8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
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基本情報
【その他の特長】 ■ハロゲン不使用 ■ゲート・ソース電圧クランプ ※詳細はお問い合わせください。
用途／実績例
【用途】 ■コンシューマ向けハンドヘルド電子機器 ■ウェアラブルなどのスペースに制約のあるバッテリ駆動機器 ※詳細はお問い合わせください。
企業情報
テキサス・インスツルメンツ（本社：米国テキサス州ダラス、会長、社長兼 CEO：リッチ・テンプルトン、略称：TI）は、世界を「もっと便利に、健やかに、安全に、環境にやさしく、かつ楽しく」するような新しいエレクトロニクス機器を開発できるよう、お客様を支援し、共に課題解決に取り組んでいます。TI は世界 30 ヶ国以上に製造、設計ならびに販売拠点を展開し、イノベーションを追求し続けています。 TI のアナログ IC と組み込みプロセッシングは、デジタル機器が溢れる社会において、暮らしを見えないところから支えています。 今後益々重要になる環境、エネルギー分野、ヘルスケア、医療機器、セキュリティなどの市場にも積極的に製品や技術を投入しています。 技術お問い合わせ窓口 日本TIプロダクト・インフォメーション・センター 【http://www.tij.co.jp/pic/】
