パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素(SiC)MOSFETトレンチ技術を採用
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20%向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車(EV)充電、 モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。 【特長】 ■当社従来比で主要性能数値を最大20%向上 ■高速スイッチング能力も最大30%以上向上 ■負荷に応じて最大5~30%低い電力損失で動作 ■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ ※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。 お問い合わせもお気軽にどうぞ。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
【その他の特長】 ■放熱性能は前世代比で最大12%向上 ■SMDパッケージで供給可能な電力は最大60%以上増加 ■広範なアプリケーションで活用可能 ■堅牢で長期間の動作でも性能を維持 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
価格帯
納期
用途/実績例
※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
カタログ(2)
カタログをまとめてダウンロードこの製品に関するニュース(11)
企業情報
当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。