Siポジションセンサーフォトダイオード

基本情報

【分割型フォトダイオード】 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 SPOTシリーズは、2分割か4分割にセグメント化された共通基盤フォトディテクターです。 【加差動信号アンプモジュール】 QD7-0-SDまたはQD50-0-SDは、関連付けられた2つの差分信号を提供するための回路と和信号との分割フォトダイオードアレイです。 【２重横構造フォトダイオード】 スーパーリニア位置センサは、アクティブエリア上の中心から光スポットの重心の変位に比例連続アナログ出力を提供します。 【４重横構造フォトダイオード】 ４重横位置感知検出器は、両方の1と2次元測定のための単一の抵抗層を用いて製造されています。

価格帯

納期

用途／実績例

■分割型フォトダイオード ・機械工具軸調整 ・位置測定 ・光軸中心位置合わせ ・光表面プロファイル ・システム位置合わせ ■加差動信号アンプモジュール ・位置測定 ・光軸中心合わせ ・ターゲット ・システム位置合わせ ■２重横構造フォトダイオード ・光軸合わせ ・位置センシング ・角度測定 ・表面プロファイル ・高さ測定 ・ターゲット ・スステム位置合わせ ・動作分析 ■４重横構造フォトダイオード ・工具アライメント及びコントロール ・レベル測定 ・角度測定 ・３Ｄビジョン ・位置測定

詳細情報

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  【分割型フォトダイオード】 特徴 ・高精度 ・高分解能 ・高速応答 ・超低暗電流 ・対時間・温度高安定度

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  【加差動信号アンプモジュール】 特徴 ・QD50-SDモデルの10μmギャップ可能 ・QD7-XXやQD50-XXについてはカスタム対応可能

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  【２重横構造フォトダイオード】 特徴 ・スーパーリニアリティー ・超高精度 ・ワイドダイナミックレンジ ・高信頼性 ・２重横構造

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  【４重横構造フォトダイオード】 特徴 ・単一抵抗層構造 ・高速対応 ・高ダイナミックレンジ ・高分解能 ・スポットサイズ計測と形状計測は独立