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◆感度範囲：400nm～1100nm◆はんだ付け可能チップフォトダイオード◆太陽電池等◆光導電性（太陽電池）はんだ付け可能チップ
■大きい有効径 ■豊富なサイズ ■高シャント抵抗 ■リード付又はリード無し 大きな活性面積光検出器または検出器は「使い捨て」とみなされる場合を必要とするアプリケーションに低コストのアプローチとなります。ハンダ付けリード付きまたはスタンドアロンのベアダイとして使用できます。感度範囲は400nm～1100nmです。
4・8・12・16のエレメントがリニアアレイとして配置
■ファイバリボンに合わせて250umピッチのデザイン ■80umの有効径でハイスピード・低暗電流対応 ■光アイソレーション50dB ■O・S・C・Lバンドに対応
InGaAS Quadrant PD
■波長レンジ：800nm～1700nm ■有効径：0.5／1.0／1.5／2.0／3.0mm ■高感度 ■高シャント抵抗 ■低暗電流 ■高セグメント帯域幅向け低容量 ■標準パッケージ：TO-5、TO-18
Low PDL InGaAs フォトダイオード
■有効径：0.3～5mm ■高感度 ■カットオフ周波数(1.7um) ■低偏波依存性損失(Low PDL) ■コネクタ付可能(FC、SC、ST、SMA)
Large Area InGaAs PD
■有口径：0.5mm～5mm ■カットオフ波長：1.7μm ■高感度用シャント抵抗 ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ ■光学フィルタ：濃度及びバンドパスフィルタ ■パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8
High Speed InGaAs PD
■小口径：60μm～300μm ■カットオフ波長：1.7μm ■高感度向け低暗電流 ■高速向け低容量(2.5GHz) ■パッケージ：ファイバピグテール、高信頼性ファイバピグテール付TO-46、レセプタクルとサブマウントタイプ
Two-Color Sandwich PD
■InGaAsの上にSi(1.7、2.05、2.2、2.6μm) ■上部受光部有効径：2.0mm又は5.0mm ■下部受光部有効径：1mm、2.0mm又は3.0mm ■InGaAs(1.7、2.05、2.2、2.6μm)の上にInGaAs(1.7μm) ■下部受光部有効径：1mm又は2.0mm ■標準パッケージ：TO-5、TO-8
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード、赤外フォトディテクタを製造している世界的な会社です
■有口径：0.3mm～5mm ■波長：0.5～1.7μm ■リニアオペレーション ■低暗電流、高感度 ■ファイバピグテール(シングルモード／マルチモード) ■パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8
Extended InGaAs PD
■有口径：0.3mm～3mm ■カットオフ波長：1.9μm、2.05μm、2.2μm、2.6μm ■高シャント抵抗 ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ ■パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード・赤外フォトディテクタの製造を行っています
■小から大口径まで各種：100μm～25mm ■波長感度域：800nm～1800nm ■高直線性：>10dBm ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ及びボールレンズ ■光学フィルタ：濃度フィルタ及びバンドパスフィルタ ■シングル及びデュアルステージの電子冷却可能 ■4分割フォトダイオード ■2色(Si/Ge)サンドイッチフォトダイオード ■カスタム付属品付パッケージ可能：ファイバピグテール、高信頼性ピグテール、レセプタクルとサブマウント ■各種パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8、TO-9、BNC
InGaAs Thermoelectric Cooled PD
■シングル／デュアルステージTEクーラ ■有効径：0.3mm～5mm ■高シャント抵抗 ■低暗電流／低リーク電流 ■高感度 ■カットオフ波長：1.7、1.9、2.05、2.2、2.6μm ■標準パッケージ：TO-5、TO-8、TO-66 ■ファイバピグテール・SMAレセプタクル付カスタムパッケージ
◆1次元または2次元アクティブ領域効果 ◆アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能 ◆ポジションセンシング
セグメント化され、1次元または2次元アクティブ領域に横効果PSDが利用できる。 幅広いアプリケーションに適合するように、アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能。 横効果のPSDが広い横方向の変位を測定するのに最も適しているのでセグメント化された検出器は、典型的には、ビームヌルアプリケーションで使用される。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
カメラや煙探知器、安全装置など、日常的に利用するさまざまな電子機器で使用！
「フォトダイオード」は、光を電気信号に変換する半導体デバイスです。 光のセンサ又は検出器として使用されており、代表的なのは半導体のpn接合を 利用したフォトダイオード。 光がフォトダイオードに入射すると、半導体の接合部分の電子が励起され、電流を 測定することにより光量を検出できます。 【ラインアップ(一部)】 ■フォトダイオード ams OSRAM 赤外線 Si スルーホール実装 5mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス IR ＋ Visible Light Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード ams OSRAM Full Spectrum Si スルーホール実装 3mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-5 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
