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SICMOSFET - 企業5社の製品一覧とランキング

更新日： 集計期間:2025年04月02日～2025年04月29日
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企業ランキング

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  1. 武蔵野物産株式会社 東京都/電子部品・半導体
  2. モリ電子工業株式会社 大阪府/電子部品・半導体
  3. 旭テック株式会社 大阪府/電子部品・半導体 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
  4. マウザーエレクトロニクス 東京都/商社・卸売り
  5. インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 東京都/電子部品・半導体
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製品ランキング

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  1. SiCウエハ（6インチ/8インチ) / SiC MOSFET 武蔵野物産株式会社
  2. SiC MOSFET 2000 V インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  3. SiC MOSFET『FMG50AQ120N6』 モリ電子工業株式会社
  4. SiC MOSFET FMG50AQ120N6 旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
  5. 4 大容量電源にSiC MOSFET【東芝デバイス＆ストレージ】 マウザーエレクトロニクス

製品一覧

1～7 件を表示 ／ 全 7 件

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SiCウエハ（6インチ/8インチ) / SiC MOSFET

SiCウエハ（6インチ/8インチ) / SiC MOSFET

SiCウエハーのみならず原料、プロダクトデザイン、SiCパワーデバイスまでSiCチェーンを総合的にサポート出来ます。

Qingdao JZLEAP Semiconductor Co. Ltdは中国Jiazhan Holding Groupと台湾LEAP Semiconductor Co.により2021年に中国　青島に設立された会社です。SiC基板の研究開発、製造、販売を行っています。ヨーロッパ、アメリカの研究機関と共にSiC製品チェーンの問題改善に努め研究開発へ継続的に投資してきました。SiC材料のコストはデバイスコストの 50% 以上を占めており、これが需要の拡大を抑えるボトルネックとなっていました。高品質な生産ラインの構築と歩留まり改善によりSiC製品の品質、コスト競争力を高め更なる商業化を目指すグローバル企業です。 https://jzleap-semi.com/en/about/about グループ企業のLEAPSiC Semiconductorは、SiC MOSFET/ダイオードといったパワーデバイス/のモジュールの製造・販売を行っています。グループ内で材料、SiCウエハ、製品デザイン、SiCデバイスまで総合的にサポートできます。 https://leapsic-semi.com/en

  • ダイオード
  • セラミックス

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SiC MOSFET FMG50AQ120N6

SiC MOSFET FMG50AQ120N6

高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品

・放熱性を兼ね揃えた絶縁型パッケージ(Rth(j-c)=0.22℃・w Typ) ・ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、より高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用 ・業界トップクラスの低オン抵抗(15mΩ Typ Tj=150℃)

  • その他電子部品

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大容量電源にSiC MOSFET【東芝デバイス＆ストレージ】

大容量電源にSiC MOSFET【東芝デバイス＆ストレージ】

産業機器にも最適な1200V ！高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献！

東芝デバイス＆ストレージの産業機器・大容量電源向け1200V Sic MOSFETを紹介します。 SiC MOSFETの信頼性を向上させる株式会社東芝の第2世代チップデザインを採用。 ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減します。 また、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵し、 電力損失も低減します。 【応用機器】 ■産業機器等の高出力・高効率大容量AC-DCコンバーター ■太陽光インバーター ■UPS等の大容量双方向DC-DCコンバーター ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

  • その他電子部品

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SiC MOSFET 2000 V

SiC MOSFET 2000 V

グリーンで効率的なエネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現！

『SiC MOSFET 2000 V』は、O-247PLUS-4-HCCパッケージ 12～100mΩのラインアップで提供しています。 10～80Aのダイオード製品と組み合わせることで、過酷な高電圧および 高スイッチング周波数条件下でもシステムの信頼性を損なうことなく 電力密度を向上させるよう設計されています。 CoolSiC技術の低い電力損失は、2000V用に最適化されたパッケージの .XT相互接合技術によって信頼性を向上させ、グリーンで効率的な エネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現します。 【特長】 ■VDSS ＝ 2000V：DCリンク1500Vまでのシステム用 ■きわめて低いスイッチング損失 ■革新的なHDCパッケージ ■沿面距離 14mm ■空間距離 5.4mm ■業界標準となるゲート閾値電圧：VGS(th) ＝ 4.5V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品
  • その他 電子部品・モジュール

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SiC MOSFET『FMG50AQ120N6』

SiC MOSFET『FMG50AQ120N6』

パッケージのスペースを最大限に有効活用できるため低いRDS(on)を実現

『FMG50AQ120N6』は、TO-247-4Lパッケージ(絶縁)のSiC MOSFETです。 両面はんだ接合による配線抵抗の低減と強固な接合を実現。 還流ダイオード(FWD)機能を内蔵しており、高いノイズ耐性がございます。 産業用インバーターや無停電電源装置(UPS)、各種スイッチング電源などに 好適です。ご要望の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

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産業および車載グレードSiC MOSFET

産業および車載グレードSiC MOSFET

より高い集積度、最適化された電源ループ設計、およびシステムコストとアセンブリコストの削減を実現！

当製品は、高いシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高い SiC MOSFETです。 「CoolSiC MOSFET 750 V」は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を 活かし、性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 高い効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を 実現します。 革新的な上面放熱パッケージは、「CoolSiC 750 V」の強みをさらに強化し、 より高い集積度、最適化された電源ループ設計、およびシステムコストと アセンブリコストの削減を実現します。 【特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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D2PAK-7パッケージ搭載 SiC MOSFET 1200V

D2PAK-7パッケージ搭載 SiC MOSFET 1200V

ハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方で、主要な特性値が大幅に改善！

D2PAK-7L(TO-263-7)パッケージの当製品は、第1世代の技術がもつ強みを 活かして、よりコスト最適化された、効率的でコンパクト、高信頼性の ソリューションのシステム設計を加速させられます。 第2世代は、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに 適したハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方で、 主要な特性値が大幅に改善されています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■きわめて低いスイッチング損失 ■過負荷時の最大温度 Tvj ＝ 200℃ ■短絡耐量 2 μs ■業界標準となる閾値電圧、VGS(th)＝4.2V ■寄生ターンオンに対する堅牢性、0 Vターンオフゲート電圧を印加可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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