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SiC、GaNなど半導体技術・製品の提供
当社では、SiCウエハ、GaNウエハ、DLTS測定装置などの 「ワイドギャップ半導体」を取り扱っております。 シリコン半導体を凌ぐポテンシャルを持つ、半導体である ワイドバンドギャップ半導体の製品・サービスを幅広く提供。 その他、欧州partner各社のガラス溶解エンジニアリングに 必要な種々の部材、装置、技術を国内顧客に提案しております。 【2つの事業】 ■半導体部門：SiC、GaNなど半導体技術・製品の提供 ■ガラス溶融技術部門：分析・シミュレーションサービスと製造用装置の提供 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など！様々な物性情報が得られます
弊団では、第一原理計算によるワイドギャップ半導体 窒化ガリウム(GaN) における欠陥準位の解析を行っております。 ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は主にパワーデバイスの 分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が 高まっています。 ここでは第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損(VN)が形成する 欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。 【測定法・加工法】 ■[PL]フォトルミネッセンス法 ■計算科学・AI・データ解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
