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よりコンパクトに、より簡単に設計可能！アクティブブリッジ整流に好適
『CoolMOS S7』は、コンパクトなSMDパッケージの 高電圧SJ MOSFETに関して、低伝導損失と低いRDS(on)を 特長として最適化されている製品です。 RDS(on)×価格メリットの数字を搭載し、ソリッドステート回路 ブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、ハイパワー電源の アクティブブリッジ整流に好適。 また、トップサイド冷却により伝導損失を小さく抑え、 電力密度を大きくする、効率的なSMD冷却を実現しました。 【特長】 ■低RDS(on) ■コンパクトな上面冷却型QDPAK＆TO-220パッケージ ■導通性能に最適化 ■耐熱性の向上 ■高パルス電流対応 ■ケルビンソース端子により、大電流でのスイッチング性能を改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー密度の向上が可能！ThinPAK 8x8に封止されたスーパージャンクションMOSFET
『650V CoolMOS CFD7』は、高速ボディダイオードを内蔵し、大電力の 共振トポロジーに好適なスーパージャンクションMOSFETです。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフルブリッジ (ZVS) 回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、高い効率を実現。 産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率と全負荷効率の向上、 また転流本格使用に備えた優れた堅牢性といった利点があります。 【特長】 ■転流本格使用に備えた優れた堅牢性 ■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加 ■パワー密度の向上が可能 ■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率 ■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説！適当なパラメータを持つMOSFETを例にして計算を行います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定されたデバイスを比較しても あまり意味はありません。データシート値のみを参考にするだけではなく、 できるだけ実動作に近い環境で実測することをお勧めします。 【掲載内容】 ■デバイスの過渡熱抵抗 ■アバランシェ動作時の損失と時間の関係 ■Tjと時間のグラフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
