SiCウエハーのみならず原料、プロダクトデザイン、SiCパワーデバイスまでSiCチェーンを総合的にサポート出来ます。
Qingdao JZLEAP Semiconductor Co., Ltdは中国Jiazhan Holding Groupと台湾LEAP Semiconductor Co.により2021年に中国 青島に設立された会社です。SiC基板の研究開発、製造、販売を行っています。ヨーロッパ、アメリカの研究機関と共にSiC製品チェーンの問題改善に努め研究開発へ継続的に投資してきました。SiC材料のコストはデバイスコストの 50% 以上を占めており、これが需要の拡大を抑えるボトルネックとなっていました。高品質な生産ラインの構築と歩留まり改善によりSiC製品の品質、コスト競争力を高め更なる商業化を目指すグローバル企業です。 https://jzleap-semi.com/en/about/about グループ企業のLEAPSiC Semiconductorは、SiC MOSFET/ダイオードといったパワーデバイス/のモジュールの製造・販売を行っています。グループ内で材料、SiCウエハ、製品デザイン、SiCデバイスまで総合的にサポートできます。 https://leapsic-semi.com/en
この製品へのお問い合わせ
基本情報
＜SiCウエハー＞ 8 インチ N型4H-SiC(Production, Research, Dummy) 6 インチ N型4H-SiC(Production, Research, Dummy) 6 インチ 半絶縁型4H-SiC(Production, Research, Dummy) ＜SiC MOSFET/Diode> 650V 10A JBS Diodes 650V 4A JBS Diodes 1200V 10A JBS Diodes 1200V 80mOhm MOSFET 1200V 10A MPS Diodes 1200V 80mOhm MOSFET 1200V 100A MPS Diodes 1200V 80mOhm MOSFET 1200V 40mOhm MOSFET 1700V 1Ohm MOSFET 1200V 10A MPS Diodes 1200V 15mOhm MOSFET 3300V 1Ohm MOSFET ＊上記以外でもお探しのものあればお問い合わせください。
価格帯
納期
※お気軽にお問い合わせください。
用途／実績例
電気自動車、充電パイル、太陽光発電インバーター、UPS、風力発電機など。 耐熱、耐電圧、高周波数、ハイパワーなど従来のSi、Ge, GaAs、InPより性能が求められる光デバイス、パワーデバイス、マイクロ波デバイスなどに使用されます。
カタログ（1）
カタログをまとめてダウンロード
企業情報
エレクトロニクス業界は現在、通信・コンピュータ・デジタル家電が融合し、無限の可能性を提供しております。 武蔵野物産株式会社は1962年の創業以来、電子部品・デバイス・材料・機器類の専門商社として内外のお客様へ幅広く供給を行い、現在に至っております。 これからも日々進歩する技術の習得に努めるのはもちろんのこと、お客様の要求に的確かつ迅速に対応できる「スピード」ある組織作りに全力を尽くし、時代に評価される企業の実現に向け全社員一丸となり、果敢に挑戦し続ける所存であります。 平素の皆様のご協力に心より感謝申し上げますと共に、今後ともより一層のご指導・ご鞭撻をお願い申し上げる次第です。