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元のシリカの形状を損ねず、表面で選択的にヘクトライト様層状ケイ酸塩が成長します
「吸着機能に優れた粘土ナノシートをシリカゲルで直接育成する技術」に ついてご紹介します。 陽イオン交換体は、カラムに充填して利用されるか、水に分散して利用 しますが、後者の場合は吸着剤の回収が容易であることが重要です。従来の 技術では、ろ過や遠心分離で回収することで微粒子(ナノレベル)であると 困難な場合がありました。 当技術では、本来、膨潤剥離する溶媒中でもほとんど剥離しないので 溶液中からの回収が容易。シリカ表面を薄く被覆するので、流通系に おける分離等に役立ちます。 【特長】 ■膨潤剥離する溶媒中でも、ほとんど剥離しない ■溶液中からの回収が容易 ■シリカ表面を薄く被覆するので、流通系における分離等に役立つ ■出発シリカの形状に関係がない ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
小型電子デバイスに組み込むことができ、熱流の制御が可能
現在、電子デバイス等が発する200℃以下の廃熱は制御が難しいため、有効に再利用できないという問題がある。さらに、この廃熱は電子デバイスの性能の低下や寿命を縮めるといった問題を引き起こしている。なお、MEMSを用いて熱の流れを制御する熱機関が開発されているが、駆動部などを収納するために比較的大きなスペースが必要であり、小型化が進んだ電子デバイス等に組み込むのは困難であるという課題があった。 本発明は、小型化が進んだ電子デバイス等にも容易に組み込むことができ、熱流を制御可能なナノシートおよびナノシートの製造方法に関する。本発明のナノシートは、CuとOが鎖状・梯子状に結合した銅酸化物層を有し、厚みが100nm以下であることを特徴とする。この薄さのおかげで、小型化が進んだ電子デバイス等にも容易に組み込むことができ、熱伝導率を容易に制御することができる。
従来技術に比して、低コストで高品質な層状MoS２、層状グラファイトが作成可能です。
低消費電⼒・新機能性を持つ次世代ナノデバイスへの出口としてMoS2が注目されている。現在の作成方法は、イオンを挿⼊し層間 距離を広げ剥離する⼿法であるインターカレーションを用いる方法や、薄膜成分を含む原料ガスを供給し基板表⾯に膜を堆積する⼿法である化学気相蒸着（ＣＶＤ）法が存在するが、前者は低品質であり、後者は高価で生産性が低いといった課題があった。本発明は、上記課題を解決する低コストで、層間の残留物が少なく、配向性が高いといった高品質な新規層状ナノシートの作製方法に関する。層状ナノシートの作製例は、MoS２、グラファイトであるが、それ以外の層状ナノシートも作製可能である。
人体や環境に配慮！P型半導体で2インチの基盤上に製作可能で、高配向性と低抵抗力を持つ
『硫化スズナノシート』の材料となっている”硫化スズ”は有害物質を 含んでおらず、構成する元素も自然界に存在することから、人体や環境に 配慮しております。 P型半導体で2インチサイズの基盤上に製作することができ、高配向性と 低抵抗力の特長を持っています。 サンプル提供、配向性・膜厚・結晶色は調整等が可能となっております。 【シート特性例(一部)】 ■タイプ：P型 ■結晶色：グレー ■薄膜厚み：400-600nm ■方位：010 ■比抵抗：10-20Ωcm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
