1～2 件を表示 ／ 全 2 件
人体や環境に配慮！P型半導体で2インチの基盤上に製作可能で、高配向性と低抵抗力を持つ
『硫化スズナノシート』の材料となっている”硫化スズ”は有害物質を 含んでおらず、構成する元素も自然界に存在することから、人体や環境に 配慮しております。 P型半導体で2インチサイズの基盤上に製作することができ、高配向性と 低抵抗力の特長を持っています。 サンプル提供、配向性・膜厚・結晶色は調整等が可能となっております。 【シート特性例(一部)】 ■タイプ：P型 ■結晶色：グレー ■薄膜厚み：400-600nm ■方位：010 ■比抵抗：10-20Ωcm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
従来技術に比して、低コストで高品質な層状MoS２、層状グラファイトが作成可能です。
低消費電⼒・新機能性を持つ次世代ナノデバイスへの出口としてMoS2が注目されている。現在の作成方法は、イオンを挿⼊し層間 距離を広げ剥離する⼿法であるインターカレーションを用いる方法や、薄膜成分を含む原料ガスを供給し基板表⾯に膜を堆積する⼿法である化学気相蒸着（ＣＶＤ）法が存在するが、前者は低品質であり、後者は高価で生産性が低いといった課題があった。本発明は、上記課題を解決する低コストで、層間の残留物が少なく、配向性が高いといった高品質な新規層状ナノシートの作製方法に関する。層状ナノシートの作製例は、MoS２、グラファイトであるが、それ以外の層状ナノシートも作製可能である。
