ウエハ型セラミックタイプ(サファイア基板)変色の温度依存性
Arプラズマでは変色色差は小さく、O2プラズマでは変色色差が大きくなる傾向
ウエハ型セラミックタイプ(サファイア基板)変色の温度依存性の 技術データについてご紹介いたします。 ウエハ型セラミックタイプを400℃加熱しながらプラズマ処理した場合、 Arプラズマでは変色色差は小さくなる傾向が見られ、O2プラズマでは 変色色差が大きくなる傾向が見られました。 変色の温度依存性はあるが、400℃でもインジケータとして使用可能である ことを確認したという結果になりました。 【Ar/O2プラズマ処理 概要】 ■方式：CCP(RF) ■初期真空度：5.0×10^-4Pa ■RFパワー：50W ■ガス流量：40sccm ■処理ガス圧：10Pa ■処理時間：10分 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。 ※画像1枚目がArプラズマ処理、2枚目がO2プラズマ処理。
- 企業：株式会社サクラクレパス PI事業部
- 価格：応相談
