEDを例に計算のための物理モデルや解析
クロスライトのデバイスシミュレーターAPSYS(アプシス)で様々な有機LED(Organic Light-Emitting Diodes)のシミュレーションを紹介。有機半導体(organic semiconductor)に対する量子移動拡散(quantum drift-diffusion)モデルと解析。3D光線追跡(3D ray-tracing)による光抽出(non-microcavity mode)。フレンケル励起子(Frenkel exciton)を伴ったエレクトロルミネセンス(electroluminescent)スペクトルのモデリング。マイクロ共振器(microcavity)効果を含めた計算。アクティブマトリクス式有機EL(AMOLED)への適用。三重拡散層を使った白色有機EL(WOLED)の解析。低電圧PIN構造の特性をシミュレーションと実験結果の比較。タンデム型有機EL(OLED)の解析。
InGaN/GaN量子ドットLEDのデバイス解析ツール
LEDデバイスを例に量子ドット(quantum dots)のモデルを解説。量子ドットサイズごとの発光スペクトル(EL spectrum)をシミュレーション。また、実験結果とも比較。量子輸送の有無によるI-V特性をシミュレーション、結果を比較。また、実験結果とも比較。量子効率の解析、比較。量子ドットの密度の違いによる量子効率や発光スペクトルを比較。また、量子ドット(quantum dots)と量子井戸(quantum wells)のLEDデバイスの特性を比較。
青色発光ダイオードにおける分極電荷の効果とデバイス構造最適化のための解析ツール
様々な物理モデル。（ウルツ鉱材料に応じた多重量子井戸(Multiple Quantum Wells)モデルに基づくk.p.理論。表面分極電荷(polarization surface charge)/自己無撞着モデル(self-consistent model)。量子井戸(quantum wells)または量子ドット(quantum dots)のための多体(Manybody)利得(gain)/自然放出(spontaneous emission)理論。非平衡量子輸送モデル(Non-equilibrium quantum transport model)。）InGaN/GaN MQWの青色LEDの特性における分極電荷の効果の有無を比較。（バンド図(band diagram)、ELスペクトル(EL spectrum)、I-V特性(I-V curve)、内部量子効率(IQE: internal quantum efficiency)）また、構造の最適化を検討。（インジウム(In: indium)組成の依存性、量子井戸(quantum well)数の依存性、量子井戸(well)/障壁層(barrier)の厚さ依存）
