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ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以下！
当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、 好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。 【特長】 ■低 RDS(on) ■高電流定格 ■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有
インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
多種多様なアプリケーションに対応！高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適
当社が取り扱う、産業機器向けのパワーMOSFET『StrongIRFET 2』を ご紹介します。 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンのMOSFET技術で、 低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 この新しいシリーズは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の効率化を実現
当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の 薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能と システム全体の効率化が可能です。 【特長】 ■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格 ■リンギング及び電圧オーバーシュート ■D2PAK 7ピン パッケージに比べて、ボードサイズを60％低減 ■ガルウィングリード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高出力・高利得・低ノイズなハイパワートランジスタ
高出力、高利得、高効率、低ノイズを特徴とするハイパワートランジスター。Point9社のメタルゲートMOSFETはは他同等品と比較して3~ 4dBの高利得性能を誇ります。Point9社は高い品質基準を保つために、MOSFETの専売と自社生産に力を入れております。
高速/低速両方のスイッチングに好適！より高性能な選択肢を提供
『StrongIRFET2パワーMOSFET60V』は、 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンの MOSFET技術です。 低速および高速の両スイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
幅広い用途に対応する豊富な製品ラインアップ！複数の販売パートナーで利用可能
「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに 対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の 両スイッチング周波数に適しています。 この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な 選択肢を提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
マイクロコントローラーユニット(MCU)とのインターフェースが容易！
『OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET』は、コスパの良いパッケージと、 先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、 価格性能比が業界ですぐれた高性能製品を提供します。 中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを解消。 高速スイッチングと高いアバランシェ耐量のため、高品質で 要求の厳しいアプリケーションに適しています。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS(on) ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現
『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能
当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
業界標準のSuperSO8パッケージで、4.5Vで非常に低いRDS(on)とQgが特長！
当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの新しい車載用MOSFETテクノロジー！
当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25％向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(＝RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
