デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説！適当なパラメータを持つMOSFETを例にして計算を行います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定されたデバイスを比較しても あまり意味はありません。データシート値のみを参考にするだけではなく、 できるだけ実動作に近い環境で実測することをお勧めします。 【掲載内容】 ■デバイスの過渡熱抵抗 ■アバランシェ動作時の損失と時間の関係 ■Tjと時間のグラフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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