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MOSFET(抵抗) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年08月20日~2025年09月16日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

MOSFETの製品一覧

1~7 件を表示 / 全 7 件

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OptiMOS 5 MOSFET 25V/30V

PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗!最大55Aまでの高連続電流対応

『OptiMOS 5 MOSFET 25V/30V』は、高性能アプリケーション向けに最適化された 製品です。 小型な外形、オン抵抗〔RDS(on)〕、スイッチング性能において、素晴らしい 新基準を打ち立てました。 PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗。基板の配線設計の自由度が 高い小型パッケージです。 【特長】 ■高性能アプリケーション向けに最適化 ■高い効率と電力密度を実現するために最適化済み ■大幅な省スペース化を実現 ■システムコスト削減 ■きわめて低い電圧オーバーシュート ■並列化の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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MOS FET シングルNチャンネル(ELM43400CB)

【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。

シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルNチャンネルのELM43400CB は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性がある製品もあります。弊社HPをご確認ください。 ※43400CBの詳しくはカタログをご覧いただくか、またはお気軽にお問い合わせ下さい。

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MOS FET シングルPチャンネル(ELM43401CA)

【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。

シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルPチャンネルのELM43401CA は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性がある製品もあります。弊社HPをご確認ください。 ※43401CAの詳しくはカタログをご覧いただくか、またはお気軽にお問い合わせ下さい。

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【資料】しるとくレポNo.53#アバランシェ試験(2)

デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説!適当なパラメータを持つMOSFETを例にして計算を行います

★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定されたデバイスを比較しても あまり意味はありません。データシート値のみを参考にするだけではなく、 できるだけ実動作に近い環境で実測することをお勧めします。 【掲載内容】 ■デバイスの過渡熱抵抗 ■アバランシェ動作時の損失と時間の関係 ■Tjと時間のグラフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • その他受託サービス
  • 受託検査

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MOSFET SupIR SMD-2

基板実装後の温度印加による熱膨張収縮に伴うパッケージクラックリスクを軽減

防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 SupIR SMD-2の特長 ■小型・軽量 ■温度抵抗0.25℃ / W減(キャリア付SMD-2との比較) ※画像を参照下さい ■パッケージ抵抗の軽減 ■寄生インダクタンスの軽減 ■より高いIDの電流定格 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせください。

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『CSD18541F5』

60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD18541F5』

54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、 スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、 フットプリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。 標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えることで、 フットプリントサイズを大幅に低減できます。 【特長】 ■低オン抵抗 ■きわめて低いQgおよびQgd ■超小型フットプリント:1.53mm×0.77mm ■低プロファイル:高さ0.35mm ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。

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MOSFET R9シリーズ

航空・防衛機器向け高信頼性MOSFETs(Hermetic MOSFETs)と耐放射線性を有する宇宙機器向けMOSFETs

ご用途やご要求仕様に応じ、防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 R9シリーズの特長 Super Junction Technologyを採用したR9シリーズをリリース ■性能指標 FoM (オン抵抗RDSON × 電荷Qg)の大幅な改善 ■シングルイベントエフェクト(SEE)耐性の向上 ■パッケージは、表面実装(SMD-0.2、 SMD-0.5、 SMD-2)、  スルーホール(TO-254、 TO-257)の他、SupIR SMD-2にも対応 ※比較 【従来品】          【R9シリーズ】 ■RDS(ON)=30(mΩ)    ■RDS(ON)=18(mΩ) ■Qg=45(nC) ■Qg=45(nC) ■ID=22(A) ■ID=40(A) ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせください。

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