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業界標準のSuperSO8パッケージで、4.5Vで非常に低いRDS(on)とQgが特長！
当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
マイクロコントローラーユニット(MCU)とのインターフェースが容易！
『OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET』は、コスパの良いパッケージと、 先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、 価格性能比が業界ですぐれた高性能製品を提供します。 中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを解消。 高速スイッチングと高いアバランシェ耐量のため、高品質で 要求の厳しいアプリケーションに適しています。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS(on) ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーMOSFETをご紹介
『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
同クラスで最も低いRDS(on)とWide SOAを備えたマーケットリーダー！
インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現
『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、 ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
