ボンディング性評価のためのシリコンエッチング技術
ワイヤーボンディング部の接合面を平面から観察！数値による評価が可能となりました
IC等におけるワイヤーボンディング部の接合状態を正しく評価するためには、 接合面での金属間化合物の生成状態を観察する必要があります。 金属間化合物の面積が大きければ、接合面がそれだけ広い事になり、 ボンディングOKと評価できます。 一般的な断面観察では、金属間化合物の生成状態をある1点でしか確認できず、 評価の裏付けとしては弱さの残るものでした。 クオルテックでは、ボンディングされた箇所の裏面からシリコンをエッチング する事で、金属間化合物の生成状態を、より明確に観察する技術を開発。 金属間化合物の面積を算出し、数値による評価が可能となりました。 【特長】 ■ワイヤーボンディング部の接合面を断面ではなく平面から観察 ■金属間化合物の生成状態を明確かつ定量的に評価することが可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社クオルテック
- 価格：応相談
